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2020高考化學(xué)二輪復(fù)習(xí)課堂學(xué)案課件-大題題空逐空突破 “原因解釋”型試題集訓(xùn)

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1、“原因解釋”型試題集訓(xùn)專題十一大題題空逐空突破(十二)命題分析在物質(zhì)結(jié)構(gòu)模塊中,“原因解釋”型試題既能考查學(xué)生對化學(xué)知識和化學(xué)理論的掌握情況,又能考查學(xué)生的文字組織能力,成為高考必考點(diǎn)。從近幾年高考命題來看,考查點(diǎn)涉及原子結(jié)構(gòu)、分子結(jié)構(gòu)和晶體結(jié)構(gòu)三大塊內(nèi)容,但主要考查的內(nèi)容是分子結(jié)構(gòu)理論知識,體現(xiàn)在分子間作用力對物質(zhì)熔、沸點(diǎn)影響不同的解釋。解題模型解題模型1 11.2019全國卷,35(2)(3)節(jié)選(2)乙二胺能與Mg2、Cu2等金屬離子形成穩(wěn)定環(huán)狀離子,其原因是_,其中與乙二胺形成的化合物穩(wěn)定性相對較高的是_(填“Mg2”或“Cu2”)。真題演練真題演練2 2123解析乙二胺中2個(gè)N原子提

2、供孤電子對與金屬鎂離子或銅離子形成穩(wěn)定的配位鍵,故能形成穩(wěn)定環(huán)狀離子。由于銅屬于過渡金屬,Cu2比Mg2更易形成穩(wěn)定的配合物。乙二胺的兩個(gè)N提供孤對電子與金屬離子形成配位鍵Cu2解釋表中氧化物之間熔點(diǎn)差異的原因_。(3)一些氧化物的熔點(diǎn)如表所示:123解析氧化鋰、氧化鎂是離子晶體,六氧化四磷和二氧化硫是分子晶體,離子鍵比分子間作用力強(qiáng)。氧化物L(fēng)i2OMgOP4O6SO2熔點(diǎn)/1 5702 80023.875.5 Li2O、MgO為離子晶體,P4O6、SO2為分子晶體。晶格能:MgOLi2O。分子間作用力(分子量):P4O6SO22.2019全國卷,35(1)節(jié)選AsH3沸點(diǎn)比NH3的_(填“高

3、”或“低”),其判斷理由是_。123解析NH3中N的電負(fù)性比AsH3中As的大得多,故NH3易形成分子間氫鍵,從而使其沸點(diǎn)升高。低NH3分子間存在氫鍵別高于甲苯的熔點(diǎn)(95.0)、沸點(diǎn)(110.6),原因是_。苯()的相對分子質(zhì)量相近,但苯胺的熔點(diǎn)(5.9)、沸點(diǎn)(184.4)分3.2019全國卷,35(3)苯胺()的晶體類型是_。苯胺與甲123解析苯胺為有機(jī)物,結(jié)合題給信息中苯胺的熔、沸點(diǎn)可知苯胺為分子晶體。苯胺中有NH2,分子間可形成氫鍵,而甲苯分子間不能形成氫鍵,分子間氫鍵可明顯地提升分子晶體的熔、沸點(diǎn)。分子晶體苯胺分子之間存在氫鍵1.煙花燃放過程中,鉀元素中的電子躍遷的方式是_。模擬預(yù)

4、測模擬預(yù)測3 3123467895101112131415 16171819高能量狀態(tài)躍遷到低能量狀態(tài)2.已知電離能:I2(Ti)1 310 kJmol1,I2(K)3 051 kJmol1。I2(Ti)I2(K),其原因?yàn)開。123467895101112131415 16171819K失去的是全充滿的3p6上的電子,Ti失去的是4s1上的電子,相對較易失去3.鐵的第三電離能(I3)、第四電離能(I4)分別為2 957 kJmol1、5 290 kJmol1,I4遠(yuǎn)大于I3的原因是_。12346789510Fe3的3d能級半充滿,結(jié)構(gòu)穩(wěn)定,難失去電子1112131415 1617181912

5、3467895101112131415 161718194.基態(tài)鈦原子的價(jià)層電子排布圖為_,其原子核外共有_種運(yùn)動(dòng)狀態(tài)不同的電子,Ti形成的4價(jià)化合物最穩(wěn)定,原因是_。22最外層達(dá)到8電子穩(wěn)定結(jié)構(gòu)123467895101112131415 161718195.Co3 在水中易被還原成Co2,而在氨水中可穩(wěn)定存在,其原因?yàn)開。Co3可與NH3形成較穩(wěn)定的配合物6.HF能與BF3化合得到HBF4,從化學(xué)鍵形成角度分析HF與BF3能化合的原因_。123467895101112131415 16171819BF3中硼原子有空軌道,HF中氟原子有孤電子對,兩者之間可形成配位鍵7.Co2在水溶液中以Co(

6、H2O)62存在。向含Co2的溶液中加入過量氨水可生成更穩(wěn)定的Co(NH3)62,其原因是_。123467895101112131415 16171819 N元素電負(fù)性比O元素電負(fù)性小,N原子提供孤電子對的傾向更大,與Co2形成的配位鍵更強(qiáng)8.在高溫下,Cu2O比CuO穩(wěn)定,從離子的電子層結(jié)構(gòu)角度分析,其主要原因是_。123467895101112131415 16171819Cu2O中Cu的外圍電子排布式為3d10,CuO中Cu2的外圍電子排布式為3d9,前者達(dá)到全充滿穩(wěn)定結(jié)構(gòu)9.硅烷種類沒有烷烴多,從鍵能角度解釋,其主要原因是_。123467895101112131415 16171819

7、碳原子半徑小于硅原子,烷烴中碳碳鍵鍵長較短,鍵能較大10.鈣和鐵都是第四周期元素,且原子的最外層電子數(shù)相同,為什么鐵的熔沸點(diǎn)遠(yuǎn)大于鈣?123467895101112131415 16171819答案Fe的核電荷數(shù)較大,原子核對電子的引力較大,故Fe的原子半徑小于Ca,F(xiàn)e的金屬鍵強(qiáng)于Ca。11.鐵氧體也可使用沉淀法,制備時(shí)常加入氨(NH3)、聯(lián)氨(N2H4)等弱堿,已知氨(NH3熔點(diǎn):77.8、沸點(diǎn):33.5),聯(lián)氨(N2H4熔點(diǎn):2、沸點(diǎn):113.5),解釋其熔沸點(diǎn)高低的主要原因_。123467895101112131415 16171819聯(lián)氨分子間形成氫鍵的數(shù)目多于氨分子形成的氫鍵12.

8、草酸與正丁酸(CH3CH2CH2COOH)的相對分子質(zhì)量相差2,二者的熔點(diǎn)分別為101、7.9,導(dǎo)致這種差異的最主要原因可能是_。12346789510草酸分子間能形成更多氫鍵1112131415 1617181913.鈦與鹵素形成的化合物熔沸點(diǎn)如下表所示:123467895101112131415 16171819 TiCl4TiBr4TiI4熔點(diǎn)/24.138.3155沸點(diǎn)/136.5233.5377分析TiCl4、TiBr4、TiI4的熔點(diǎn)和沸點(diǎn)呈現(xiàn)一定變化規(guī)律的原因是_。三者均為分子晶體,組成與結(jié)構(gòu)相似,隨著相對分子質(zhì)量增大,分子間作用力增大,熔沸點(diǎn)升高14.尿素CO(NH2)2易溶于

9、水,其原因除尿素和水都是極性分子外,還有_。12346789510尿素與水分子之間可以形成氫鍵1112131415 1617181915.硼酸晶體是片層結(jié)構(gòu),其中一層的結(jié)構(gòu)如圖所示。硼酸在冷水中溶解度很小,但在熱水中較大,原因是_。123467895101112131415 16171819 晶體中硼酸分子間以氫鍵締合在一起,難以溶解;加熱時(shí),晶體中部分氫鍵被破壞,硼酸分子與水分子形成氫鍵,溶解度增大16.Si3N4和C3N4中硬度較高的是_,理由是_。123467895101112131415 16171819 C3N4 Si3N4和C3N4均為原子晶體,C的原子半徑比Si的原子半徑小,故C

10、N鍵比SiN鍵的鍵長短,鍵能大,即CN鍵比SiN鍵牢固,故C3N4的硬度較高17.碳化硅(SiC)晶體具有類似金剛石的結(jié)構(gòu),其中碳原子和硅原子的位置是交替的,但是碳化硅的熔點(diǎn)低于金剛石,原因是_。123467895101112131415 16171819 兩種晶體都是原子晶體,原子半徑越小,鍵長越短,鍵能越大,熔點(diǎn)越高。原子半徑:CSi,鍵長:CC鍵SiC鍵,所以碳化硅的熔點(diǎn)低于金剛石18.已知CoCl2的熔點(diǎn)為86,易溶于水,則CoCl2是_晶體。又知CoO的熔點(diǎn)是1 935,CoS的熔點(diǎn)是1 135,試分析CoO的熔點(diǎn)較高的原因:_。12346789510分子 兩者均為離子晶體,但S2半徑大于O2半徑,CoO的晶格能大于CoS,因此CoO的熔點(diǎn)較高1112131415 1617181919.NH3分子在獨(dú)立存在時(shí)HNH鍵角為107。如圖是Zn(NH3)62離子的部分結(jié)構(gòu)以及HNH鍵角的測量值。解釋NH3形成如圖配合物后HNH鍵角變大的原因:_。123467895101112131415 16171819 NH3分子中N原子的孤電子對進(jìn)入Zn2的空軌道形成配位鍵后,原孤電子對與成鍵電子對間的排斥作用變?yōu)槌涉I電子對間的排斥,排斥作用減弱本課結(jié)束更多精彩內(nèi)容請登錄:

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