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1、
2013 集成電路分析與設(shè)計 試卷A 答案
一.填空題(每空2分,共20分)
1、與其它類型的晶體管相比,MOS器件的尺寸很容易按比例__縮小_(縮小、增大),CMOS電路被證明具有_較低_ (較低、較高)的制造成本。
2、放大應(yīng)用時,通常使MOS管工作在_飽和區(qū)_(飽和區(qū)、線性區(qū)),電流受柵源過驅(qū)動電壓控制,我們定義_跨導(dǎo)_(跨導(dǎo)、電導(dǎo))來表示電壓轉(zhuǎn)換電流的能力。
3、λ為溝長調(diào)制效應(yīng)系數(shù),λ值與溝道長度成_反比_(正比、反比)。
4、源跟隨器主要應(yīng)用是起到___電壓緩沖器___(電壓緩沖器、電平移動)的作用。
5、共源共柵放大器結(jié)構(gòu)的一個重要特性就是_輸出阻抗_(輸出阻抗、
2、輸入阻抗)很高,因此可以做成___恒定電流源_(恒定電流源、恒定電壓源)。
6、理想情況下,_電流鏡_(電流鏡、電流源)結(jié)構(gòu)可以精確地復(fù)制電流而不受工藝和溫度的影響,實際應(yīng)用中,為了抑制溝長調(diào)制效應(yīng)帶來的誤差,可以進(jìn)一步將其改進(jìn)為__共源共柵電流鏡__(共源共柵電流鏡、低輸出擺幅電流源)結(jié)構(gòu)。
二.簡答(每題4分,共20分)
1、什么是NMOS管的溝道調(diào)制效應(yīng)?寫出NMOS管的具有溝道調(diào)制效應(yīng)漏極電流的計算公式。
答:在MOS管工作于飽和狀態(tài)時,MOS管的導(dǎo)電溝道會發(fā)生夾斷,且夾斷點的位置隨柵漏間的電壓差的增加而向源極移動,既有效溝道、長度實際上是Vds的函數(shù)。這一效應(yīng)稱為“溝道調(diào)
3、制效應(yīng)”。(2分)
該效應(yīng)下,漏極電流的計算公式:
(2分)
2、什么是體效應(yīng)?體效應(yīng)會對電路產(chǎn)生什么影響?
答:理想情況下是假設(shè)晶體管的襯底和源是短接的,實際上兩者并不一定電位相同,當(dāng)VB變得更負(fù)時,VTH增加,這種效應(yīng)叫做體效應(yīng)。體效應(yīng)會改變晶體管的閾值電壓。(4分)
3、什么是等效跨導(dǎo)Gm?
答:對于某種具體的電路結(jié)構(gòu),定義為電路的等效跨導(dǎo),來表示輸
入電壓轉(zhuǎn)換成輸出電流的能力。(4分)
4、如果將圖(a)的電路轉(zhuǎn)換成圖(b)的電路,則Z1=Z/(1-AV),Z2=Z/(1-AV-1),其中AV=VY/VX。這種現(xiàn)象可總結(jié)為密勒定理。(4分)
5、什么是亞
4、閾值導(dǎo)電效應(yīng)?
答:實際上,VGS=VTH時,一個“弱”的反型層仍然存在,并有一些源漏電流,甚至當(dāng)VGS
5、 (1分)
飽和區(qū):,且
(2分)
三極管區(qū):,且
(2分)
根據(jù)三個區(qū)域的輸出電壓,畫出該電路的輸入輸出特性曲線,其中:Vin從0到VTH為截止區(qū);Vin從VTH到Vin1為飽和區(qū);Vin從Vin1開始,進(jìn)入線性區(qū),(V為M1工作在線性區(qū)和飽和區(qū)的交界點)(2分)
2、畫出NMOS帶有負(fù)反饋電阻RS的共源放大器考慮溝道調(diào)制效應(yīng)、襯底效應(yīng)的低頻小信號等效電路(不包括NMOS負(fù)載電阻RD)。(10分)
四.分析計算題(共40分)
1、采用電流源負(fù)載的共源放大器如下
6、圖所示,其中:M2和M3的尺寸相同,假設(shè)在忽略溝道調(diào)制效應(yīng)和襯底效應(yīng)條件下,流過M2和M3的電流相同,如果MOS管的λn=0.1,λp=0.2, Kn=50μA/V2,求該電路的跨導(dǎo)、輸出電阻和小信號增益。(20分)
解:(4分)
其中:
(4分)
(4分)
(4分)
(4分)
2、在下圖所示的采用二極管連接負(fù)載的差動對電路中,,,λn=0.1,λp=0.2,差動對的參數(shù)為:(W/L)1,2=50/0.5,(W/L)3,4=10/0.5,ISS=0.5mA,ISS由NMOS來提供,(W/L)SS=50/0.5。求:
a)求電路的小信號差動增益(10分)
b)若M
7、3管和M4管的溝道寬度失配,分別為W3=10mm和W4=11mm,那么電路的共模抑制比(CMRR)為多少?(10分)
解:a)對稱情況下, (4分)
(2分)
(2分)
(2分)
b)M3與M4的寬長比失配等效為差分對負(fù)載電阻阻值失配
(1分)
(2分)
(2分)
(1分)
(3分)
(1分)
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