《高二化學(xué) 人教版 選修三高考化考試 答案及解析》由會員分享，可在線閱讀，更多相關(guān)《高二化學(xué) 人教版 選修三高考化考試 答案及解析（3頁珍藏版）》請在裝配圖網(wǎng)上搜索。

1、能層、能級與構(gòu)造原理說明：1.本次考試時間為40分鐘 2.選擇題在平板上提交答案，非選擇題寫在試卷的制定位置。 3.考試結(jié)束，課代表立即收齊交到課任教師辦公室。一、選擇題1下列說法中，不符合現(xiàn)代大爆炸宇宙學(xué)理論的是()A我們所在的宇宙誕生于一次大爆炸B恒星正在不斷地合成自然界中沒有的新元素C氫、氦等輕核元素是自然界中天然元素之母D宇宙的所有原子中最多的是氫元素的原子解析：選B宇宙誕生于一次大爆炸，爆炸后產(chǎn)生了大量的氫、氦及少量的鋰，然后氫、氦等發(fā)生原子融合反應(yīng)合成其他元素，該過程在宇宙中仍在進(jìn)行，但合成的都是已知元素，且氫元素仍是宇宙中最豐富的元素。2符號為N的能層最多能容納的電子數(shù)為()A1

2、8 B32C50 D72解析：選B符號為N的能層是第四能層，即n4，每一能層最多容納的電子數(shù)為2n2，故N能層最多能容納的電子數(shù)為24232。3表示一個原子在第三能層上有10個電子可以寫成()As10 B3d10C3s23p63d2 D3s23p64s2解析：選C題目要求第三能層上有10個電子，而D選項(xiàng)中第三能層上只有8個電子，錯誤；該元素原子的電子排布式為1s22s22p63s23p63d24s2，C項(xiàng)正確。4下列粒子中，各層電子數(shù)均達(dá)到2n2的是()ANe、Ar BF、Mg2CAl、O2 DCl、Ar解析：選BA中Ar，C中Al，D中Cl、Ar均不符合題意。5構(gòu)造原理揭示的電子排布能級順序

3、，其實(shí)質(zhì)是各能級能量高低，若以E表示某能級的能量，下列能量高低順序中，正確的是()AE(3s)E(2s)E(1s) BE(3s)E(3p)E(3d)CE(4f)E(4s)E(3d) DE(5s)E(4s)E(4f)解析：選A不同能層中能量：低能層高能層；相同能層不同能級，E(ns)E(nd)E(nf)，不同能層相同能級，E(1s)E(2s)E(3s)E(4s)，不同能層、不同能級，E(ns)E(n2)fE(n1)dE(np)。6下列各原子或離子的電子排布式錯誤的是()AMg21s22s22p6BF1s22s22p5CCl1s22s22p63s23p5DAs1s22s22p63s23p63d10

4、4s24p3解析：選Cs能級最多容納2個電子，p能級最多可容納6個電子，電子總是從能量低的能層、能級開始排列。C項(xiàng)中Cl的電子排布式應(yīng)為1s22s22p63s23p6。7下列各原子或離子的電子排布式正確的是()AO21s22s22p4 BCaAr3d2CFeAr3d54s3 DK1s22s22p63s23p64s1解析：選DO2的電子排布式為1s22s22p6；Ca的電子排布式為Ar4s2；Fe的電子排布式為Ar3d64s2。8下列關(guān)于多電子原子核外電子排布的說法正確的是()A各能層含有的能級數(shù)等于能層序數(shù)減1B各能層的能級都是從s能級開始至f能級結(jié)束C各能層所含有的電子數(shù)一定是偶數(shù)D各能級的

5、原子軌道數(shù)按s、p、d、f的順序依次為1、3、5、7解析：選D各能層中所含有的能級數(shù)等于其能層序數(shù)，A項(xiàng)錯誤；當(dāng)為第一能層時，只含s能級，第二能層只含s、p能級，B項(xiàng)錯誤；每個能層最多能填充該能層序數(shù)平方的2倍個電子，即最多是偶數(shù)，但不一定含有這些電子，如H原子的K層只有1個電子。9某元素原子的核外有三個能層，最外能層有4個電子，該原子核內(nèi)的質(zhì)子數(shù)為()A14 B15C16 D17解析：選A原子核外共有三個能層，最內(nèi)層只有1s能級，可容納2個電子；第二層有2s、2p兩個能級，可容納12328個電子；最外層有4個電子，所以該原子核外有14個電子，又因在原子中核外電子數(shù)等于核內(nèi)質(zhì)子數(shù)，則核內(nèi)質(zhì)子數(shù)

6、為14。10核外電子排布中，能級會發(fā)生交錯現(xiàn)象。以下表示的各能級能量大小關(guān)系，不符合客觀事實(shí)的是()A3f3d3p3s B6s5p4d3dC5f4d3p2s D7d6d5d4d解析：選A在第三能層中沒有f能級，故A項(xiàng)不符合客觀事實(shí)。11下列各原子或離子的電子排布式正確的是()AAl1s22s22p63s13p2BO1s22s22p4CNa1s22s23p6DSi1s22s22p53s23p3解析：選BA、C、D違反構(gòu)造原理，正確寫法應(yīng)為Al：1s22s22p63s23p1、Na：1s22s22p6、Si：1s22s22p63s23p2。12下列表示式中錯誤的是()Na的電子式：Na的結(jié)構(gòu)示意圖

7、：Na的電子排布式：1s22s22p63s1Na的簡化電子排布式：Na3s1A BC D解析：選D金屬陽離子的電子式即為其離子符號，故Na的電子式應(yīng)為Na；簡化電子排布式的“”中應(yīng)為該元素上一周期的稀有氣體元素，故為Ne3s1。13主族元素的原子失去最外層電子形成陽離子，主族元素的原子得到電子填充在最外層形成陰離子，下列各原子或離子的電子排布式錯誤的是()ACa2：1s22s22p63s23p6 BF：1s22s22p6CS：1s22s22p63s1 DAr：1s22s22p63s23p6解析：選CS原子的電子排布式為1s22s22p63s23p4，C選項(xiàng)錯誤。14某原子的電子排布式為1s22

8、s22p63s23p63d54s2，下列說法中不正確的是()A該元素原子中共有25個電子B該元素原子核外有4個能層C該元素原子最外層共有2個電子D該元素原子M能層共有8個電子解析：選D從電子排布式看，該原子最高能級為4s能級，故有4個能層，最外層有2個電子，B、C正確；各能級的電子數(shù)之和為25，A正確；M層電子排布為3s23p63d5，故該層電子數(shù)為13，D項(xiàng)錯誤。15下列關(guān)于能層與能級的說法中正確的是()A原子核外電子的每個能層最多可容納的電子數(shù)為n2B任一能層的能級總是從s能級開始，而且能級數(shù)等于該能層序數(shù)C同是s能級，在不同的能層中所能容納的最多電子數(shù)是不相同的D能級能量4s3d解析：選

9、BA項(xiàng)，每一能層最多可容納的電子數(shù)為2n2，錯誤；C項(xiàng)，只要是s能級，不論哪一能層，所容納的電子數(shù)都為2，錯誤；D項(xiàng)，由構(gòu)造原理知能級能量3d4s，錯誤。16構(gòu)造原理揭示的電子排布能級順序，實(shí)質(zhì)是各能級能量高低。若以E表示某能級的能量，以下各式中能量高低順序正確的是()AE(5s)E(4f)E(4s)E(3d)BE(3d)E(4s)E(3p)E(3s)CE(4s)E(3s)E(2s)E(4s)E(4f)E(3d)解析：選B根據(jù)構(gòu)造原理，各能級能量由低到高的順序?yàn)?s2s2p3s3p4s3d4p5s4d5p所以A項(xiàng)和D項(xiàng)的正確順序?yàn)镋(4f)E(5s)E(3d)E(4s)；對于不同能層的相同能級

10、，能層序數(shù)越大，能量越高，即E(4s)E(3s)E(2s)E(1s)，C項(xiàng)錯誤。二、非選擇題17比較下列能級的能量大小關(guān)系(填“”“”或“”)：(1)2s_4s；(2)3p_3d；(3)3d_4s；(4)4d_5d；(5)2p_3s；(6)4d_5f。解析：由構(gòu)造原理可知：同一能層的能級能量高低順序?yàn)閚snpndnf；不同能層之間，能量會產(chǎn)生能級交錯現(xiàn)象，即能層序數(shù)大的能級，其能量不一定高，如3d能級具有的能量就高于4s能級所具有的能量。答案：(1)(2)(3)(4)(5)(6)18根據(jù)構(gòu)造原理寫出下列原子或離子的核外電子排布式。(1)O_；(2)Ca_；(3)S2_；(4)Al3_。解析：O

11、原子有8個電子，按1s、2s、2p順序填充電子：1s22s22p4；Ca原子有20個電子，由于4s3d，出現(xiàn)能級交錯，按1s、2s、2p、3s、3p、4s順序填充為1s22s22p63s23p64s2；S原子有16個電子，按1s、2s、2p、3s、3p順序填充為1s22s22p63s23p4，S2為S原子得到2個電子后形成，故3p能級上填充6個電子，即其核外電子排布式為1s22s22p63s23p6；Al原子有13個電子，按1s、2s、2p、3s順序填充為1s22s22p63s23p1，Al原子失去3個電子后變成Al3，故Al3的電子排布式為1s22s22p6。答案：(1)1s22s22p4(

12、2)1s22s22p63s23p64s2(3)1s22s22p63s23p6(4)1s22s22p619(1)某元素的原子序數(shù)為33，則：此元素原子的電子總數(shù)是_；有_個能層，_個能級；它的電子排布式為_。(2)寫出Si、Ca2、Cl的電子排布式：Si：_；Ca2：_；Cl：_。解析：核電荷數(shù)原子序數(shù)核外電子數(shù)，故此原子的核外電子數(shù)為33；依據(jù)構(gòu)造原理，能量高低順序?yàn)?s3d4p，則此元素的電子排布式為1s22s22p63s23p63d104s24p3。答案：(1)33481s22s22p63s23p63d104s24p3(2)1s22s22p63s23p21s22s22p63s23p61s2

13、2s22p63s23p620有幾種元素的粒子核外電子排布式均為1s22s22p63s23p6，其中：(1)某電中性粒子，一般不和其他元素的原子反應(yīng)，這種粒子的符號是_。(2)某粒子的鹽溶液，能使溴水褪色，并出現(xiàn)渾濁，這種粒子的符號是_。(3)某粒子氧化性很弱，但得到電子后還原性很強(qiáng)，且這種原子最外層只有一個電子，這種粒子的符號是_。(4)某粒子還原性雖弱，但失去電子后氧化性強(qiáng)，且這種元素的原子得到一個電子即達(dá)穩(wěn)定結(jié)構(gòu)，這種粒子的符號是_。解析：符合上述核外電子排布式的電中性粒子，很難發(fā)生化學(xué)反應(yīng)的應(yīng)為稀有氣體Ar；使溴水褪色，應(yīng)為還原性較強(qiáng)的S2，發(fā)生如下反應(yīng)：S2Br2=S2Br；氧化性很弱，得電子后還原性很強(qiáng)，應(yīng)為K；得一個電子即達(dá)穩(wěn)定結(jié)構(gòu)的粒子應(yīng)為Cl。答案：(1)Ar(2)S2(3)K(4)Cl內(nèi)容總結(jié)（1）能層、能級與構(gòu)造原理