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1、會計學1CMOS模擬集成電路設計模擬集成電路設計 復習題一復習題一1.以N型MOSFET為例，畫出相應的I-V特性曲線，即IDS與 VDS,VGS的關系，并標出MOSFET的線性區(qū)和飽和區(qū)范圍，給出各區(qū)域成立的條件 2.畫出一個典型P阱CMOS工藝反向器的垂直剖面示意圖，要求器件的各個端口正確連接輸入、輸出、電源電位和地電位3.什么是MOSFET小信號跨導，給出飽和區(qū)MOSFET小信號跨導的三種表達形式 4.什么是 MOSFET的亞閾區(qū)，指出亞閾區(qū)的電流與柵源電壓的關系1.解釋什么是體效應？在初步分析MOSFET的時候我們假設襯底和源級是接到地的。而實際上當VBVS時，器件仍能正常工作，但是隨

2、著VSB的增加，閾值電壓VTH會隨之增加，這種體電位（相對于源）的變化影響閾值電壓的效應稱為體效應，也稱為“背柵效應”2.解釋什么是溝道長度調制效應？當溝道發(fā)生夾斷后，如果VDS繼續(xù)增大，有效溝道長度L會隨之減小，導致漏源電流 Id的大小略有上升。這一效應成為“溝道”4.圖(a)是什么結構？圖(b)忽略了溝道調制效應和體效應。如果體效應不能忽略，請畫出Vin和Vout的關系曲線，并作出解釋。5.圖中MOS管的作用是什么？應該工作在什么工作區(qū)？即NMOS開關不能傳遞最高電位，僅對低電位是比較理想的開關相對的，PMOS開關不能傳遞最低電位，僅對高電位是比較理想的開關6.計算電路的小信號增益7.畫出下圖的小信號等效電路，推導Rin的表達式 8.