電 容,第二章 電 容,電容的基本性質(zhì),電容的標(biāo)稱方法,電容的主要參數(shù),電容的分類,電容的意義,內(nèi) 容 提 要,2.1 電容的意義,什么是電容器 由兩片接近并相互絕緣的導(dǎo)體制成的電極組成的儲(chǔ)存電荷和電能的器件。電容器通常簡(jiǎn)稱其為電容 。,2.1 電容的意義,電容器英文名稱：capacitor。 表示符號(hào)：C 單位:法拉，簡(jiǎn)稱法，符號(hào)是F。 常用單位有：毫法（mF）、微法（F）、納法（nF）和皮法（pF） 換算關(guān)系是： 1（F）= 103（mF）=106（F） 1（F）= 103（nF）= 106（pF）,2.2 電容的分類,固定 電容器,有機(jī)薄膜電容器,鋁電解電容器,鉭電解電容器,微調(diào) 電容器,可變 電容器,云母微調(diào)電容器,瓷介微調(diào)電容器,薄膜微調(diào)電容器,空氣可變電容器,薄膜可變電容器,無(wú)機(jī)介質(zhì)電容器,無(wú)極性,有極性,瓷介電容,用陶瓷材料作介質(zhì)，在陶瓷表面涂覆一層金屬（銀）薄膜，再經(jīng)高溫?zé)Y(jié)后作為電極而成。瓷介電容高頻瓷介和低頻瓷介兩種。,薄膜電容,薄膜電容（Film Capacitor）器又稱塑料薄膜電容（Plastic Film Capacitor）也就是有機(jī)薄膜電容，其以有機(jī)薄膜為電介質(zhì)。它包括：滌綸電容(CL)、聚碳酸酯電容(CS)、金屬化聚碳酸酯電容(CSL)、聚苯烯電容(CBB)、聚苯乙烯電容(CB)、聚四氟乙烯電容(CF)。,鋁電解電容（CD）,有極性鋁電解電容器是將附有氧化膜的鋁箔（正極）和浸有電解液的襯墊紙，與陰極（負(fù)極）箔疊片一起卷繞而成。外型封裝有管式、立式。并在鋁殼外有藍(lán)色或黑色塑料套。,鉭電解電容（CA）,鉭電解有兩種形式：1. 箔式鉭電解電容器 內(nèi)部采用卷繞芯子,負(fù)極為液體電解質(zhì)，介質(zhì)為氧化鉭。 2. 鉭粉燒結(jié)式 陽(yáng)極（正極）用顆粒很細(xì)的鉭粉壓塊后燒結(jié)而成。封裝形式有多種。,鈮電解電容(CN),鈮電解電容是以金屬鈮做正極，用稀硫酸等配液做負(fù)極，再以鈮表面生成的氧化膜作介質(zhì)制成。,云母電容（CY）,云母電容是采用云母作為介質(zhì)，在云母表面噴一層金屬膜（銀）作為電極，按需要的容量疊片后經(jīng)浸漬壓塑在膠木殼（或陶瓷、塑料外殼）內(nèi)構(gòu)成。,玻璃釉電容(CI),玻璃釉電容是由一種濃度適于噴涂的特殊混合物噴涂成薄膜作為介質(zhì)，再以銀層電極經(jīng)燒結(jié)而成。,紙介電容是用較薄的電容器專用紙作為介質(zhì)，用鋁箔或鉛箔作為電極，經(jīng)卷饒成型、浸漬后封裝而成。,紙介電容(CZ),獨(dú)石電容,獨(dú)石電容是用鈦酸鋇為主的陶瓷材料燒結(jié)制成的多層疊片狀超小型電容器。,可變電容,電容器容量可以改變的電容器叫可變電容器。其包括：云母微調(diào)電容器、薄膜微調(diào)電容器、瓷介微調(diào)電容器、空氣可變電容器、薄膜可變電容器。,普通貼片電容,通常所說(shuō)的貼片電容是指MLCC,即多層陶瓷片式電容(Multilayer Ceramic Capacitors)。其引腳封裝有0201、0402、0603、0805、1206、1210、1812、2512。,2.3 電容的主要參數(shù),額定電壓（Rated Voltage） :就是耐壓，表示電容器連續(xù)工作中可承受的最大直流電壓。 普通無(wú)極性電容的標(biāo)稱耐壓值有：16V，25V，50V，63V、100V、160V、250V、400V、600V、1000V等， 有極性電容的耐壓值相對(duì)要比無(wú)極性電容的耐壓要低，一般的標(biāo)稱耐壓值有：4V、6.3V、10V、16V、25V、35V、50V、63V、80V、100V、220V、400V等。,2.3 電容的主要參數(shù),標(biāo)稱容量（Rated Capacitance)：標(biāo)稱電容量是標(biāo)志在電容器上的電容量。 允許偏差：實(shí)際電容量與標(biāo)稱電容量的允許最大偏差范圍。,2.3 電容的主要參數(shù),絕緣電阻：指兩個(gè)電極間絕緣介質(zhì)的電阻，對(duì)于電容器來(lái)說(shuō)這個(gè)值是越大越好。 使用壽命：電容器的使用壽命隨著溫度的增加而減少。主要原因是溫度加速化學(xué)反應(yīng)而使介質(zhì)隨時(shí)間而退化。 漏電流（leakage current）：當(dāng)兩極間存在電勢(shì)差時(shí)，根據(jù)絕緣材料的不同，或多或少有一些自由電子會(huì)定向穿過(guò)絕緣層，產(chǎn)生微小的漏電流。隨著絕緣材料的劣化，其極間的漏電流也會(huì)隨之增大。,2.4 電容的標(biāo)稱方法,電容的標(biāo)稱方法與電阻的幾乎相同，不同的只有單位，標(biāo)稱方法有： 直標(biāo)法 文字符號(hào)法 數(shù)字法 色標(biāo)法,2.4 電容的標(biāo)稱方法,直標(biāo)法 直接在電容器上標(biāo)出容量值、容量單位、額定電壓、及允許偏差,額定電壓 250V,容量 220微法,容量 0.01微法,容量 47微法,2.4 電容的標(biāo)稱方法,文字符號(hào)法 用數(shù)字和文字符號(hào)有規(guī)律的組合來(lái)表示容量。文字符號(hào)法也叫小數(shù)點(diǎn)法。就有p、n、R來(lái)表示小數(shù)點(diǎn)。,p1,4n7,33,p代表的單位是pF,0.1pF,n代表的單位是nF,代表的單位是F,4.7nF,3.3F,2.4 電容的標(biāo)稱方法,R33,R代表的單位是F,0.33F,0.01,小數(shù)點(diǎn)代表的單位是F,0.01F,.033,0.033F,2.4 電容的標(biāo)稱方法,練習(xí),2p2,n68,47,3R3,2.2pF,0.68nF,4.7F,3.3F,1.8,1.8F,2.4 電容的標(biāo)稱方法,數(shù)字法 數(shù)字法有兩種表示方式 a、直接用數(shù)字來(lái)表示容量的大小，單位為pF,18pF,100pF,2.4 電容的標(biāo)稱方法,b、一般為三位數(shù)碼表示電容器的容量，單位pF,用三位表示 第一、二位是有效值。第三位是倍數(shù),22,102,=2200pF=2.2nF,注意：第三位為9的時(shí)候，表示的不是109，而是10-1，例如：339表示的是的3.3pF,2.4 電容的標(biāo)稱方法,兩種區(qū)分：,末位為0的，直接讀， 單位為pF,末位不是0的，就乘以10n，單位為pF,100pF,2200pF,2.4 電容的標(biāo)稱方法,練習(xí),68,3300,104,223,68pF,3300pF,100nF,22nF,2.4 電容的標(biāo)稱方法,色碼法 第一、二位有效值，第三位是倍數(shù)，第四位是誤差,15000pF,3300pF,2.5 電容器的基本性質(zhì),充電 使電容器帶電（儲(chǔ)存電荷和電能）的過(guò)程稱為充電。 放電 使充電后的電容器失去電荷（釋放電荷和電能）的過(guò)程稱為放電。,標(biāo)稱容量、額定容量,電容的額定電壓,電容的允許偏差,封裝， 長(zhǎng)寬 長(zhǎng)寬高,例子:E:元器件培訓(xùn)元器件培訓(xùn)-電容電容例子3.pdf,Thank You !,