《第二節(jié)《金屬晶體與離子晶體》學(xué)案答案》由會(huì)員分享，可在線閱讀，更多相關(guān)《第二節(jié)《金屬晶體與離子晶體》學(xué)案答案（8頁(yè)珍藏版）》請(qǐng)?jiān)谘b配圖網(wǎng)上搜索。

1、第2節(jié) 金屬晶體與離子晶體 （第1課時(shí)） 班級(jí) 姓名 【學(xué)習(xí)目標(biāo)】 1、 認(rèn)識(shí)金屬晶體中微粒間的堆積方式。 2、 從化學(xué)鍵和堆積方式這兩個(gè)角度認(rèn)識(shí)金屬晶體的延展性。 【學(xué)習(xí)重難點(diǎn)】 重點(diǎn)：金屬晶體的堆積方式 難點(diǎn)：金屬晶體的堆積方式 【學(xué)案導(dǎo)學(xué)過(guò)程】 探究?jī)?nèi)容 原理規(guī)律方法 1、金屬晶體的概念 構(gòu)成微粒： 2、金屬晶體基本構(gòu)型 S 除了最密堆積外，還存在什么樣的 堆積型式？（觀察左圖） 這種堆積方式有什么特點(diǎn)？那種 金屬是這種堆積方式？ c ) 左圖是a2型密堆積的晶胞，此晶胞 中有多少個(gè)微粒？ 常見金屬晶體的三種堆積型式 堆積方

2、式 晶胞類 型 空間利用率 配位 數(shù) 實(shí)例 體心立方密堆積 （） 六方最密堆積（） 面心立方最密堆積 （） 3、金屬晶體的物理性質(zhì) 金屬晶體的熔點(diǎn)變化的規(guī)律 （1）金屬晶體熔點(diǎn)變化差別較大。 （這是因?yàn)榻饘倬w緊密堆積方式不同。） 如何解釋金屬晶體的這些性質(zhì)？ 比較第一主族金屬熔點(diǎn)的高低 （由高到低）： （2）一般來(lái)說(shuō)（同類型的金屬晶體），其熔點(diǎn)由金 屬陽(yáng)離子半徑、離子所帶電荷數(shù)決定。 即：陽(yáng)離子半徑越小，所帶電荷數(shù)越多，熔點(diǎn)越高。 比較Na、Mg、Al熔點(diǎn)的高低（由 高到低）： 【當(dāng)堂檢測(cè)】 【基

3、礎(chǔ)達(dá)標(biāo)】 1. 金屬晶體的形成原因是因?yàn)榫w中存在 （C ） ①金屬原子 ②金屬陽(yáng)離子 ③自由電子 ④陰離子 A. 只有① B.只有③ C.②③ D.②④ 2. 在單質(zhì)的晶體中一定不存在的微粒是 （C） A.原子 B.分子 C.陰離子 D.陽(yáng)離子 3. 金屬能導(dǎo)電的原因是 （B ） A. 金屬晶體中金屬陽(yáng)離子與自由電子間的相互作用較弱 B. 金屬晶體中的自由電子在外加電場(chǎng)作用下發(fā)生定向移動(dòng) C. 金屬晶體中的金屬陽(yáng)離子在外加電場(chǎng)作用下可發(fā)生定向移動(dòng) D. 金屬晶體在外加電場(chǎng)作用下可失去電子 4. 下列金屬的晶體結(jié)構(gòu)類型都屬于面心立方最密堆積&型的是 （C ） A

4、. Li、 Na、 Mg、 Ca B. Li、 Na、 K、 Rb C. Ca、 Pt、 Cu、 Au D. Be、 Mg、 Ca、 Zn 【綜合提高】 5. 下列金屬的密堆積方式，對(duì)應(yīng)晶胞都正確的是 （D ） A. Na、A1、體心立方 B. Mg、禹、六方 C. Ca、A3、面心立方 D. Au、&、面心立方 第2節(jié) 金屬晶體與離子晶體 （第2課時(shí)） 班級(jí) 姓名 【學(xué)習(xí)目標(biāo)】 1、 認(rèn)識(shí)離子晶體中微粒間的堆積方式。 2、 從化學(xué)鍵和堆積方式這兩個(gè)角度認(rèn)識(shí)離子晶體熔點(diǎn)、沸點(diǎn)和硬度等性質(zhì)的特點(diǎn)。 【學(xué)習(xí)重難點(diǎn)】 重點(diǎn)：離子晶體的堆積方式 難點(diǎn)：離子晶體的堆積方式

5、 【學(xué)案導(dǎo)學(xué)過(guò)程】 探究?jī)?nèi)容 原理規(guī)律方法 1、離子晶體的概念： 構(gòu)成微粒： 2、離子晶體的空間構(gòu)型 （1） NaCl 型 NaCl晶體結(jié)構(gòu)示意圖 （2） CsCl 型 觀察左圖，回答下列問(wèn)題： 1、 NaCl晶胞中Na+、Cl-的數(shù)目是多少？其化 學(xué)式表示什么？ 2、 在每個(gè)Na+周圍與它最近的且距離相等的 Na+有 個(gè)。 3、CsCl晶胞中Cs+、Cl-的數(shù)目是多少？其化 學(xué)式表示什么? 4、在每個(gè)Cs+周圍與它最近的且距離相等的 【當(dāng)堂檢測(cè)】 CsCl晶體結(jié)構(gòu)示意圖 ZnS型 5、每個(gè)晶胞中有 離子向酊四 晶晶能侗皿1 Fail

6、 我 S：1 290 ■:C t'a： 311 制 任2 鄴 205 戔9。 2:C0 【基礎(chǔ)達(dá)標(biāo)】 1. 離子晶體熔點(diǎn)高低決定于陰陽(yáng)離子的核間距離.晶格能的大小，據(jù)所學(xué)知識(shí)， 判斷KCl、NaCl、CaO、BaO四種晶體熔點(diǎn)的高低順序是 （D ） A. KCl>NaCl>BaO>CaO B. NaCl>KCl>CaO>BaO C.CaO>BaO>KCl>NaCl D. CaO>BaO>NaCl>KCl （A ） B.都含有離子 D.都可采取“緊密堆 （B） D.MgO 2. 氧化鈣在2973K時(shí)熔化，而氯化鈉在

7、1074K時(shí)熔化，兩者的離子間距離和晶 體結(jié)構(gòu)都類似，有關(guān)它們?nèi)埸c(diǎn)差別較大的原因敘述不正確的是 （C ） A. 氧化鈣晶體中陰陽(yáng)離子所帶的電荷數(shù)多 B. 氧化鈣的晶格能比氯化鈉的晶格能大 C. 氧化鈣晶體的結(jié)構(gòu)類型和氯化鈉的結(jié)構(gòu)類型不同 D. 氧化鈣與氯化鈉的離子間距類似的情況下，晶格能主要由陰陽(yáng)離子所帶 電荷多少?zèng)Q定 3. 下列關(guān)于金屬晶體和離子晶體的說(shuō)法，錯(cuò)誤的是 A.受外力作用時(shí)都易發(fā)生形變而破裂 C. 一般都具有較高的熔點(diǎn)和沸點(diǎn) 積”結(jié)構(gòu) 4. 下列離子晶體中,熔點(diǎn)最低的是 A.NaCl B.KCl C.CaO 【綜合提高】 5. 堿金屬和鹵素形成的化合物大多具有的性質(zhì)是（B ） ①固態(tài)時(shí)不導(dǎo)電，熔化狀態(tài)導(dǎo)電②能溶于水，其水溶液導(dǎo)電③低熔點(diǎn)④高沸點(diǎn) ⑤易升華 A.①②③ B.①②④ C.①④⑤ D.②③④