《（通用版）2020高考物理三輪沖刺 題型練輯 計(jì)算題規(guī)范練（三）（含解析）》由會(huì)員分享，可在線閱讀，更多相關(guān)《（通用版）2020高考物理三輪沖刺 題型練輯 計(jì)算題規(guī)范練（三）（含解析）（4頁(yè)珍藏版）》請(qǐng)?jiān)谘b配圖網(wǎng)上搜索。

1、計(jì)算題規(guī)范練(三)24(2019山東煙臺(tái)、菏澤市5月模擬)如圖1所示為一臺(tái)利用可折疊光屏制成的質(zhì)譜儀原理圖，可折疊光屏MN可以繞垂直于紙面且過(guò)P點(diǎn)的軸轉(zhuǎn)動(dòng)，使光屏MP、PN兩部分互相垂直現(xiàn)有電荷量相同、質(zhì)量不同的離子由靜止開(kāi)始經(jīng)過(guò)電壓為U0的電場(chǎng)加速后，通過(guò)狹縫O垂直磁場(chǎng)邊界aa進(jìn)入垂直于紙面向里、磁感應(yīng)強(qiáng)度大小為B的勻強(qiáng)磁場(chǎng)中，最后離子打在光屏上，已知光屏MP部分在aa上，OML，MPL，PNL.圖1(1)求打在光屏M、P兩點(diǎn)的離子質(zhì)量之比(2)若離子打在光屏上N點(diǎn)，求該離子在磁場(chǎng)中運(yùn)動(dòng)的時(shí)間答案(1)14(2)解析(1)離子在加速電場(chǎng)中運(yùn)動(dòng)，qU0mv2離子在磁場(chǎng)中做勻速圓周運(yùn)動(dòng)，qvBm

2、得：m打在光屏M、P兩點(diǎn)的離子，在磁場(chǎng)中運(yùn)動(dòng)的半徑分別為RML；RPL則打在光屏M、P兩點(diǎn)離子的質(zhì)量之比mMmP14(2)若離子打在光屏上N點(diǎn)，由幾何知識(shí)得：(2Lr)2(L)2r2解得rLsin60T離子打在光屏上N點(diǎn)，該離子在磁場(chǎng)中運(yùn)動(dòng)的時(shí)間：tT.25(2019山東煙臺(tái)、菏澤市5月模擬)如圖2所示，一粗糙的水平平臺(tái)左端固定一輕質(zhì)彈簧，在平臺(tái)最右端并排靜止放置可視為質(zhì)點(diǎn)的兩個(gè)小物塊A和B，質(zhì)量mA0.2kg，mB0.4kg，A、B間夾有少量炸藥在平臺(tái)右側(cè)緊挨著平臺(tái)的水平地面上靜止放置一質(zhì)量為mC0.2kg的木板C，木板C的上表面與平臺(tái)在同一水平面上，其高度h0.2m，長(zhǎng)度L1m，物塊B與木

3、板C上表面、地面與木板C下表面間的動(dòng)摩擦因數(shù)分別為10.4，20.1.某時(shí)刻炸藥爆炸，A、B分別沿水平方向運(yùn)動(dòng)，物塊A壓縮彈簧后被彈回并恰好停在爆炸前的位置，且彈簧被壓縮過(guò)程中的最大彈性勢(shì)能為Ep4.05J；物塊B最終落到地面上取重力加速度g10m/s2.求：圖2(1)物塊B從木板C上表面飛出至落到地面上所經(jīng)歷的時(shí)間；(2)爆炸后瞬間，物塊B的速度大小；(3)物塊B剛落到地面時(shí)與木板C右端的水平距離答案(1)0.2s(2)4.5m/s(3)0.32m解析(1)物塊B從木板C上表面飛出做平拋運(yùn)動(dòng)由hgt得：t00.2s(2)設(shè)爆炸后瞬間，物塊A的速度大小為vA，物塊B的速度大小為vB，物塊A向左

4、運(yùn)動(dòng)的最大距離為s，物塊A與水平平臺(tái)間的動(dòng)摩擦因數(shù)為.由功能關(guān)系可知mAg2s0mAvmAgsEp爆炸前、后，A、B系統(tǒng)動(dòng)量守恒：mBvBmAvA0得：vA9.0m/s，vB4.5 m/s(3)設(shè)B從C的左端滑到右端過(guò)程中，設(shè)C運(yùn)動(dòng)的距離為sC則此過(guò)程中：1mBgmBaB得：aB4m/s2sCLvBtaBt21mBg2(mBmC)gmCaC得：aC5m/s2sCaCt2得：ts或ts(舍去)B從C的上表面水平拋出時(shí)，設(shè)B、C的速度分別為vB、vCvBvBaBtvCaCtB從C的上表面水平拋出后：2mCgmCaCB從C的上表面水平拋出后，C速度減小到0所用時(shí)間：tt0，由此可知B在平拋過(guò)程中C一直在做勻減速直線運(yùn)動(dòng)則B從C的上表面水平拋出后，B、C在水平方向運(yùn)動(dòng)的距離xBvBt0xCvCt0aCt物塊B剛落到水平地面時(shí)與木板C右端的水平距離xxBxC0.32m4