《太陽(yáng)能電池調(diào)研報(bào)告》由會(huì)員分享，可在線閱讀，更多相關(guān)《太陽(yáng)能電池調(diào)研報(bào)告（9頁(yè)珍藏版）》請(qǐng)?jiān)谘b配圖網(wǎng)上搜索。

1、單晶硅太陽(yáng)能電池 1. 能源現(xiàn)狀 2. 太陽(yáng)能電池概述 3. 太陽(yáng)能電池工作原理 4. 單晶硅太陽(yáng)能電池的生產(chǎn)及應(yīng)用 1.能源現(xiàn)狀 能源是發(fā)展國(guó)民經(jīng)濟(jì)和提高人民生活水平的重要物質(zhì)基礎(chǔ)，也是直接影響經(jīng)濟(jì)發(fā)展的 一個(gè)重要的因素。然而地球儲(chǔ)藏的化石能源有限，煤炭、石油等不可再生能源頻頻告急，同 時(shí)化石能源的大量使用使環(huán)境污染日趨嚴(yán)重。 世界 中國(guó) 75% 25% 圖1:中國(guó)和世界的能源結(jié)構(gòu) 能源枯竭 石油：42年，天然氣：67年，煤:200年。 環(huán)境污染 每年排放的二氧化碳達(dá)210萬(wàn)噸，并呈上升趨勢(shì)，造成 全球氣候變暖;空氣中大量二氧化碳，粉塵含量己嚴(yán)重 影響人們的身

2、體健康和人類賴以生存的自然環(huán)境。 可再生能源： 風(fēng)能；水能；地?zé)幔怀毕?太陽(yáng)能等 為此，各個(gè)國(guó)家積極發(fā)展低碳經(jīng)濟(jì)，越來(lái)越多的開發(fā)利用清潔能源?其中太陽(yáng)能取之不盡，用 之不竭，并且無(wú)污染，是最具開發(fā)和應(yīng)用前景的清潔能源之一，優(yōu)越性非常突出。太陽(yáng)能電 池是利用太陽(yáng)能的良好途徑之一，近些年來(lái)不斷受到人們的重視，許多國(guó)家開始實(shí)行“陽(yáng)光 計(jì)劃"，尋求經(jīng)濟(jì)發(fā)展的新動(dòng)力?使得其成為發(fā)展最快、最具活力的研究領(lǐng)域. 太陽(yáng)能利用的重要途徑之一是研制太陽(yáng)能電池 1） 太陽(yáng)能電池定義 太陽(yáng)能電池，又稱光伏器件，是一種利用光生伏特效應(yīng)把光能轉(zhuǎn)變?yōu)殡娔艿钠骷?。它是太?yáng) 能光伏發(fā)電的基礎(chǔ)和核心。 2）

3、 太陽(yáng)能電池的發(fā)展 世界太陽(yáng)能電池發(fā)展的主要節(jié)點(diǎn) 1954美國(guó)貝爾實(shí)驗(yàn)室發(fā)明單晶硅太陽(yáng)能電池,效率為6% 1955第一個(gè)光伏航標(biāo)燈問(wèn)世，美國(guó)RCA發(fā)明Ga As太陽(yáng)能電池 1958太陽(yáng)能電池首次裝備于美國(guó)先鋒1號(hào)衛(wèi)星，轉(zhuǎn)換效率為8%。 1959第一個(gè)單晶硅太陽(yáng)能電池問(wèn)世。 1960太陽(yáng)能電池首次實(shí)現(xiàn)并網(wǎng)運(yùn)行。 1974突破反射絨面技術(shù)，硅太陽(yáng)能電池效率達(dá)到18%。 1975非晶硅及帶硅太陽(yáng)能電池問(wèn)世 1978美國(guó)建成100KW光伏電站 1980單晶硅太陽(yáng)能電池效率達(dá)到20%多晶硅為14。5%,Ga As為22.5% 1986美國(guó)建成6.5KW光伏電站 1990德國(guó)提出“

4、2000光伏屋頂計(jì)劃” 1995高效聚光Ga As太陽(yáng)能電池問(wèn)世，效率達(dá)32%。 1997美國(guó)提出“克林頓總統(tǒng)百萬(wàn)太陽(yáng)能屋頂計(jì)劃，日本提出“新陽(yáng)光計(jì)劃” 1998單晶硅太陽(yáng)能電池效率達(dá)到24。7%,荷蘭提出“百萬(wàn)光伏屋頂計(jì)劃” 2000世界太陽(yáng)能電池總產(chǎn)量達(dá)287MW，歐洲計(jì)劃2010年生產(chǎn)60億瓦光伏電池 3） 太陽(yáng)能電池的應(yīng)用 家庭屋頂并網(wǎng)發(fā)電系統(tǒng) 路燈 發(fā)電站 3太陽(yáng)能電池的工作原理 1）太陽(yáng)能電池的結(jié)構(gòu) 硅太陽(yáng)能電池的基本結(jié)構(gòu)如圖所示，它的核心結(jié)構(gòu)是N型硅/P型硅構(gòu)成的活性層。 通過(guò)特殊工藝向硅晶體中摻入少量的三價(jià)硼就可以構(gòu)成P（

5、positive）型硅。未摻雜的硅晶體中，每 個(gè)硅原子通過(guò)共價(jià)鍵與周圍4個(gè)硅原子相連。摻入少量硼后，硼原子取代某些硅原子的位置，并且在這 些硅原子的位置上也與周圍4個(gè)硅原子形成共價(jià)鍵。因?yàn)榕鹪又挥?個(gè)價(jià)電子，與周圍4個(gè)硅原子成 鍵時(shí)缺少1個(gè)電子，它需要從硅晶體中獲取1個(gè)電子才能形成穩(wěn)定結(jié)構(gòu)。結(jié)果，硼原子變成負(fù)離子，硅 晶體中形成空穴（空穴帶一個(gè)單位的正電荷）。 如果向硅晶體中摻入少量五價(jià)磷或者砷就構(gòu)成了N（negative）型硅，例如摻入磷。摻入的磷原 子同樣取代硅原子的位置，并與周圍的4個(gè)硅原子形成共價(jià)鍵。因?yàn)榱自佑?個(gè)價(jià)電子，成鍵后剩下 1個(gè)價(jià)電子，這個(gè)電子受到的束縛力比共價(jià)鍵上的電

6、子小得多，很容易脫離磷原子，成為自由電子，結(jié) 果該磷原子成為正離子。需要說(shuō)明的是，P型和N型硅都是電中性的. 2）PN結(jié)形成過(guò)程 ）電予 ◎現(xiàn)讒的即租于 當(dāng)把P型硅與N型硅通過(guò)一定方式結(jié)合在一起時(shí)，發(fā)生如圖所示的P N結(jié)形成過(guò)程. 在N區(qū)（N型硅一側(cè)）與P區(qū)（P型硅一側(cè)）的交界面附近，N區(qū)的自由電子較多空穴較少,P區(qū)則是空 穴較多自由電子較少，這樣在P區(qū)和N區(qū)之間出現(xiàn)空穴和自由電子的濃度差?濃度差導(dǎo)致空穴從P區(qū)向N 區(qū)擴(kuò)散，自由電子從N區(qū)向P區(qū)擴(kuò)散，二者在界面附近復(fù)合。P區(qū)界面附近帶正電荷的空穴離開后，留下 帶負(fù)電荷的硼，因此形成1個(gè)負(fù)電荷區(qū)。 同理，在N區(qū)界面附

7、近出現(xiàn)1個(gè)正電荷區(qū). 通常把交界面附近的這種正、負(fù)電荷區(qū)域叫做空間電荷區(qū)?？臻g電荷區(qū)中的正、負(fù)電荷產(chǎn)生1個(gè)由N區(qū)指向P區(qū)的內(nèi)建電場(chǎng)?在內(nèi)建電場(chǎng)的作用下，空穴和電子發(fā)生漂移，方向與它們各自的擴(kuò)散方向 相反，即電子從P區(qū)漂移到N區(qū)，空穴從N區(qū)漂移到P區(qū)。顯然，內(nèi)建電場(chǎng)同時(shí)又起著阻礙電子和空穴繼 續(xù)擴(kuò)散的作用。隨著擴(kuò)散的進(jìn)行，空間電荷逐漸增多，內(nèi)建電場(chǎng)逐漸增強(qiáng)，空穴和電子的漂移也逐漸 增強(qiáng)，但空穴和電子的擴(kuò)散卻逐漸變?nèi)酢o(wú)外界影響時(shí)，空穴和電子的擴(kuò)散和漂移最終達(dá)到動(dòng)態(tài)平衡。 此時(shí)，空間電荷的數(shù)量一定,空間電荷區(qū)不再擴(kuò)展，內(nèi)建電場(chǎng)的大小就確定下來(lái)。 3）太陽(yáng)能電池發(fā)電原理 當(dāng)具有一定能量的光子入

8、射到P N結(jié)表面時(shí)，光子在硅表面及體內(nèi)激發(fā)產(chǎn)生大量的電子一空穴對(duì)。由 于入射光的強(qiáng)度因材料的吸收而不斷衰減，因而沿著光照方向，材料內(nèi)部電子-空穴對(duì)的濃度逐漸降 低，這導(dǎo)致電子-空穴對(duì)向內(nèi)部擴(kuò)散。當(dāng)電子一空穴對(duì)擴(kuò)散到P N結(jié)邊界時(shí),在內(nèi)建電場(chǎng)的作用下，空 穴、電子被分別拉向P區(qū)和N區(qū)，電子一空穴對(duì)被分離.空穴在P區(qū)積累，電子在N區(qū)積累，結(jié)果產(chǎn)生一個(gè) 與內(nèi)建電場(chǎng)方向相反的光生電場(chǎng)，在P區(qū)和N區(qū)之間形成與PN結(jié)電勢(shì)反向的光生電勢(shì)，這就是著名的光 生伏特效應(yīng)。 1 P 9 | L?1 r r l 時(shí)日允阻畀產(chǎn)生的皚孑遼訓(xùn) + [ 民 P33 - n盤 r ■ T

9、 L 由再光鬭辦產(chǎn)空旳電動(dòng)務(wù)的狀厲 電荷運(yùn)動(dòng)的勢(shì)壘:p—n結(jié)區(qū)內(nèi)形成的內(nèi)建電場(chǎng)。阻礙電子從n區(qū)向p區(qū)運(yùn)動(dòng)，空穴從p區(qū)向n區(qū)運(yùn)動(dòng)。 光子入射：造成躍遷產(chǎn)生空穴一電子對(duì). 光電池：空穴、電子通過(guò)外電路復(fù)合,在電路中產(chǎn)生電流。 半導(dǎo)體中可以利用各種勢(shì)壘如pn結(jié)、肖特基勢(shì)壘、異質(zhì)結(jié)等形成光伏效應(yīng)。 當(dāng)太陽(yáng)能電池受到陽(yáng)光照射時(shí)，光與半導(dǎo)體相互作用可以產(chǎn)生光生載流子，所產(chǎn)生的電子-空穴對(duì)靠半 導(dǎo)體內(nèi)形成的勢(shì)壘分開到兩極，正負(fù)電荷分別被上下電極收集.由電荷聚集所形成的電流通過(guò)金屬導(dǎo) 線流向電負(fù)載. 該效應(yīng)使PN結(jié)內(nèi)部形成自N區(qū)向P區(qū)的光生電流，當(dāng)PN結(jié)與外電路接通，只要光照不停止，

10、就會(huì)有電 流源源不斷地通過(guò)電路。 轉(zhuǎn)耐擊入啟鳥器爲(wèi)率 II型半導(dǎo)體 太陽(yáng)能光伏發(fā)電粒子 \電極 電極 反射防止膜 3單晶硅的生產(chǎn)應(yīng)用 1）太陽(yáng)能電池材料 要 村 料 表而涂層 電極 _N?裝 半導(dǎo)休 甲晶仆、I. li i'ii'ifi： x GsAs右機(jī)丫:導(dǎo)偽 金屬氣化物、導(dǎo)電聚介物 金屬M(fèi)休 玻璃、有機(jī)玻璃 堆X1 木材rA 要料T 求的 ① 能充分利川足陽(yáng)能輻射，即半導(dǎo)體的禁帶不能 太寬; ② 仃較高的光電轉(zhuǎn)換效率: ③ 材I *本身對(duì)環(huán)境不造成i'虧染: ④ 材料■「I：?業(yè)化個(gè)產(chǎn)，材料的性能穩(wěn)定且經(jīng)濟(jì) 2）無(wú)機(jī)太陽(yáng)能電池的

11、性能及應(yīng)用 名稱 禁帶寬度（eV） 轉(zhuǎn)換效率 應(yīng)用實(shí)況 單晶硅 1.12 24.4 用于空間及地面太陽(yáng)電池 多晶硅 1.12 18 與單晶硅占市場(chǎng)70?80% 非晶硅 1.5~2.0 13 占市場(chǎng)10~20%消費(fèi)電子,能源 復(fù)合型 17.3 已商業(yè)化 CdTe 1.44 15 與 CdS 結(jié)合構(gòu)成的太陽(yáng)電池已商業(yè)化 CuInSe2 1.04 17 探索大面積應(yīng)用批量生產(chǎn)技術(shù) GaAs 1.42 37.4 已開始用于空間太陽(yáng)電池 InP 1.35 19.1 耐輻射性能優(yōu)異，處于研究開發(fā)階段 單晶硅太陽(yáng)能電池，是以高純的單

12、晶硅棒為原料的太陽(yáng)能電池，是當(dāng)前開發(fā)得最快的一種太 陽(yáng)能電池。它的構(gòu)造和生產(chǎn)工藝已定型，產(chǎn)品已廣泛用于空間和地面。 硅單晶產(chǎn)量 2004 年單晶硅產(chǎn)量（噸） 單晶總產(chǎn)量 1700 太陽(yáng)能單晶產(chǎn)量 1200 太陽(yáng)能單晶生產(chǎn)能力 2000 近年來(lái)我國(guó)硅單晶產(chǎn)量 4) 單晶硅太陽(yáng)能電池的生產(chǎn)工藝 太陽(yáng)能電池片制作工藝流程圖 切片要求：①切割精度高、表面平行度高、翹曲度和厚度公差小。②斷面完整性 好，消除拉絲、刀痕和微裂紋。③提高成品率,縮小刀(鋼絲)切縫，降低原材 料損耗。④提高切割速度，實(shí)現(xiàn)自動(dòng)化切割. 具體的制作工藝說(shuō)明 (1) 切片：采用多線切

13、割，將硅棒切割成正方形的硅片。 (2) 清洗：用常規(guī)的硅片清洗方法清洗，然后用酸(或堿)溶液將硅 片表面切割損傷層除去30 — 50um。 (3) 制備絨面：用堿溶液對(duì)硅片進(jìn)行各向異性腐蝕在硅片表面制備 絨面。 (4) 磷擴(kuò)散：采用涂布源(或液態(tài)源，或固態(tài)氮化磷片狀源)進(jìn)行擴(kuò) 散，制成PN結(jié)，結(jié)深一般為0。3 — 0。5um. (5) 周邊刻蝕:擴(kuò)散時(shí)在硅片周邊表面形成的擴(kuò)散層，會(huì)使電池上 下電極短路，用掩蔽濕法腐蝕或等離子干法腐蝕去除周邊擴(kuò)散層. (6) 去除背面PN+結(jié)。常用濕法腐蝕或磨片法除去背面PN+結(jié)。 (7) 制作上下電極:用真空蒸鍍、化學(xué)鍍鎳或鋁漿印刷燒結(jié)等工藝。 先

14、制作下電極，然后制作上電極。鋁漿印刷是大量采用的工藝方法。 (8) 制作減反射膜:為了減少入反射損失，要在硅片表面上覆蓋一層 減反射膜。制作減反射膜的材料有MgF2 ,SiO2 ,Al2O3 ,SiO ,Si3N4 , TiO2 ,Ta2O5等。工藝方法可用真空鍍膜法、離子鍍膜法，濺射法、 印刷法、PECVD法或噴涂法等. (9) 燒結(jié):將電池芯片燒結(jié)于鎳或銅的底板上。 (10) 測(cè)試分檔：按規(guī)定參數(shù)規(guī)范，測(cè)試分類。 太陽(yáng)能電池組件封裝工藝流程 流程： 1、電池檢測(cè)-—2、正面焊接—檢驗(yàn)—3、背面串接-檢驗(yàn)-4、敷設(shè)(玻璃清洗、材料切 割、玻璃預(yù)處理、敷設(shè))--5、層壓——6、去毛

15、邊(去邊、清洗)—-7、裝邊框(涂 膠、裝角鍵、沖孔、裝框、擦洗余膠)—-8、焊接接線盒—-9、高壓測(cè)試——10、 組件測(cè)試—外觀檢驗(yàn)—11、包裝入庫(kù) 提高單晶硅太陽(yáng)能電池效率的特殊技術(shù): 晶體硅太陽(yáng)能電池的理論效率為33%(AM1。5光譜條件下)。太陽(yáng)能電池的 理論效率與入射光能轉(zhuǎn)變成電流之前的各種可能損耗的因素有關(guān)。其中，有些因 素由太陽(yáng)能電池的基本物理決定的,有些則與材料和工藝相關(guān)。從提高太陽(yáng)能電 池效率的原理上講，應(yīng)從以下幾方面著手： 1、 減少太陽(yáng)能電池薄膜光反射的損失 2、 降低PN結(jié)的正向電池(俗稱太陽(yáng)能電池暗電流) 3、 PN結(jié)的空間電荷區(qū)寬度減少，幷減少空間電荷區(qū)的

16、復(fù)合中心。 4、 提高硅晶體中少數(shù)載流子壽命,即減少重金屬雜質(zhì)含量和其他可作為復(fù)合中 心的雜質(zhì),晶體結(jié)構(gòu)缺陷等。 5、 當(dāng)采取太陽(yáng)能電池硅晶體各區(qū)厚度和其他結(jié)構(gòu)參數(shù)。 目前提高太陽(yáng)能電池效率的主要措施如下，而各項(xiàng)措施的采用往往引導(dǎo)出相應(yīng)的 新的工藝技術(shù)。 (1)選擇長(zhǎng)載流子壽命的高性能襯底硅晶體。 (2 )太陽(yáng)能電池芯片表面制造絨面或倒金字塔多坑表面結(jié)構(gòu)。電池芯片背面制 作背面鏡，以降低表面反射和構(gòu)成良好的隔光機(jī)制。 (3) 合理設(shè)計(jì)發(fā)射結(jié)結(jié)構(gòu)，以收集盡可能多的光生載流子。 (4) 采用高性能表面鈍化膜，以降低表面復(fù)合速率. (5) 采用深結(jié)結(jié)構(gòu),并在金屬接觸處加強(qiáng)鈍化。 (6) 合理的電極接觸設(shè)計(jì)以達(dá)到低串聯(lián)電阻等.