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長風破浪會有時積極發(fā)展國內微電子封裝業(yè)

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1、長風破浪會有時積極發(fā)展國內微電子封裝業(yè)微電子器泮是由芯片和封裝通過封裝工藝組合而成,因此,封裝是微電子器件的兩1-基本組成部分之一,封裝為芯片提供信號和電源的互連,提供散熱通路和機械、環(huán)境猓護。隨著微電子技術的發(fā)展,微電子器件的高頻性能、熱性能、可靠性和成本等越來越受封裝性能的制約。因此,封裝對于器件相當于人的皮膚、手腳對于本,是人體的基本組成部分,而不是過去人們所說的衣服對于人的作用,因為衣服對于人來說主要是環(huán)境保護(冷熱風雨)和裝飾。這點更可從MPU(微處理器)和ASIC(專用集成電路)的發(fā)展中看出,對于MPU幾乎是一代新產(chǎn)品需要一種新封裝。早期的MPU如8086,引出端數(shù)為40,可以用D

2、IP(雙列直插式封裝到386時,引線數(shù)為80,就需要用PGA(針柵陣列)。當發(fā)展到586時,引線數(shù)為377,又要闬于便攜式計算機,則只能用BGA(焊球陣列)了。由此可知,封裝業(yè)必須和管芯制造業(yè)(圓片制造業(yè))同步發(fā)展。我國應積極地發(fā)展微電子封裝業(yè)圓片加工是成批進行,而封裝則需對管芯逐個地加工。如一個6英寸、月投10000片,成品率為94%的圓片加工廠,若其管芯面積平均為3mm-,則將年產(chǎn)管芯6億個左右。這樣,一圓片加工廠就需年產(chǎn)2億彳、管芯的封裝廠3侖,或年封1C3億個的封裝廠2個予以支撐。因此,若國內要建10條左右另外,一個圓片制造廠(cp8英寸,特怔尺寸矣0.25(01)的投資需10多億美元

3、,它所需要的支撐技術和設備要求高。而一個封裝廠的投資一般為5000萬到1億美元,投資額比圓片制造廠小得多,建設快,投資回收快。而封裝中的多數(shù)工序如粘片、引線鍵合等都是逐個進行的,所需勞動力和場地多。無論NEC、三菱或摩托羅拉在中國投資的集成電路廠都是從封裝廠開始的。臺灣和東南亞地區(qū)發(fā)展微電子產(chǎn)業(yè)也都是以封裝廠開始積累資金的。因此,從投資策略上應從1C封裝廠開始。國內如蘇州開發(fā)區(qū)、寧波開發(fā)區(qū)、上海浦東開發(fā)區(qū)都特別重視集成電路封裝業(yè)的發(fā)展,寧波市還專門成立了微電子封裝開發(fā)區(qū)。集成電路封裝業(yè)的發(fā)展,還可促進1C設計業(yè)的發(fā)展和帶動一批1C封裝業(yè)的支撐行業(yè)。如果我們設計的集成電路,國內不能生產(chǎn)出圓片或國

4、內不能封裝,都要拿到國外去加工,這會使研制周期加長,利潤減少。封裝業(yè)的發(fā)展還可帶動模塑料、引線框架、金絲、粘接劑、模具及封裝設備等制造業(yè),而這些行業(yè)在國內都是有一定基礎的。京津地區(qū)、長江三角洲和珠江三角洲地區(qū)發(fā)展對外加工型的封裝業(yè)也十分有利。因為微電子封裝所用的芯片和封裝后的成品一般體積都很小,而目前國際上有些芯片的封裝加工周期,從圓片入境到封裝、測試分類后包裝出口一般只有4872小時。因此,要求國際交通方便,進出關時間短。前述地區(qū)的交通有較好的保證。另外,相對于芯片制造業(yè),封裝業(yè)環(huán)猓處理投資較少,這對于上述人口密集地區(qū)也是有利的。國內現(xiàn)有的封裝技術基礎較好,封裝技術和封裝設備的生命周期也相對

5、比前工序的長,投資風險也相對較少。因而我國應積極發(fā)展微電子封裝業(yè)。早期的封裝發(fā)展主要受軍工和宇航需要的驅動,經(jīng)費以政府和軍方的資助為主;目前封裝的發(fā)展主要是由商品市場的需求推動與各公司出資為主。在中國的經(jīng)營主體過去是國營工廠,目前已轉變?yōu)橥赓Y獨資、合資、私營、國營同時存在,但已以外資、合資和私營為主。在經(jīng)營模式上,過去的微電子企業(yè)是綜合式的,小而全或大而全,從設計、圓片制造、封裝測試樣樣俱全;目前多數(shù)已分離成設計、圓片制造和封裝測試三業(yè)鼎立,封裝已成為獨立的微電子產(chǎn)業(yè)。各類封裝在封裝總量中所占的份額(%)隨時間的變化如表6所示。由該表可知,通孔插入式封裝DIP的份額在不斷減少。SOP的份額近五

6、年內將穩(wěn)定在55%以上,再加上QFP、BGA、CSP和“其他”中的PLCC等,表面安裝封裝CSMP)占80%以上;BGA和CSP雖增長率很大,但因基數(shù)低,所占份額并不大。由于中國是世界上最大的消費類電子信息產(chǎn)品的生產(chǎn)國之一,因此也是最大的消費類微電子產(chǎn)品的消耗國之一,有人估計我國的集成電路消粍量約占世界總產(chǎn)量的20%以上,而這些電路的自給率很低。雖然2000年中國封裝了58.8乙塊1C,比1999年的41.5億塊增面陣列式器件如BGA、CSP的出現(xiàn)在一定程度上緩解了間距不斷變小在時間上的應力,但在未來,器件的引腳間距仍肯定繼續(xù)朝著不斷減小的方向發(fā)展,因而在未來,導電肢仍將是錫鉛焊接材料的一個強

7、有力的競爭者。高密度基板技術隨著電子系統(tǒng)不斷向高密度、高速度方向發(fā)展,現(xiàn)有基板制備技術已經(jīng)無法滿足技術要求,高密度基板技術應運而生。高密度基板的典型要求如下:線寬/線距:75/75微米焊盤尺寸:150-200微米微通孔尺寸:200微米傳統(tǒng)基板制備技術顯然無法達到這樣的要求。在通孔方面,現(xiàn)已經(jīng)發(fā)展出激光鉆孔、光掩模腐蝕等通孔技術,且這三種技術都獲得了一定程度的產(chǎn)業(yè)應用。目前高密度基板技術在數(shù)字攝像機、通訊和計算機等領域已獲得了相當程度的應用,且應用范圍正不斷擴大。與此同時為進一步提高系統(tǒng)的密度,將被動元器件集成于基板制造過程中的技術也已經(jīng)步入研究開發(fā)階段,在不久的將來有望在一定的范圍內獲得市場應用??偨Y電子封裝、組裝的發(fā)展主要可以概括為高密度、高速度、和環(huán)保。在器件封裝方面,BGA、CSP和倒裝焊接技術將是未來10年內的發(fā)展主流?;宸矫?,高密度基板的市場占有率將穩(wěn)步提高,集成了被動元器件的高密度基板有望在某些領域進入市場。在基板互連方面,無銘焊接估計會很快進入市場,但無鉛焊接和傳統(tǒng)共晶錫鉛焊料預計會在較長的時間內處于共存狀態(tài)。中國的封裝、組裝業(yè)正處于高速發(fā)展階段,且已經(jīng)初具規(guī)模。在此情況下,通過加強電子封裝、組裝領域的研究開發(fā),增強研究、服務機構和產(chǎn)業(yè)之間的交流和協(xié)作,必定可以極大地推動中國的封裝、組裝業(yè)的迅速發(fā)展,完成產(chǎn)業(yè)從量向質的轉變。

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