《高考化學(xué)一輪復(fù)習(xí) 第十一章 物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì) 基礎(chǔ)課時(shí)3 物質(zhì)的聚集狀態(tài)與物質(zhì)性質(zhì)課件 魯科版》由會(huì)員分享，可在線閱讀，更多相關(guān)《高考化學(xué)一輪復(fù)習(xí) 第十一章 物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì) 基礎(chǔ)課時(shí)3 物質(zhì)的聚集狀態(tài)與物質(zhì)性質(zhì)課件 魯科版（51頁(yè)珍藏版）》請(qǐng)?jiān)谘b配圖網(wǎng)上搜索。

1、基礎(chǔ)課時(shí)基礎(chǔ)課時(shí)3物質(zhì)的聚集狀態(tài)與物質(zhì)性質(zhì)物質(zhì)的聚集狀態(tài)與物質(zhì)性質(zhì)1.理解離子鍵的形成，能根據(jù)離子化合物的結(jié)構(gòu)特征解釋其物理解離子鍵的形成，能根據(jù)離子化合物的結(jié)構(gòu)特征解釋其物理性質(zhì)。理性質(zhì)。2.了解原子晶體的特征，能描述金剛石、二氧化硅等了解原子晶體的特征，能描述金剛石、二氧化硅等原子晶體的結(jié)構(gòu)與性質(zhì)的關(guān)系。原子晶體的結(jié)構(gòu)與性質(zhì)的關(guān)系。3.理解金屬鍵的含義，能用金理解金屬鍵的含義，能用金屬鍵理論解釋金屬的一些物理性質(zhì)；了解金屬晶體常見(jiàn)的堆積屬鍵理論解釋金屬的一些物理性質(zhì)；了解金屬晶體常見(jiàn)的堆積方式。方式。4.了解分子晶體與原子晶體、離子晶體、金屬晶體的結(jié)了解分子晶體與原子晶體、離子晶體、金屬晶

2、體的結(jié)構(gòu)微粒、微粒間作用力的區(qū)別。構(gòu)微粒、微粒間作用力的區(qū)別。5.能根據(jù)晶胞確定晶體的組成能根據(jù)晶胞確定晶體的組成并進(jìn)行相關(guān)的計(jì)算。并進(jìn)行相關(guān)的計(jì)算。6.了解晶格能的概念及其對(duì)離子晶體性質(zhì)了解晶格能的概念及其對(duì)離子晶體性質(zhì)的影響。的影響。最新考綱最新考綱考點(diǎn)一晶體的常識(shí)和四種晶體性質(zhì)比較考點(diǎn)一晶體的常識(shí)和四種晶體性質(zhì)比較1.晶體晶體(1)晶體與非晶體晶體與非晶體知識(shí)梳理知識(shí)梳理固考基固考基晶體晶體非晶體非晶體結(jié)構(gòu)特征結(jié)構(gòu)特征結(jié)構(gòu)微粒結(jié)構(gòu)微粒_排列排列 結(jié)構(gòu)微粒結(jié)構(gòu)微粒_排列排列性質(zhì)性質(zhì)特征特征自范性自范性熔點(diǎn)熔點(diǎn)異同表現(xiàn)異同表現(xiàn)二者區(qū)二者區(qū)別方法別方法間接方法間接方法看是否有固定的看是否有固定

3、的_科學(xué)方法科學(xué)方法對(duì)固體進(jìn)行對(duì)固體進(jìn)行_實(shí)驗(yàn)實(shí)驗(yàn)周期性有序周期性有序無(wú)序無(wú)序有有無(wú)無(wú)固定固定不固定不固定各向異性各向異性各向同性各向同性熔點(diǎn)熔點(diǎn)X-射線衍射射線衍射(2)得到晶體的途徑得到晶體的途徑熔融態(tài)物質(zhì)凝固。熔融態(tài)物質(zhì)凝固。氣態(tài)物質(zhì)冷卻不經(jīng)液態(tài)直接氣態(tài)物質(zhì)冷卻不經(jīng)液態(tài)直接_。溶質(zhì)從溶液中析出。溶質(zhì)從溶液中析出。(3)晶胞晶胞概念：描述晶體結(jié)構(gòu)的概念：描述晶體結(jié)構(gòu)的_。晶體中晶胞的排列晶體中晶胞的排列無(wú)隙并置無(wú)隙并置a.無(wú)隙：相鄰晶胞之間沒(méi)有無(wú)隙：相鄰晶胞之間沒(méi)有_。b.并置：所有晶胞并置：所有晶胞_排列、排列、_相同。相同。凝固凝固(凝華凝華)基本單元基本單元任何間隙任何間隙平行平行取

4、向取向(4)晶格能晶格能定義：氣態(tài)離子形成定義：氣態(tài)離子形成1摩爾離子晶體釋放的能量，通常取正值，摩爾離子晶體釋放的能量，通常取正值，單位：?jiǎn)挝唬篲。影響因素影響因素a.離子所帶電荷數(shù)：離子所帶電荷數(shù)越多，晶格能越離子所帶電荷數(shù)：離子所帶電荷數(shù)越多，晶格能越_。b.離子的半徑：離子的半徑越離子的半徑：離子的半徑越_，晶格能越大。，晶格能越大。與離子晶體性質(zhì)的關(guān)系與離子晶體性質(zhì)的關(guān)系晶格能越大，形成的離子晶體越晶格能越大，形成的離子晶體越_，且熔點(diǎn)越，且熔點(diǎn)越_，硬度越，硬度越_。提醒：提醒：具有規(guī)則幾何外形的固體不一定是晶體，如玻璃。具有規(guī)則幾何外形的固體不一定是晶體，如玻璃。晶胞是從晶體中晶

5、胞是從晶體中“截取截取”出來(lái)具有代表性的出來(lái)具有代表性的“平行六面體平行六面體”，但不一定是最小的但不一定是最小的“平行六面體平行六面體”。kJmol1大大小小穩(wěn)定穩(wěn)定高高大大2.四種晶體類型的比較四種晶體類型的比較類型類型比較比較分子晶體分子晶體原子晶體原子晶體金屬晶體金屬晶體離子晶體離子晶體構(gòu)成粒子構(gòu)成粒子金屬陽(yáng)離子、金屬陽(yáng)離子、自由電子自由電子粒子間的相粒子間的相互作用力互作用力_(某些含氫鍵某些含氫鍵)硬度硬度有的有的_，有的有的_分子分子原子原子陰、陽(yáng)離子陰、陽(yáng)離子范德華力范德華力共價(jià)鍵共價(jià)鍵金屬鍵金屬鍵離子鍵離子鍵較小較小很大很大很大很大很小很小較大較大熔、沸點(diǎn)熔、沸點(diǎn)有的有的_，

6、有的有的_溶解性溶解性相似相溶相似相溶難溶于任何難溶于任何溶劑溶劑常見(jiàn)溶劑難溶常見(jiàn)溶劑難溶大多易溶于水大多易溶于水等極性溶劑等極性溶劑導(dǎo)電、導(dǎo)電、傳熱性傳熱性一般不導(dǎo)一般不導(dǎo)電，溶于電，溶于水后有的水后有的導(dǎo)電導(dǎo)電一般不具有一般不具有導(dǎo)電性，個(gè)導(dǎo)電性，個(gè)別為半導(dǎo)體別為半導(dǎo)體電和熱的良導(dǎo)電和熱的良導(dǎo)體體晶體不導(dǎo)電，晶體不導(dǎo)電，水溶液或熔融水溶液或熔融態(tài)導(dǎo)電態(tài)導(dǎo)電較低較低很高很高很高很高很低很低較高較高物質(zhì)類物質(zhì)類別及舉別及舉例例大多數(shù)非金大多數(shù)非金屬單質(zhì)、氣屬單質(zhì)、氣態(tài)氫化物、態(tài)氫化物、酸、非金屬酸、非金屬氧化物氧化物(SiO2除外除外)、絕大、絕大多數(shù)有機(jī)物多數(shù)有機(jī)物(有機(jī)鹽除外有機(jī)鹽除外)部

7、分非金屬部分非金屬單質(zhì)單質(zhì)(如金剛?cè)缃饎偸⒐?、晶石、硅、晶體硼體硼)，部分，部分非金屬化合非金屬化合物物(如如SiC、SiO2)金屬單質(zhì)金屬單質(zhì)與合金與合金(如如Na、Al、Fe、青銅、青銅)金屬氧化物金屬氧化物(如如K2O、Na2O)、強(qiáng)堿強(qiáng)堿(如如KOH、NaOH)、絕大、絕大部分鹽部分鹽(如如NaCl)3.晶體熔沸點(diǎn)的比較晶體熔沸點(diǎn)的比較(1)不同類型晶體熔、沸點(diǎn)的比較不同類型晶體熔、沸點(diǎn)的比較不同類型晶體的熔、沸點(diǎn)高低的一般規(guī)律：不同類型晶體的熔、沸點(diǎn)高低的一般規(guī)律：_。金屬晶體的熔、沸點(diǎn)差別很大，如鎢、鉑等熔、沸點(diǎn)很高，金屬晶體的熔、沸點(diǎn)差別很大，如鎢、鉑等熔、沸點(diǎn)很高，汞、銫等熔

8、、沸點(diǎn)很低。汞、銫等熔、沸點(diǎn)很低。原子晶體原子晶體離子晶體離子晶體分子晶體分子晶體小小短短大大高高離子晶體：離子晶體：a.一般地說(shuō)，陰、陽(yáng)離子的電荷數(shù)越一般地說(shuō)，陰、陽(yáng)離子的電荷數(shù)越_，離子半徑越，離子半徑越_，則，則離子間的作用力就越離子間的作用力就越_，其離子晶體的熔、沸點(diǎn)就越，其離子晶體的熔、沸點(diǎn)就越_，如，如熔點(diǎn)：熔點(diǎn)：MgO_MgCl2_NaCl_CsCl。b.衡量離子晶體穩(wěn)定性的物理量是晶格能。晶格能越衡量離子晶體穩(wěn)定性的物理量是晶格能。晶格能越_，形成，形成的離子晶體越的離子晶體越_，熔點(diǎn)越，熔點(diǎn)越_，硬度越，硬度越_。分子晶體：分子晶體：a.分子間作用力越分子間作用力越_，物質(zhì)

9、的熔、沸點(diǎn)越，物質(zhì)的熔、沸點(diǎn)越_；具有氫鍵的分；具有氫鍵的分子晶體熔、沸點(diǎn)反常地子晶體熔、沸點(diǎn)反常地_。如。如H2O_H2Te_H2Se_H2S。b.組成和結(jié)構(gòu)相似的分子晶體，相對(duì)分子質(zhì)量越組成和結(jié)構(gòu)相似的分子晶體，相對(duì)分子質(zhì)量越_，熔、沸點(diǎn)，熔、沸點(diǎn)越越_，如，如SnH4_GeH4_SiH4_CH4。多多小小強(qiáng)強(qiáng)高高大大穩(wěn)定穩(wěn)定高高大大大大高高高高大大高高提醒：提醒：常溫下為氣態(tài)或液態(tài)的物質(zhì)，其晶體應(yīng)屬于分子晶體常溫下為氣態(tài)或液態(tài)的物質(zhì)，其晶體應(yīng)屬于分子晶體(Hg除外除外)。原子晶體中一定含有共價(jià)鍵，而分子晶體中不一定有共價(jià)鍵，原子晶體中一定含有共價(jià)鍵，而分子晶體中不一定有共價(jià)鍵，如稀有氣體

10、的晶體。如稀有氣體的晶體。原子晶體熔化時(shí)，破壞共價(jià)鍵，分子晶體熔化時(shí)破壞的是分子原子晶體熔化時(shí)，破壞共價(jià)鍵，分子晶體熔化時(shí)破壞的是分子間作用力，分子內(nèi)的共價(jià)鍵不被破壞。間作用力，分子內(nèi)的共價(jià)鍵不被破壞。1.(LK選修選修3P1003改編改編)當(dāng)下列物質(zhì)以晶體形式存在時(shí)，其所含當(dāng)下列物質(zhì)以晶體形式存在時(shí)，其所含晶體類型和所含化學(xué)鍵類型分別相同的是晶體類型和所含化學(xué)鍵類型分別相同的是()A.溴化鈉和溴化氫溴化鈉和溴化氫B.二氧化硫和二氧化硅二氧化硫和二氧化硅C.四氯化碳和四氯化硅四氯化碳和四氯化硅D.單質(zhì)銅和單質(zhì)碘單質(zhì)銅和單質(zhì)碘答案答案C2.(LK選修選修3P1006改編改編)NaCl、SiO2和

11、和CO2三種物質(zhì)的晶體，其三種物質(zhì)的晶體，其熔點(diǎn)由高到低的順序?yàn)槿埸c(diǎn)由高到低的順序?yàn)開(kāi)。SiO2、NaCl、CO23.(溯源題溯源題)(1)2014課標(biāo)課標(biāo)理綜，理綜，37(1)準(zhǔn)晶是一種無(wú)平移周期準(zhǔn)晶是一種無(wú)平移周期序，但有嚴(yán)格準(zhǔn)周期位置序的獨(dú)特晶體，可通過(guò)序，但有嚴(yán)格準(zhǔn)周期位置序的獨(dú)特晶體，可通過(guò)_方方法區(qū)分晶體、準(zhǔn)晶體和非晶體。法區(qū)分晶體、準(zhǔn)晶體和非晶體。(2)2014重慶理綜，重慶理綜，8(3)MgO的熔點(diǎn)比的熔點(diǎn)比BaO的的_(填填“高高”或或“低低”)。(3)2014安徽理綜，安徽理綜，25(2)節(jié)選節(jié)選熔點(diǎn)熔點(diǎn)NaCl_Si(用用“”或或“”填空填空)。(4)2014海南化學(xué)，海

12、南化學(xué)，19(3)C60屬于屬于_晶體，石墨屬晶體，石墨屬于于_晶體。晶體。答案答案(1)X射線衍射射線衍射(2)高高(3)液體液體氣體；二是看物質(zhì)氣體；二是看物質(zhì)所屬類型，一般是原子晶體所屬類型，一般是原子晶體離子晶體離子晶體分子晶體分子晶體(注意：不是注意：不是絕對(duì)的，如氧化鋁熔點(diǎn)大于晶體硅絕對(duì)的，如氧化鋁熔點(diǎn)大于晶體硅)，結(jié)構(gòu)類型相同時(shí)再根據(jù)相，結(jié)構(gòu)類型相同時(shí)再根據(jù)相應(yīng)規(guī)律進(jìn)行判斷。應(yīng)規(guī)律進(jìn)行判斷。同類晶體熔沸點(diǎn)比較思路為：原子晶體同類晶體熔沸點(diǎn)比較思路為：原子晶體共價(jià)鍵鍵能共價(jià)鍵鍵能鍵長(zhǎng)鍵長(zhǎng)原子半徑；分子晶體原子半徑；分子晶體分子間作用力分子間作用力相對(duì)分子質(zhì)量；離子晶相對(duì)分子質(zhì)量；離

13、子晶體體離子鍵強(qiáng)弱離子鍵強(qiáng)弱離子所帶電荷數(shù)、離子半徑。離子所帶電荷數(shù)、離子半徑。考點(diǎn)考點(diǎn)二二常見(jiàn)晶體模型與晶胞計(jì)算常見(jiàn)晶體模型與晶胞計(jì)算1.典型晶體模型典型晶體模型知識(shí)梳理知識(shí)梳理固考基固考基晶體晶體晶體結(jié)構(gòu)晶體結(jié)構(gòu)晶體詳解晶體詳解原子原子晶體晶體金金剛剛石石(1)每個(gè)碳與相鄰每個(gè)碳與相鄰_個(gè)碳以共價(jià)鍵結(jié)個(gè)碳以共價(jià)鍵結(jié)合，形成正四面體結(jié)構(gòu)合，形成正四面體結(jié)構(gòu)(2)鍵角均為鍵角均為_(kāi)(3)最小碳環(huán)由最小碳環(huán)由_個(gè)個(gè)C組成且六原子組成且六原子不在同一平面內(nèi)不在同一平面內(nèi)(4)每個(gè)每個(gè)C參與參與4條條CC鍵的形成，鍵的形成，C原子數(shù)與原子數(shù)與CC鍵數(shù)之比為鍵數(shù)之比為_(kāi)41092861241212分分

14、子子晶晶體體干冰干冰(1)8個(gè)個(gè)CO2分子構(gòu)成立方體且在分子構(gòu)成立方體且在6個(gè)個(gè)面心又各占據(jù)面心又各占據(jù)1個(gè)個(gè)CO2分子分子(2)每個(gè)每個(gè)CO2分子周圍等距緊鄰的分子周圍等距緊鄰的CO2分子有分子有_個(gè)個(gè)12離子離子晶體晶體NaCl(型型)(1)每個(gè)每個(gè)Na(Cl)周圍等距且緊周圍等距且緊鄰的鄰的Cl(Na)有有6個(gè)。每個(gè)個(gè)。每個(gè)Na周圍等距且緊鄰的周圍等距且緊鄰的Na有有_個(gè)個(gè)(2)每個(gè)晶胞中含每個(gè)晶胞中含_個(gè)個(gè)Na和和_個(gè)個(gè)ClCsCl(型型)(1)每個(gè)每個(gè)Cs周圍等距且緊鄰的周圍等距且緊鄰的Cl有有_個(gè)，每個(gè)個(gè)，每個(gè)Cs(Cl)周圍周圍等距且緊鄰的等距且緊鄰的Cs(Cl)有有_個(gè)個(gè)(2)

15、如圖為如圖為8個(gè)晶胞，每個(gè)晶胞中個(gè)晶胞，每個(gè)晶胞中含含1個(gè)個(gè)Cs、1個(gè)個(gè)Cl124486金金屬屬晶晶體體簡(jiǎn)單立方簡(jiǎn)單立方堆積堆積典型代表典型代表Po，配位數(shù)為，配位數(shù)為_(kāi)，空間利用率，空間利用率52%面心立方面心立方最密堆積最密堆積又稱為又稱為A1型或銅型，典型或銅型，典型代表型代表Cu、Ag、Au，配位數(shù)為配位數(shù)為_(kāi)，空間利，空間利用率用率74%612金屬金屬晶體晶體體心體心立方立方堆積堆積又稱為又稱為A2型或鉀型，典型代表型或鉀型，典型代表Na、K、Fe，配位數(shù)為，配位數(shù)為_(kāi)，空間，空間利用率利用率68%六方六方最密最密堆積堆積又稱為又稱為A3型或鎂型，典型代表型或鎂型，典型代表Mg、Zn

16、、Ti，配位數(shù)為，配位數(shù)為_(kāi)，空，空間利用率間利用率74%8122.晶胞中微粒的計(jì)算方法晶胞中微粒的計(jì)算方法均攤法均攤法(3)圖示：圖示：提醒：提醒：在使用均攤法計(jì)算晶胞中的微粒個(gè)數(shù)時(shí)，要注意晶胞的在使用均攤法計(jì)算晶胞中的微粒個(gè)數(shù)時(shí)，要注意晶胞的形狀，不同形狀的晶胞，應(yīng)先分析任意位置上的一個(gè)粒子被幾形狀，不同形狀的晶胞，應(yīng)先分析任意位置上的一個(gè)粒子被幾個(gè)晶胞所共有，如六棱柱晶胞中，頂點(diǎn)、側(cè)棱、底面上的棱、個(gè)晶胞所共有，如六棱柱晶胞中，頂點(diǎn)、側(cè)棱、底面上的棱、面心的微粒依次被面心的微粒依次被6、3、4、2個(gè)晶胞所共有。個(gè)晶胞所共有。3.幾種常見(jiàn)的晶胞結(jié)構(gòu)及晶胞含有的粒子數(shù)目幾種常見(jiàn)的晶胞結(jié)構(gòu)及晶

17、胞含有的粒子數(shù)目A.NaCl(含含4個(gè)個(gè)Na，4個(gè)個(gè)Cl)B.干冰干冰(含含4個(gè)個(gè)CO2)C.CaF2(含含4個(gè)個(gè)Ca2，8個(gè)個(gè)F)D.金剛石金剛石(含含8個(gè)個(gè)C)E.體心立方體心立方(含含2個(gè)原子個(gè)原子)F.面心立方面心立方(含含4個(gè)原子個(gè)原子)4.有關(guān)晶胞各物理量的關(guān)系有關(guān)晶胞各物理量的關(guān)系對(duì)于立方晶胞，可簡(jiǎn)化成下面的公式進(jìn)行各物理量的計(jì)算：對(duì)于立方晶胞，可簡(jiǎn)化成下面的公式進(jìn)行各物理量的計(jì)算：a3NAnM，a表示晶胞的棱長(zhǎng)，表示晶胞的棱長(zhǎng)，表示密度，表示密度，NA表示阿表示阿伏加德羅常數(shù)的值，伏加德羅常數(shù)的值，n表示表示1mol晶胞中所含晶體的物質(zhì)的量，晶胞中所含晶體的物質(zhì)的量，M表示摩爾

18、質(zhì)量，表示摩爾質(zhì)量，a3NA表示表示1mol晶胞的質(zhì)量。晶胞的質(zhì)量。1.(LK選修選修3P914改編改編)如圖為甲烷晶體的晶胞，每個(gè)晶胞含有如圖為甲烷晶體的晶胞，每個(gè)晶胞含有_個(gè)甲烷分子，此晶體在常溫常壓下不能存在的原因?yàn)閭€(gè)甲烷分子，此晶體在常溫常壓下不能存在的原因?yàn)開(kāi)。4甲烷晶體為分子晶體，分子之間相互作用較弱，熔沸點(diǎn)低，甲烷晶體為分子晶體，分子之間相互作用較弱，熔沸點(diǎn)低，容易氣化容易氣化2.(溯源題溯源題)(1)2014新課標(biāo)卷新課標(biāo)卷，37節(jié)選節(jié)選Cu2O為半導(dǎo)體材料，為半導(dǎo)體材料，在其立方晶胞內(nèi)部有在其立方晶胞內(nèi)部有4個(gè)氧原子，其余氧原子位于面心和頂點(diǎn)，個(gè)氧原子，其余氧原子位于面心和頂

19、點(diǎn)，則該晶胞中有則該晶胞中有_個(gè)銅原子。個(gè)銅原子。Al單質(zhì)為面心立方晶體，其單質(zhì)為面心立方晶體，其晶胞參數(shù)晶胞參數(shù)a0.405nm，晶胞中鋁原子的配位數(shù)為，晶胞中鋁原子的配位數(shù)為_(kāi)。 列式表示列式表示Al單質(zhì)的密度單質(zhì)的密度_gcm3(不必計(jì)算出結(jié)果不必計(jì)算出結(jié)果)。(2)2014海南，海南，19(5)金剛石晶胞含有金剛石晶胞含有_個(gè)碳原子。若碳原子半徑為個(gè)碳原子。若碳原子半徑為r，金剛石，金剛石晶胞的邊長(zhǎng)為晶胞的邊長(zhǎng)為a，根據(jù)硬球接觸模型，則，根據(jù)硬球接觸模型，則r_a，列式表示碳原子在晶胞中的空間占，列式表示碳原子在晶胞中的空間占有率有率_(不要求計(jì)算結(jié)果不要求計(jì)算結(jié)果)。探源：探源：該高

20、考題組源于教材該高考題組源于教材LK選修選修3P80“交流交流研討研討”及其拓及其拓展，考查的是對(duì)晶胞的分析和計(jì)算。展，考查的是對(duì)晶胞的分析和計(jì)算。題組一晶胞中原子個(gè)數(shù)的計(jì)算題組一晶胞中原子個(gè)數(shù)的計(jì)算題組精練題組精練提考能提考能答案答案B2. 右圖是由右圖是由Q、R、G三種元素組成的一種高溫超導(dǎo)三種元素組成的一種高溫超導(dǎo)體的晶胞結(jié)構(gòu)，其中體的晶胞結(jié)構(gòu)，其中R為為2價(jià)，價(jià)，G為為2價(jià)，則價(jià)，則Q的化合價(jià)為的化合價(jià)為_(kāi)。答案答案3價(jià)價(jià)【方法總結(jié)】【方法總結(jié)】晶胞計(jì)算的思維方法晶胞計(jì)算的思維方法晶胞計(jì)算是晶體考查的重要知識(shí)點(diǎn)之一，也是考查學(xué)生分析問(wèn)題、晶胞計(jì)算是晶體考查的重要知識(shí)點(diǎn)之一，也是考查學(xué)生

21、分析問(wèn)題、解決問(wèn)題能力的較好素材。晶體結(jié)構(gòu)的計(jì)算常常涉及如下數(shù)據(jù)：晶解決問(wèn)題能力的較好素材。晶體結(jié)構(gòu)的計(jì)算常常涉及如下數(shù)據(jù)：晶體密度、體密度、NA、M、晶體體積、微粒間距離、微粒半徑、夾角等，密、晶體體積、微粒間距離、微粒半徑、夾角等，密度的表達(dá)式往往是列等式的依據(jù)。解決這類題，一是要掌握晶體度的表達(dá)式往往是列等式的依據(jù)。解決這類題，一是要掌握晶體“均攤法均攤法”的原理，二是要有扎實(shí)的立體幾何知識(shí)，三是要熟悉常的原理，二是要有扎實(shí)的立體幾何知識(shí)，三是要熟悉常見(jiàn)晶體的結(jié)構(gòu)特征，并能融會(huì)貫通，舉一反三。見(jiàn)晶體的結(jié)構(gòu)特征，并能融會(huì)貫通，舉一反三。題組二晶胞密度及微粒間距離的計(jì)算題組二晶胞密度及微粒間

22、距離的計(jì)算3. 用晶體的用晶體的X射線衍射法對(duì)射線衍射法對(duì)Cu的測(cè)定得到以下結(jié)果：的測(cè)定得到以下結(jié)果：Cu的晶胞為面心立方最密堆積的晶胞為面心立方最密堆積(如右圖如右圖)，已知該，已知該晶體的密度為晶體的密度為9.00gcm3，晶胞中該原子的配位，晶胞中該原子的配位數(shù) 為數(shù) 為 _ _ _ _ _ _ _ _ ； C u 的 原 子 半 徑 為的 原 子 半 徑 為_(kāi)cm(阿伏加德羅常數(shù)的值為阿伏加德羅常數(shù)的值為NA，要求列式計(jì)算，要求列式計(jì)算)。4.某離子晶體的晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示，某離子晶體的晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示，X()位于位于立方體立方體的頂點(diǎn)，的頂點(diǎn)，Y()位于立方體的中心。試分析：位于立方體的中心。試分析：(1)晶體中每個(gè)晶體中每個(gè)Y同時(shí)吸引同時(shí)吸引_個(gè)個(gè)X。(2)該晶體的化學(xué)式為該晶體的化學(xué)式為_(kāi)。(3)設(shè)該晶體的摩爾質(zhì)量為設(shè)該晶體的摩爾質(zhì)量為Mgmol1，晶體的密度為，晶體的密度為gcm3，阿伏加德羅常數(shù)的值為阿伏加德羅常數(shù)的值為NA，則晶體中兩個(gè)距離最近的，則晶體中兩個(gè)距離最近的X之間的之間的距離為距離為_(kāi)cm。