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高中化學(xué) 第3章 物質(zhì)的聚集狀態(tài)與物質(zhì)性質(zhì) 第2節(jié) 金屬晶體與離子晶體 第2課時(shí)學(xué)案 魯科版選修3

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《高中化學(xué) 第3章 物質(zhì)的聚集狀態(tài)與物質(zhì)性質(zhì) 第2節(jié) 金屬晶體與離子晶體 第2課時(shí)學(xué)案 魯科版選修3》由會(huì)員分享,可在線閱讀,更多相關(guān)《高中化學(xué) 第3章 物質(zhì)的聚集狀態(tài)與物質(zhì)性質(zhì) 第2節(jié) 金屬晶體與離子晶體 第2課時(shí)學(xué)案 魯科版選修3(13頁(yè)珍藏版)》請(qǐng)?jiān)谘b配圖網(wǎng)上搜索。

1、 第2課時(shí) 離子晶體 [學(xué)習(xí)目標(biāo)定位] 1.理解離子鍵、離子晶體的概念,知道離子晶體類(lèi)型與其性質(zhì)的聯(lián)系。2.認(rèn)識(shí)晶格能的概念和意義,能根據(jù)晶格能的大小,分析晶體的性質(zhì)。 一、離子晶體及其結(jié)構(gòu)模型 1.概念及結(jié)構(gòu)特點(diǎn) (1)概念:陰、陽(yáng)離子通過(guò)離子鍵結(jié)合而形成的晶體。 (2)結(jié)構(gòu)特點(diǎn): ①構(gòu)成微粒:陰離子和陽(yáng)離子,離子晶體中不存在單個(gè)分子。 ②微粒間的作用力:離子鍵。 2.典型離子晶體的結(jié)構(gòu)模型 (1)觀察分析表中AB型離子晶體的結(jié)構(gòu)模型,填寫(xiě)下表: 晶體結(jié)構(gòu) 模型 配位數(shù) Cl-和Na+配位數(shù)都為6 Cl-和Cs+配位數(shù)都為8 Zn2+和S2-配

2、位數(shù)都為4 晶胞中 微粒數(shù) Na+、Cl-都為4 Cs+、Cl-都為1 Zn2+、S2-都為4 陰、陽(yáng)離子個(gè)數(shù)比 1∶1 1∶1 1∶1 化學(xué)式 NaCl CsCl ZnS 符合類(lèi)型 Li、Na、K、Rb的鹵化物, AgF、MgO等 CsBr、CsI、 NH4Cl等 BeO、BeS等 (2)觀察CaF2晶體的晶胞示意圖,回答下列問(wèn)題: ①該晶胞中含有的Ca2+數(shù)目是4,F(xiàn)-數(shù)目是8。 ②Ca2+的配位數(shù)是8,F(xiàn)-的配位數(shù)是4。 (1)離子鍵無(wú)方向性和飽和性,在離子晶體中陰、陽(yáng)離子與異電性離子接觸盡可能采用最密堆積,可以看作是不等徑圓球密

3、堆積。 (2)影響離子晶體配位數(shù)的因素 ①離子半徑因素:值的不同,晶體中離子的配位數(shù)不同,其晶體結(jié)構(gòu)不同。數(shù)值越大,離子的配位數(shù)越多。 ②電荷因素: AB型離子晶體的陰、陽(yáng)離子的配位數(shù)相等;ABn型A、B離子的配位數(shù)比值為n∶1。如CaF2中Ca2+的配位數(shù)是8,F(xiàn)-的配位數(shù)是4。 例1 下列說(shuō)法中正確的是(  ) A.固態(tài)能導(dǎo)電的晶體一定是金屬晶體 B.固態(tài)不能導(dǎo)電,水溶液能導(dǎo)電的晶體一定是離子晶體 C.熔融狀態(tài)能導(dǎo)電的晶體一定是離子晶體 D.固態(tài)不導(dǎo)電而熔融態(tài)能導(dǎo)電的晶體一定是離子晶體 答案 D 解析 固態(tài)時(shí)能導(dǎo)電的晶體不一定是金屬晶體,如硅和石墨等不是金屬晶體,A不正

4、確;固態(tài)不能導(dǎo)電,水溶液能導(dǎo)電的晶體不一定是離子晶體,如P2O5等不是離子晶體,B不正確;金屬熔融狀態(tài)也能導(dǎo)電,C不正確;離子晶體是陰、陽(yáng)離子組成的,固態(tài)時(shí)陰、陽(yáng)離子不能自由移動(dòng),不導(dǎo)電,熔融狀態(tài)時(shí)電離出自由移動(dòng)的離子而導(dǎo)電。 方法規(guī)律——離子晶體的判斷方法 (1)依據(jù)組成晶體的微粒和微粒間的作用力判斷。 (2)依據(jù)物質(zhì)類(lèi)別判斷?;顫娊饘傺趸铮瑥?qiáng)堿和絕大多數(shù)鹽類(lèi)是離子晶體。 (3)依據(jù)導(dǎo)電性判斷。離子晶體溶于水和熔融狀態(tài)下均導(dǎo)電。 (4)依據(jù)熔、沸點(diǎn)和溶解性判斷。離子晶體熔、沸點(diǎn)較高,多數(shù)能溶于水,難溶于有機(jī)溶劑。 例2 一種離子晶體的晶胞如圖所示。其中陽(yáng)離子A以表示,陰離子B以

5、表示。關(guān)于該離子晶體的說(shuō)法正確的是(  ) A.陽(yáng)離子的配位數(shù)為8,化學(xué)式為AB B.陰離子的配位數(shù)為4,化學(xué)式為A2B C.每個(gè)晶胞中含4個(gè)A D.每個(gè)A周?chē)?個(gè)與它等距且最近的A 答案 C 解析 用均攤法可知,晶胞中含有陽(yáng)離子數(shù)為8×+6×=4;陰離子顯然是8個(gè),故化學(xué)式為AB2,A、B項(xiàng)錯(cuò)誤;每個(gè)A周?chē)c它等距且最近的A有12個(gè)(類(lèi)似于干冰晶體),D項(xiàng)錯(cuò)誤。 二、晶格能 1.晶格能是指將1_mol離子晶體中的陰、陽(yáng)離子完全氣化而遠(yuǎn)離所吸收的能量。 (1)吸收的能量越多,晶格能越大,表示離子鍵越強(qiáng),離子晶體越穩(wěn)定。 (2)晶格能通常取正值,單位

6、:kJ·mol-1。 2.觀察分析下表,回答下列問(wèn)題(已知MgO、NaBr與NaCl晶體結(jié)構(gòu)相似): 離子化合物 NaBr NaCl MgO 離子電荷數(shù) 1 1 2 核間距/pm 290 276 205 晶格能/kJ·mol-1 736 787 3 890 熔點(diǎn)/℃ 750 801 2 800 摩氏硬度 <2.5 2.5 6.5 (1)影響晶格能大小的因素有哪些? 答案 影響晶格能的因素:離子所帶的電荷數(shù)和陰、陽(yáng)離子間的距離。晶格能與離子所帶電荷數(shù)的乘積成正比,與陰、陽(yáng)離子間的距離成反比。 (2)晶格能與晶體

7、的熔點(diǎn)、硬度有怎樣的關(guān)系? 答案 結(jié)構(gòu)相似的離子晶體,晶格能越大,形成的離子晶體越穩(wěn)定,晶體的熔、沸點(diǎn)越高,硬度越大。 (3)根據(jù)離子晶體的形成,推測(cè)離子晶體具有怎樣的特性? 答案 離子晶體是由陰、陽(yáng)離子通過(guò)較強(qiáng)的離子鍵而形成的,所以離子晶體具有較高的熔、沸點(diǎn),難揮發(fā),硬度較大,離子晶體不導(dǎo)電,熔化或溶于水后能導(dǎo)電。大多數(shù)離子晶體能溶于水,難溶于有機(jī)溶劑。  影響離子鍵強(qiáng)度的因素 (1)離子電荷數(shù)的影響:電荷數(shù)越多,晶格能越大,離子鍵越牢固,離子晶體的熔點(diǎn)越高、硬度越大。 (2)離子半徑的影響:半徑越大,導(dǎo)致離子核間距越大,晶格能越小,離子鍵越易斷裂,離子晶體的熔點(diǎn)越低、硬度越

8、小。 例3 根據(jù)表格數(shù)據(jù)回答下列有關(guān)問(wèn)題: (1)已知NaBr、NaCl、MgO等離子晶體的核間距離和晶格能如下表所示: NaBr NaCl MgO 離子的核間距/pm 290 276 205 晶格能/kJ·mol-1 787 3 890 ①NaBr晶體比NaCl晶體晶格能____(填“大”或“小”),主要原因是__________________ ________________________________________________________________________。 ②MgO晶體比NaCl晶體晶格能大,主要原因是_

9、____________________________________ ________________________________________________________________________。 ③NaBr、NaCl和MgO晶體中,熔點(diǎn)最高的是________。 (2)Cu2O的熔點(diǎn)比Cu2S的_________(填“高”或“低”),請(qǐng)解釋原因:________________________________________________________________________。 (3)NaF的熔點(diǎn)______(填“>”“<”或“=”)B

10、F的熔點(diǎn),其原因是________________________________________________________________________ ________________________________________________________________________。 答案 (1)①小 NaBr比NaCl離子的核間距大?、谘趸V晶體中的陰、陽(yáng)離子的電荷數(shù)絕對(duì)值大,并且離子的核間距小 ③MgO (2)高 O2-半徑小于S2-的半徑, Cu2O的離子鍵強(qiáng)于Cu2S的離子鍵,所以Cu2O的熔點(diǎn)比Cu2S的高 (3)> 兩者均為離子化合物,且電荷數(shù)均為

11、1,但后者離子半徑大,離子鍵較弱,因此熔點(diǎn)較低 方法規(guī)律  離子晶體結(jié)構(gòu)類(lèi)型相同時(shí),離子所帶電荷數(shù)越多,離子半徑越小,晶格能越大,晶體越穩(wěn)定,熔、沸點(diǎn)越高,硬度越大。 離子晶體 1.僅由下列各組元素所構(gòu)成的化合物,不可能形成離子晶體的是(  ) A.H、O、S B.Na、H、O C.K、Cl、O D.H、N、Cl 答案 A 解析 強(qiáng)堿、活潑金屬氧化物、絕大多數(shù)鹽等是離子晶體。B項(xiàng)如NaOH、C項(xiàng)如KClO、D項(xiàng)如NH4Cl。 2.下列關(guān)于NaCl晶體結(jié)構(gòu)的說(shuō)法中正確的是(  ) A.NaCl晶體中,陰、陽(yáng)離子的配位數(shù)相等 B.NaCl晶體中,每個(gè)Na+周?chē)?/p>

12、1個(gè)Cl- C.NaCl晶胞中的質(zhì)點(diǎn)代表一個(gè)NaCl D.NaCl晶體中存在單個(gè)的NaCl分子 答案 A 解析 氯化鈉晶體中,每個(gè)Na+周?chē)Y(jié)合6個(gè)Cl-,而每個(gè)Cl-周?chē)Y(jié)合6個(gè)Na+;NaCl只表示Na+和Cl-個(gè)數(shù)比為1∶1。 3.一種金屬晶體與一種離子晶體相比較,正確的是(  ) A.金屬晶體一定比離子晶體微粒堆積得更密集 B.金屬晶體一定比離子晶體硬度大 C.金屬晶體一定比離子晶體熔點(diǎn)高 D.金屬晶體固態(tài)時(shí)一定能導(dǎo)電,但離子晶體不能 答案 D 解析 一般來(lái)說(shuō),金屬晶體和離子晶體的微粒堆積方式均為密堆積,但具體到某一種金屬晶體或離子晶體,就很難說(shuō)誰(shuí)的微粒堆積更密集

13、了。離子晶體的熔點(diǎn)和硬度普遍較高;金屬晶體的熔點(diǎn)和硬度有的很高,也有的很低。金屬晶體都有導(dǎo)電性,離子晶體熔融態(tài)時(shí)都能導(dǎo)電,固態(tài)時(shí)不導(dǎo)電。 4.下列關(guān)于晶格能的敘述中正確的是(  ) A.晶格能是氣態(tài)原子形成1 mol離子晶體所釋放的能量 B.晶格能僅與形成晶體的離子半徑有關(guān) C.晶格能是指相鄰的離子間的靜電作用 D.晶格能越大的離子晶體,其熔點(diǎn)越高、硬度越大 答案 D 解析 晶格能是將1 mol離子晶體中的陰、陽(yáng)離子完全氣化而遠(yuǎn)離所吸收的能量,晶格能與離子所帶電荷的乘積成正比,與陰、陽(yáng)離子核間距離成反比。晶格能越大,晶體的熔、沸點(diǎn)越高,硬度也越大,所以D項(xiàng)正確。 5.科學(xué)家通過(guò)

14、X射線證明, MgO、CaO、NiO、FeO的晶體結(jié)構(gòu)與NaCl的晶體結(jié)構(gòu)相似。 (1)某同學(xué)畫(huà)出的MgO晶胞結(jié)構(gòu)示意圖如下圖所示,請(qǐng)改正圖中的錯(cuò)誤____________。 (2)MgO是優(yōu)良的耐高溫材料,MgO的熔點(diǎn)比CaO的高,其原因是_______________________。 (3)Ni2+和Fe2+的離子半徑分別為69 pm和78 pm,則熔點(diǎn)NiO________(填“<”或“>”)FeO,NiO晶胞中Ni和O的配位數(shù)分別為_(kāi)_______、________。 答案 (1)空心球應(yīng)為O2-,實(shí)心球應(yīng)為Mg2+;8號(hào)空心球應(yīng)改為實(shí)心球 (2)Mg2+半徑

15、比Ca2+小,MgO的晶格能大 (3)> 6 6 解析 (1)Mg2+和O2-的半徑是O2->Mg2+,故空心球應(yīng)為O2-,實(shí)心球應(yīng)為Mg2+;圖中應(yīng)該黑白球交替出現(xiàn),故8號(hào)球應(yīng)為實(shí)心球。(2)MgO與CaO的離子電荷數(shù)相同,Mg2+半徑比Ca2+小,MgO晶格能大,熔點(diǎn)高。(3)NiO晶胞與NaCl晶胞相同,所以Ni和O的配位數(shù)都是6,離子半徑Ni2+<Fe2+,晶格能NiO>FeO,所以熔點(diǎn)NiO>FeO。 [對(duì)點(diǎn)訓(xùn)練] 題組1 離子晶體的判斷與物理性質(zhì) 1.離子晶體一般不具有的特征是(  ) A.熔點(diǎn)較高,硬度較大 B.易溶于水而難溶于有機(jī)溶

16、劑 C.固體時(shí)不能導(dǎo)電 D.離子間距離較大,其密度較大 答案 D 解析 離子晶體的結(jié)構(gòu)決定著離子晶體具有一系列特性,這些特性包括A、B、C項(xiàng)所述;離子間的距離取決于離子半徑的大小及晶體的密堆積方式等。 2.下列化學(xué)式表示的物質(zhì)中,屬于離子晶體并且含有非極性共價(jià)鍵的是(  ) A.CaCl2 B.Na2O2 C.N2 D.NH4Cl 答案 B 3.堿金屬和鹵素形成的化合物大多具有的性質(zhì)是(  ) ①固態(tài)時(shí)不導(dǎo)電,熔融狀態(tài)導(dǎo)電?、谀苋苡谒?,其水溶液導(dǎo)電?、鄣腿埸c(diǎn) ④高沸點(diǎn)?、菀咨A A.①②③ B.①②④ C.①④⑤ D.②③④ 答案 B 解析 鹵素與堿金屬

17、形成的化合物大多為典型的離子化合物,具備離子晶體的性質(zhì)。 4.下列性質(zhì)適合于離子晶體的是(  ) A.熔點(diǎn)1 070 ℃,易溶于水,水溶液能導(dǎo)電 B.熔點(diǎn)10.31 ℃,液態(tài)不導(dǎo)電,水溶液能導(dǎo)電 C.能溶于CS2,熔點(diǎn)112.8 ℃,沸點(diǎn)444.6 ℃ D.熔點(diǎn)97.81 ℃,質(zhì)軟,導(dǎo)電,密度0.97 g·cm-3 答案 A 解析 離子晶體在液態(tài)(即熔融態(tài))時(shí)導(dǎo)電, B項(xiàng)不是離子晶體;CS2是非極性溶劑,根據(jù)“相似相溶”的規(guī)律,C項(xiàng)也不是離子晶體;由于離子晶體質(zhì)硬易碎,且固態(tài)時(shí)不導(dǎo)電,所以D項(xiàng)也不是離子晶體。 題組2 離子晶體的晶格能及其與性質(zhì)的關(guān)系 5.離子晶體熔

18、點(diǎn)的高低取決于陰、陽(yáng)離子之間的核間距離和晶格能的大小,根據(jù)所學(xué)知識(shí)判斷KCl、NaCl、CaO、BaO四種晶體熔點(diǎn)的高低順序是(  ) A.KCl>NaCl>BaO>CaO B.NaCl>KCl>CaO>BaO C.CaO>BaO>KCl>NaCl D.CaO>BaO>NaCl>KCl 答案 D 解析 對(duì)于離子晶體來(lái)說(shuō),離子所帶電荷數(shù)越多,陰、陽(yáng)離子間的核間距離越小,晶格能越大,離子鍵越強(qiáng),熔點(diǎn)越高。陽(yáng)離子半徑大小順序?yàn)锽a2+>K+>Ca2+>Na+,陰離子半徑:Cl->O2-,比較可

19、得只有D項(xiàng)正確。 6.下列大小關(guān)系正確的是(  ) A.晶格能:NaCl<NaBr B.硬度:MgO>CaO C.熔點(diǎn):NaI>NaBr D.熔、沸點(diǎn):KCl>NaCl 答案 B 解析 對(duì)于電荷數(shù)相同的離子,半徑越小,離子鍵越強(qiáng),晶格能越大,硬度越大,熔、沸點(diǎn)越高。半徑:Cl-<Br-<I-,Mg2+<Ca2+,K+>Na+,故A、C、D錯(cuò)誤,B正確。 7.已知金屬鈉能與兩種鹵族元素形成化合物Q、P,它們的晶格能分別為923 kJ·mol-1、786 kJ·mol-1,下列有關(guān)說(shuō)法中不正確的是(  ) A.Q的

20、熔點(diǎn)比P的高 B.若P是NaCl,則Q一定是NaF C.Q中成鍵離子核間距較小 D.若P是NaCl,則Q可能是NaBr 答案 D 解析 本題主要涉及晶格能的大小與物質(zhì)性質(zhì)及影響晶格能大小的內(nèi)部因素之間的關(guān)系問(wèn)題,解答時(shí)應(yīng)從晶格能的大小對(duì)物質(zhì)性質(zhì)的影響以及影響晶格能大小的因素等角度進(jìn)行分析。Q的晶格能大于P的晶格能,故Q的熔點(diǎn)比P高,A項(xiàng)正確;因F-的半徑比Cl-的小(其他鹵素離子的半徑比Cl-的大),故NaF的晶格能大于NaCl的,故B項(xiàng)正確,D項(xiàng)錯(cuò)誤;因Q、P中成鍵離子均為一價(jià)離子,電荷數(shù)相同,故晶格能的差異是由成鍵離子核間距決定的,晶格能越大,表明核間距越小,C項(xiàng)正確。 8.堿

21、金屬鹵化物是典型的離子晶體,它們的晶格能與成正比(d0是晶體中最鄰近的異電性離子的核間距)。下列說(shuō)法錯(cuò)誤的是(  ) 晶格能/kJ·mol-1 離子半徑/pm ① LiF LiCl LiBr LiI 1 031 845 807 752 Li+ Na+ K+ 60  95  133 ② NaF NaCl NaBr NaI 915  787  736  686 F- Cl- Br- I- 136 181 195 216 ③ KF KCl KBr KI 812 699 689  632 A.晶格能的大小與離子半徑成反比 B.陽(yáng)離子相同陰離子不同

22、的離子晶體,陰離子半徑越大,晶格能越小 C.陽(yáng)離子不同陰離子相同的離子晶體,陽(yáng)離子半徑越小,晶格能越大 D.金屬鹵化物晶體中,晶格能越小,氧化性越強(qiáng) 答案 D 解析 由表中數(shù)據(jù)可知晶格能的大小與離子半徑成反比,可確定A項(xiàng)正確;由NaF、NaCl、NaBr、NaI晶格能的大小即可確定B項(xiàng)說(shuō)法正確;由LiF、NaF、KF晶格能的大小即可確定C項(xiàng)說(shuō)法正確;表中晶格能最小的金屬鹵化物是碘化物,因還原性F-<Cl-<Br-<I-,可知D項(xiàng)錯(cuò)誤。 題組3 離子晶體結(jié)構(gòu)的考查 9.下列有關(guān)離子晶體的敘述中不正確的是(  ) A.1 mol氯化鈉中有NA個(gè)NaCl分子 B.氯

23、化鈉晶體中,每個(gè)Na+周?chē)嚯x相等的Cl-共有6個(gè) C.氯化銫晶體中,每個(gè)Cs+周?chē)o鄰8個(gè)Cl- D.平均每個(gè)NaCl晶胞中有4個(gè)Na+、4個(gè)Cl- 答案 A 解析 離子晶體采取密堆積方式,氯化鈉晶體中并不存在單獨(dú)的“NaCl分子”,其化學(xué)式僅表示陰、陽(yáng)離子的個(gè)數(shù)比,“NaCl”是化學(xué)式,表示晶體的組成,其他三項(xiàng)根據(jù)晶胞結(jié)構(gòu)判斷,均正確。 10.高溫下,超氧化鉀晶體呈立方體結(jié)構(gòu)。晶體中氧的化合價(jià)可看作部分為0價(jià),部分為-2價(jià)。如圖為超氧化鉀晶體的一個(gè)晶胞(晶體中最小的重復(fù)單元)。下列說(shuō)法正確的是(  ) A.該晶體是體心立方晶胞 B.超氧化鉀的化學(xué)式為KO2,每個(gè)晶胞含有1

24、個(gè)K+和1個(gè)O C.晶胞中與每個(gè)K+距離最近的O有6個(gè) D.晶體中所有原子之間都是以離子鍵結(jié)合 答案 C 解析 根據(jù)題給信息,超氧化鉀晶體是面心立方晶胞,超氧化鉀晶體(KO2)是離子化合物,陰、陽(yáng)離子分別為O、K+,晶體中K+與O以離子鍵相結(jié)合,O中O—O鍵為共價(jià)鍵。作為面心立方晶胞,每個(gè)晶胞中含有4(即8×+×6)個(gè)K+,4(即1+×12)個(gè)O,晶胞中與每個(gè)K+距離最近的O有6個(gè)。 11.在冰晶石(Na3[AlF6])的晶胞中,[AlF6]3-占據(jù)的位置相當(dāng)于NaCl晶胞中Cl-占據(jù)的位置,則冰晶石晶胞中含Na+數(shù)為(  ) A.12個(gè) B.8個(gè)

25、 C.4個(gè) D.3個(gè) 答案 A 解析 NaCl晶胞中Cl-的個(gè)數(shù)為8×+6×=4,由題意知,冰晶石晶胞中[AlF6]3-的個(gè)數(shù)也應(yīng)當(dāng)為4,化學(xué)式Na3[AlF6]中Na+和[AlF6]3-的個(gè)數(shù)比為3∶1,所以冰晶石晶胞中含Na+的個(gè)數(shù)為4×3=12,故選A。 12.有一種藍(lán)色晶體[可表示為MxFey(CN)6],經(jīng)X射線研究發(fā)現(xiàn),它的結(jié)構(gòu)特征是Fe3+和Fe2+互相占據(jù)立方體互不相鄰的頂點(diǎn),而CN-位于立方體棱上。其晶體中陰離子的最小結(jié)構(gòu)單元如圖所示。下列說(shuō)法正確的是(  ) A.該晶體的化學(xué)式為MFe3(CN)6 B.該晶體屬于離子晶體,M

26、呈+1價(jià) C.該晶體屬于離子晶體,M呈+2價(jià) D.晶體中與每個(gè)Fe3+距離最近且等距離的CN-為3個(gè) 答案 B 解析 由題圖可推出,晶體中陰離子的最小結(jié)構(gòu)單元中含F(xiàn)e2+的個(gè)數(shù)為4×=,含F(xiàn)e3+的個(gè)數(shù)也為,CN-的個(gè)數(shù)為12×=3,因此陰離子的化學(xué)式為[Fe2(CN)6]-,則該晶體的化學(xué)式只能為MFe2(CN)6,由陰、陽(yáng)離子形成的晶體為離子晶體,M的化合價(jià)為+1價(jià),故B項(xiàng)正確;由題圖可看出與每個(gè)Fe3+最近且距離相等的CN-為6個(gè)。 13.如圖是氯化銫晶體的晶胞(晶體中最小的重復(fù)結(jié)構(gòu)單元)示意圖,已知晶體中2個(gè)最近的Cs+核間距為a cm,氯化銫(CsCl)

27、的相對(duì)分子質(zhì)量為M,NA為阿伏加德羅常數(shù),則氯化銫晶體的密度為(  ) A. g·cm-3 B. g·cm-3 C. g·cm-3 D. g·cm-3 答案 C 解析 ρ== g·cm-3= g·cm-3。 [綜合強(qiáng)化] 14.ZnS、NaCl、CsCl、CaF2分別代表四種常見(jiàn)的離子晶體結(jié)構(gòu)模型,根據(jù)圖示回答下列問(wèn)題: (1)試寫(xiě)出三種結(jié)構(gòu)分別對(duì)應(yīng)的化學(xué)式:圖甲_________________________________________、 圖乙__________、圖丙__________。在

28、這三種晶體中,每個(gè)陽(yáng)離子周?chē)年庪x子在空間構(gòu)成的幾何構(gòu)型分別為_(kāi)_______________________________________________________________ _______________________________________________________________________________。 (2)在NaCl、CsCl晶體中,每個(gè)Cl-的周?chē)退染嚯x且最近的Cl-分別有________個(gè)。 (3)下圖所示是從NaCl或CsCl晶體結(jié)構(gòu)中分割出來(lái)的部分結(jié)構(gòu)圖,其中屬于從NaCl晶體中分割出來(lái)的結(jié)構(gòu)圖是________(填字母)。

29、 A.Ⅰ和Ⅲ B.Ⅱ和Ⅲ C.Ⅰ和Ⅳ D.只有Ⅳ 答案 (1)CsCl NaCl ZnS 立方體、正八面體、正四面體 (2)12、6 (3)C 解析 在ZnS晶體中,陰、陽(yáng)離子的配位數(shù)都是4,故圖丙表示該晶體結(jié)構(gòu),在Zn2+周?chē)腟2-構(gòu)成正四面體結(jié)構(gòu);在NaCl晶體中,陰、陽(yáng)離子的配位數(shù)都為6,在Na+周?chē)?個(gè)Cl-形成正八面體,由于晶體中Cl-采用A1型堆積,故每個(gè)Cl-周?chē)退染嚯x且最近的Cl-有12個(gè);在CsCl晶體中,每個(gè)Cs+周?chē)?個(gè)Cl-形成立方體,設(shè)定圖甲中心離子為Cl-,每個(gè)Cl-周?chē)退染嚯x且最近的Cl-位于該立方體周?chē)?個(gè)立方體的體心。 (

30、3)根據(jù)NaCl和CsCl兩種典型離子晶體的結(jié)構(gòu)特點(diǎn)分析圖示。圖Ⅰ中黑球的配位數(shù)為6,圖Ⅳ為簡(jiǎn)單立方結(jié)構(gòu),故Ⅰ和Ⅳ應(yīng)表示NaCl的晶體結(jié)構(gòu)。圖Ⅱ中黑球的配位數(shù)為8,圖Ⅲ為體心立方結(jié)構(gòu),故Ⅱ和Ⅲ應(yīng)表示CsCl的晶體結(jié)構(gòu)。 15.已知有關(guān)物質(zhì)的熔、沸點(diǎn)數(shù)據(jù)如下表: 物質(zhì) MgO Al2O3 MgCl2 AlCl3 熔點(diǎn)/℃ 2 852 2 072 714 190(2.6×105Pa) 沸點(diǎn)/℃ 3 600 2 980 1 412 182.7 (1)MgCl2的熔點(diǎn)遠(yuǎn)高于AlCl3熔點(diǎn)的原因是______________________________

31、______ ________________________________________________________________________。 (2)工業(yè)上常用電解熔融MgCl2的方法生產(chǎn)金屬鎂,用電解Al2O3與冰晶石熔融混合物的方法生產(chǎn)鋁。為什么不用電解MgO的方法生產(chǎn)鎂,也不用電解AlCl3的方法生產(chǎn)鋁?________________________________________________________________________ ___________________________________________________________

32、_____________。 (3)MgO的熔點(diǎn)比BaO的熔點(diǎn)________(填“高”或“低”)。 (4)設(shè)計(jì)可靠的實(shí)驗(yàn)證明MgCl2、AlCl3所屬的晶體類(lèi)型,其實(shí)驗(yàn)方法是________________________________________________________________________ ________________________________________________________________________。 答案 (1)MgCl2是離子晶體,AlCl3是分子晶體,離子鍵的強(qiáng)度遠(yuǎn)大于分子間作用力 (2)氧化鎂晶體比氯化鎂晶體晶格

33、能大,熔點(diǎn)高,電解時(shí)消耗電能大。AlCl3不是離子晶體,熔融時(shí)不能導(dǎo)電,因而不能用電解AlCl3的方法生產(chǎn)鋁 (3)高 (4)將兩晶體加熱到熔融狀態(tài),MgCl2能導(dǎo)電,AlCl3不能導(dǎo)電,證明AlCl3為分子晶體,MgCl2為離子晶體 解析 (1)MgCl2是離子晶體,陰、陽(yáng)離子間以離子鍵結(jié)合,離子鍵作用力強(qiáng);AlCl3為共價(jià)化合物,分子間作用力弱,所以MgCl2熔點(diǎn)遠(yuǎn)高于AlCl3熔點(diǎn)。 (2)因?yàn)镸gO的熔點(diǎn)遠(yuǎn)高于MgCl2,故電解熔融MgO將需要更高的溫度,消耗更多的能量,因而不用電解MgO的方法生產(chǎn)鎂。AlCl3不是離子晶體,熔融時(shí)不能導(dǎo)電,因而不能用電解AlCl3的方法生產(chǎn)鋁

34、。 (3)MgO和BaO都是離子化合物,Mg2+的半徑比Ba2+小,所以MgO的熔點(diǎn)比BaO的熔點(diǎn)高。 (4)將兩種晶體加熱到熔融狀態(tài),MgCl2能導(dǎo)電,而AlCl3不能導(dǎo)電,即可證明MgCl2為離子晶體,AlCl3為分子晶體。 16.回答下列問(wèn)題: (1)CaC2晶體的晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示,CaC2晶體中含有啞鈴形C,使晶胞沿一個(gè)方向拉長(zhǎng)。CaC2晶體中1個(gè)Ca2+周?chē)嚯x最近的C數(shù)目為_(kāi)_________。 (2)已知CaO晶體密度為a g·cm-3,NA表示阿伏加德羅常數(shù),則CaO晶胞體積為_(kāi)_____ cm3。 (3)MgO具有NaCl型結(jié)構(gòu)(如圖),其中陰離子采

35、用面心立方最密堆積方式,X射線衍射實(shí)驗(yàn)測(cè)得MgO的晶胞參數(shù)為a=0.420 nm,則r(O2-)為_(kāi)_______ nm。MnO也屬于NaCl型結(jié)構(gòu),晶胞參數(shù)為a′=0.448 nm,則r(Mn2+)為_(kāi)_______ nm。 答案 (1)4 (2) (3)0.148 0.076 解析 (1)一個(gè)Ca2+吸引6個(gè)C,由于晶胞沿一個(gè)方向拉長(zhǎng),1個(gè)Ca2+周?chē)嚯x最近的C為4個(gè)。 (2)由于CaO與NaCl的晶胞同為面心立方結(jié)構(gòu),所以CaO晶胞中也含有4個(gè)鈣離子和4個(gè)氧離子,因此CaO晶胞體積為 cm3= cm3。(3)因?yàn)镺2-采用面心立方最密堆積方式,所以面對(duì)角線長(zhǎng)度是O2-半徑的4

36、倍,則有[4r(O2-)]2=2a2,解得r(O2-)=×0.420 nm≈0.148 nm;MnO也屬于NaCl型結(jié)構(gòu),根據(jù)晶胞的結(jié)構(gòu)可得2r(Mn2+)+2r(O2-)=a′,代入數(shù)據(jù)解得r(Mn2+)=0.076 nm。 6EDBC3191F2351DD815FF33D4435F3756EDBC3191F2351DD815FF33D4435F3756EDBC3191F2351DD815FF33D4435F3756EDBC3191F2351DD815FF33D4435F3756EDBC3191F2351DD815FF33D4435F3756EDBC3191F2351DD815FF33D4435F375

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