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1、第十四章 半導(dǎo)體器件3007在 PN 結(jié) 中 形 成 空 間 電 荷 區(qū) 的 正、負 離 子 都 帶 電，所 以 空 間 電 荷 區(qū) 的 電 阻率（ A ）。 (a) 很 高 (b) 很 低(c)等 于N 型 或 P 型 半 導(dǎo) 體 的 電 阻 率 11023型 號 為 2CP10 的 正 向 硅 二 極 管 導(dǎo) 通 后 的 正 向 壓 降 約 為（ C ）。(a) 1V (b) 0.2 V (c) 0.6 V15039電 路 如 圖1 所 示， 已 知U = 6V，u =18sintV， 波 形 如 圖2， 二 極 管 正 向 導(dǎo) 通 時 的 壓 降 可 忽 略 不 計， 則 二 極 管 兩

2、 端 電 壓 uD 的 波 形 為 圖3 中（ ）。 22061溫 度 穩(wěn) 定 性 最 好 的 穩(wěn) 壓 管 是（ A ）。 (a) 穩(wěn) 定 電 壓 UZ = 6 V 的 管 子 (b) 穩(wěn) 定 電 壓 UZ 6 V 的 管 子 (c) 穩(wěn) 定 電 壓 U 6 V 的 管 子23064穩(wěn) 壓 管 的 動 態(tài) 電 阻 rZ 是 指 （ B ）。 (a) 穩(wěn) 定 電 壓 與 相 應(yīng) 電 流 IZ 之 比 (b) 穩(wěn) 壓 管 端 電 壓 變 化 量 UZ 與 相 應(yīng) 電 流 變 化 量 IZ 的 比 值 (c) 穩(wěn) 壓 管 正 向 壓 降 與 相 應(yīng) 正 向 電 流 的 比 值 24065動 態(tài) 電

3、阻 rZ 是 表 示 穩(wěn) 壓 管 的 一 個 重 要 參 數(shù)， 它 的 大 小 對 穩(wěn) 壓 性 能 的 影 響 是 （ B ）。 (a) rZ 小 則 穩(wěn) 壓 性 能 差 (b) rZ 小 則 穩(wěn) 壓 性 能 好(c) rZ 的大小不影響穩(wěn)壓性能34084晶 體 管 的 主 要 特 點 是 具 有（ B ）。 (a) 單 向 導(dǎo) 電 性 (b) 電 流 放 大 作 用 (c) 穩(wěn) 壓 作 用35086如果改變晶體管基極電壓的極性， 使發(fā)射結(jié)由正偏導(dǎo)通改為反偏， 則集電極電流 （ B ）。 (a) 反 向 (b) 近 似 等 于 零 (c) 不 變 (d) 增 大 36088 晶 體 管 處 于

4、 截 止 狀 態(tài) 時， 集 電 結(jié) 和 發(fā) 射 結(jié) 的 偏 置 情 況 為（ B ）。 (a) 發(fā)射結(jié)反偏集電結(jié)正偏 (b) 發(fā)射結(jié)、集電結(jié)均反偏(c) 發(fā)射結(jié)、集電結(jié)均正偏 (d) 發(fā)射結(jié)正偏，集電結(jié)反偏38091 晶體管的穿透電流 ICEO 是表明（ A ）。 (a) 該 管 溫 度 穩(wěn) 定 性 好 壞 的 參 數(shù) (b) 該 管 允 許 通 過 最 大 電 流 的 極 限 參 數(shù) (c) 該 管 放 大 能 力 的 參 數(shù)39093 表明晶體管質(zhì)量優(yōu)劣的主要參數(shù)是（ ）。 40095某 晶 體 管 的 集 電 極 的 最 大 允 許 耗 散 功 率 PCM = 500 mW， 集 電 極

5、 最 大 允 許 電 流 ICM = 500 mA， 在 實 際 應(yīng) 用 線 路 中 測 得 它 的 集 電 極 電 流 IC =100 mA，UCE = 6 V， 其 后果 為 （ A ）。 (a) 該 管 應(yīng) 過 熱 而 損 壞 (b) 該 管 可 長 期 安 全 工 作 (c) 該 管 可 安 全 工 作、但 將 下 降 41100 已 知 某 晶 體 管 的 ICEO 為 200 ， 當(dāng) 基 極 電 流 為 20 時， 集 電 極 電 流 為1mA，則 該 管 的 ICBO 約 等 于 （ C ）。 (a) 8 mA (b) 10 mA (c) 5 (d) 20 43104在 計 算

6、低 頻 小 功 率 晶 體 管 輸 入 電 阻 rbe 時， 有 三 位 同 學(xué) 用 了 三 種 方 法， 而 且 計 算 結(jié) 果 差 別 很 大， 請 指 出 正 確 的 表 達 式 是 （ C ）。 50123某 場 效 應(yīng) 管 的 漏 極 特 性 曲 線 如 圖 所 示， 則 該 場 效 應(yīng) 管 為 （ B ）。 (a) P 溝 道 耗 盡 型 MOS 管 (b) N 溝 道 增 強 型 MOS 管 (c) P 溝 道 增 強 型 MOS 管 (d) N 溝 道 耗 盡 型 MOS 管 51124 圖 示 為 場 效 應(yīng) 管 的 轉(zhuǎn) 移 特 性 和 漏 極 特 性 曲 線 ， 由 此 可

7、 判 斷 該 場 效 應(yīng) 管 為 （ C ）。 (a) 絕 緣 柵 N 溝 道 耗 盡 型 (b) 絕 緣 柵 P 溝 道 耗 盡 型 (c) 絕 緣 柵 N 溝 道 增 強 型52130某場效應(yīng)管的轉(zhuǎn)移特性如圖所示 ，則此場效應(yīng)管為（ A ）。 (a) 絕 緣 柵 N 溝 道 耗 盡 型 (b) 絕 緣 柵 P 溝 道 耗 盡 型 (c) 絕 緣 柵 N 溝 道 增 強 型54135 某絕緣柵場效應(yīng)管的符號如圖所示，則該絕緣柵場效應(yīng)管應(yīng)為（ C ）。(a) N 溝 道 增 強 型(b) N 溝 道 耗 盡 型 (c) P 溝 道 耗 盡 型561072電路如圖所示，試分析當(dāng) 時，哪些二極管導(dǎo)

8、通？ 當(dāng)VI = 0V時，哪些二極管導(dǎo)通（寫出分析過程并設(shè)二極管正向壓降為0.7V）。第十五章 基本放大電路20146下 列 各 電 路 中 能 實 現(xiàn) 交 流 電 壓 放 大 的 是 圖（ B ）。80167固定偏置單管交流放大電路的靜態(tài)工作點 Q 如下圖所示 ， 當(dāng)溫度升高時工作 點 Q 將 ( B )。 (a) 不改變 (b) 向 Q 移動 (c)向 Q移動 90168單管放大電路如圖所示，其交直流負載的正確畫法是圖 2 中的 ( A )。110180如圖所示的放大電路 ( B )。 (a) 能穩(wěn)定靜態(tài)工作點 ( b ) 不 能 穩(wěn) 定 靜 態(tài) 工 作 點 (b) 不僅能穩(wěn)定靜態(tài)工作點且

9、效果比接有射極電阻時更好。 12081120181如圖所示的放大電路（ C ）。 (a) 不能穩(wěn)定靜態(tài)工作點。 (b) 能穩(wěn)定靜態(tài)工作點，但比無二極管 D 的 電 路 效 果 要 差 。 (c) 能穩(wěn)定靜態(tài)工作點且效果比無二極管 D 的 電 路 更 好 130183分壓式偏置單管放大電路的發(fā)射極旁路電容CE 因損壞而斷開，則該電路的電壓放大倍數(shù)將 ( B )。 (a) 增大 (b)減小 (c) 不變 140185兩級共射阻容耦合放大電路，若將第二級換成射極輸出器，則第一級的電壓放大倍數(shù)將( A )。 (a) 提高 (b) 降低 (c) 不變 15.D 16.A170191射極輸出器的輸入輸出公

10、共端是 ( A )。 ( a ) 集電極 ( b ) 發(fā)射極 ( c ) 基極 180196電路如圖所示，電阻 R E 引入的反饋為 ( A )。 ( a )串聯(lián)電壓負反饋 ( b )串聯(lián)電流負反饋 ( c )并聯(lián)電壓負反饋 ( d )串聯(lián)電壓正反饋 220205 串聯(lián)電壓負反饋放大電路中，若將反饋深度增加 ，則該電路的輸出電阻將( A )。 (a) 減小 (b) 增 加 (c) 不變 250218 兩級阻容耦合放大電路中，第一級的輸出電阻是第二級的( B )。 (a) 輸入電阻 (b) 信號源內(nèi)阻 ( c ) 負載電阻 260220將單管放大電路的靜態(tài)基極電流I B適當(dāng)調(diào)大，將集電極電阻R

11、C的阻值適當(dāng)調(diào)小，則該放大電路的通頻帶將 ( A )。 (a) 變得更寬 (b) 變得更窄 (c) 無 任 何 變 化 270222 阻容耦合放大電路在高頻段電壓放大倍數(shù)下降的原因是( B )。 (a) 耦合電容的影響 (b) 晶體管的結(jié)電容和導(dǎo)線的分布電容的存在以及電流放大系數(shù) 的下降(c) 發(fā)射極旁路電容的影響 300224 為了放大變化緩慢的信號或直流信號，多極放大器級與級之間必須采用( C )。 ( a ) 阻容耦合 ( b ) 變壓器耦合 ( c ) 直接耦合 310226 在多級直接耦合放大電路中，導(dǎo)致零點漂移最為嚴重的是( A )。 (a) 第一級的漂移 (b) 中間級漂移 (c

12、) 末 級 漂 移 320228在直接耦合放大電路中，采用差動式電路結(jié)構(gòu)的主要目的是 ( B )。 (a)提高電壓放大倍數(shù) (b) 抑制零點漂移 (c)提高帶負載能力 330236 雙端輸出電路對稱的差動放大電路，對共模輸入信號的電壓放大倍數(shù)近似等于( A )。 ( a ) 零 ( b) 無窮大 ( c )一個管子的電壓放大倍數(shù) 340253功率放大電路通常工作在 ( A )。 (a)大信號狀態(tài) (b)小信號狀態(tài) (c)脈沖信號狀態(tài) 350280 場效應(yīng)管放大電路如下圖所示，靜態(tài)時該電路的柵極電位UG 等于( )。 第十六章 集成運算放大器10283集成運放級間耦合方式是( B ) 。 (a)

13、 變壓器耦合 (b) 直接耦合 (c) 阻容耦合30295 理想運算器的共模抑制比為 ( C )。 (a) 零 (b) 約120 dB (c) 無窮大40300 同相輸入比例運算放大器電路中的反饋極性和類型屬于（ D ）。 (a) 正反饋 (b) 串聯(lián)電流負反饋 (c) 并聯(lián)電壓負反饋 (d) 串聯(lián)電壓負反饋70321在運算放大器電路中，引入深度負反饋的目的之一是使運放( B ) ?(a) 工作在線性區(qū)，降低穩(wěn)定性 (b) 工作在非線性區(qū)，提高穩(wěn)定性 (c) 工作在線性區(qū)，提高穩(wěn)定性80314 電路如圖所示，當(dāng)RF減小時，放大電路的（ B ）。 (a) 頻帶變寬，穩(wěn)定性降低 (b) 頻帶變寬，

14、穩(wěn)定性提高(c) 頻帶變窄，穩(wěn)定性降低 (d) 頻帶變窄，穩(wěn)定性提高90324 電路如圖所示， 反相比例運算電路的輸入電阻 ri1 與同相比例運算電路的輸入 電阻 ri2 相比較 ( B ) A ? (a) ri1 大于ri 2 ( b) ri1 小于 ri2 (c) ri1 等于 ri2140365 電路如圖所示，該電路為 ( B )。 (a) 加法運算電路 (b) 減法運算電路 (c) 比例運算電路 150380 電路如圖所示，該電路為 ( B )。 (a) 積 分 運 算電 路 (b) 微分運算電路 (c) 比 例 積 分運 算 電 路210432 圖示 運放電路雙向穩(wěn)壓管 DZ 的穩(wěn)定

15、電壓為 UZ，且 UZ 值小于運放的飽和電壓值 UO(sat)，當(dāng) uiuR 時， uO 等于 ( C )。 (a) 零 (b) +UZ (c) UZ241182 試分別用一片單運算放大器連接成符合要求的應(yīng)用電路:(1) 串聯(lián)電壓負反饋放大電路 Au = 10 ，(2) 并聯(lián)電流負反饋放大電路 。381303 電路如圖所示,求輸出電壓Uo與 輸入電壓Ui之間關(guān)系的微分方程。6. C 7. C 8.CB電感式三點振蕩電路頻率20489如圖電容C2遠大于C和C1，其中滿足自激振蕩相位條件的是下列圖中C 第十八章 直流穩(wěn)壓電源第一章 第六章 磁路與鐵心線圈電路第十章 繼電接觸器控制系統(tǒng)13 請 分 析 圖 示 電 路 的 控 制 功 能，并 說 明 電 路 的 工 作 過 程。11(1) 元 器 件 名 稱 SBstp停 止 銨 鈕