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1、半導(dǎo)體薄片置于磁感應(yīng)強(qiáng)度為 B 的磁場(chǎng)中，磁場(chǎng)方向垂直于薄片，如圖所示。當(dāng)有電流 I 流過(guò)薄片時(shí)，在垂直于電流和磁場(chǎng)的方向上將產(chǎn)生電動(dòng)勢(shì) EH ，這種現(xiàn)象稱(chēng)為霍爾效應(yīng)，該電動(dòng)勢(shì)稱(chēng)為霍爾電勢(shì)，上述半導(dǎo)體薄片稱(chēng)為霍爾元件。 原理簡(jiǎn)述如下：激勵(lì)電流 I 從 a 、 b 端流入，磁場(chǎng) B 由正上方作用于薄片，這時(shí)電子 e 的運(yùn)動(dòng)方向與電流方向相反，將受到洛侖茲力 FL 的作用，向內(nèi)側(cè)偏移，該側(cè)形成電子的堆積，從而在薄片的 c 、 d 方向產(chǎn)生電場(chǎng) E 。電子積累得越多， FE 也越大，在半導(dǎo)體薄片 c 、 d 方向的端面之間建立的電動(dòng)勢(shì) EH 就是霍爾電勢(shì)。 由圖可以看出，流入激勵(lì)電流端的電流 I 越

2、大、作用在薄片上的磁場(chǎng)強(qiáng)度 B 越強(qiáng)，霍爾電勢(shì)也就越高。磁場(chǎng)方向相反，霍爾電勢(shì)的方向也隨之改變，因此霍爾傳感器能用于測(cè)量靜態(tài)磁場(chǎng)或交變磁場(chǎng)。 半導(dǎo)體薄片置于磁感應(yīng)強(qiáng)度為 B 的磁場(chǎng)中，磁場(chǎng)方向垂直于薄片，如圖所示。當(dāng)有電流 I 流過(guò)薄片時(shí)，在垂直于電流和磁場(chǎng)的方向上將產(chǎn)生電動(dòng)勢(shì) EH ，這種現(xiàn)象稱(chēng)為霍爾效應(yīng)，該電動(dòng)勢(shì)稱(chēng)為霍爾電勢(shì)，上述半導(dǎo)體薄片稱(chēng)為霍爾元件。 原理簡(jiǎn)述如下：激勵(lì)電流 I 從 a 、 b 端流入，磁場(chǎng) B 由正上方作用于薄片，這時(shí)電子 e 的運(yùn)動(dòng)方向與電流方向相反，將受到洛侖茲力 FL 的作用，向內(nèi)側(cè)偏移，該側(cè)形成電子的堆積，從而在薄片的 c 、 d 方向產(chǎn)生電場(chǎng) E 。電子積累得越多， FE 也越大，在半導(dǎo)體薄片 c 、 d 方向的端面之間建立的電動(dòng)勢(shì) EH 就是霍爾電勢(shì)。 由圖可以看出，流入激勵(lì)電流端的電流 I 越大、作用在薄片上的磁場(chǎng)強(qiáng)度 B 越強(qiáng)，霍爾電勢(shì)也就越高。磁場(chǎng)方向相反，霍爾電勢(shì)的方向也隨之改變，因此霍爾傳感器能用于測(cè)量靜態(tài)磁場(chǎng)或交變磁場(chǎng)。