《(浙江專版)備戰(zhàn)2022高考化學(xué)一輪復(fù)習(xí) 易題快速練14 分子、晶體結(jié)構(gòu)判斷》由會(huì)員分享,可在線閱讀,更多相關(guān)《(浙江專版)備戰(zhàn)2022高考化學(xué)一輪復(fù)習(xí) 易題快速練14 分子、晶體結(jié)構(gòu)判斷(4頁(yè)珍藏版)》請(qǐng)?jiān)谘b配圖網(wǎng)上搜索。
1、(浙江專版)備戰(zhàn)2022高考化學(xué)一輪復(fù)習(xí) 易題快速練14 分子、晶體結(jié)構(gòu)判斷
1.(2018·溫州市高三選考適應(yīng)性測(cè)試)下列說(shuō)法不正確的是( )
A.碘單質(zhì)升華克服的是分子間作用力
B.KOH和MgCl2都是離子晶體,均含有共價(jià)鍵和離子鍵
C.石英是由硅原子和氧原子構(gòu)成的原子晶體,每個(gè)原子的最外層都具有8電子穩(wěn)定結(jié)構(gòu)
D.KClO3分解生成KCl和O2的過(guò)程中有離子鍵和共價(jià)鍵的斷裂和形成
2.(2018·嘉興市第一中學(xué)高一下學(xué)期期中)下列關(guān)于微粒間作用力與晶體的說(shuō)法正確的是( )
A.某晶體固態(tài)時(shí)不導(dǎo)電水溶液能導(dǎo)電,說(shuō)明該晶體是離子晶體
B.BF3和CCl4的晶體類型相同,
2、且每個(gè)原子的最外層都達(dá)到了8電子穩(wěn)定結(jié)構(gòu)
C.F2、Cl2、Br2、I2的沸點(diǎn)逐漸升高,是因?yàn)榉肿娱g作用力逐漸增大
D.化學(xué)變化必然伴隨化學(xué)鍵的破壞與形成,物理變化則無(wú)需破壞化學(xué)鍵
3.(2018·寧波市3月新高考選考適應(yīng)性考試)下列說(shuō)法正確的是( )
A.Na2SO4晶體中只含離子鍵
B.HCl、HBr、HI分子間作用力依次增大
C.金剛石是原子晶體,加熱熔化時(shí)需克服共價(jià)鍵與分子間作用力
D.NH3和 CO2兩種分子中,每個(gè)原子的最外層都具有8電子穩(wěn)定結(jié)構(gòu)
4.(2018·嘉興市高三二模)下列說(shuō)法正確的是( )
A.碘化氫氣體分解和石英熔化克服的化學(xué)鍵類型不同
B.M
3、gF2晶體中存在離子鍵和共價(jià)鍵
C.Cl2、Br2、I2的分子間作用力依次增大,沸點(diǎn)依次升高
D.N3和NH3兩種分子中,每個(gè)原子的最外層都具有8電子穩(wěn)定結(jié)構(gòu)
5.(2018·浙江省十校聯(lián)盟選考3月適應(yīng)性考試)下列說(shuō)法不正確的是( )
A.CS2中所含所有原子的最外層電子數(shù)均為8
B.沸點(diǎn):CH4< CCl4
4、分別加熱熔化,需要克服相同類型的作用力
C.分子間作用力的大小無(wú)法決定分子穩(wěn)定性的高低
D.NaHSO4和NaHCO3兩種晶體溶于水時(shí),被破壞的既有離子鍵又有共價(jià)鍵
7.(2018·浙江教育綠色評(píng)價(jià)聯(lián)盟3月適應(yīng)性考試)下列說(shuō)法不正確的是( )
A.硅晶體熔化與碘化氫分解需克服的化學(xué)鍵相同
B.氯化氫溶于水或者熔融條件下均能電離出H+、Cl-
C.在相同溫度下,H2O的電離能力大于CH3CH2OH
D.固體NaOH、濃硫酸溶于水都放熱與微粒之間的相互作用有關(guān)
8.(2018·杭州市學(xué)軍中學(xué)高三選考前適應(yīng)性練習(xí))下列關(guān)于化學(xué)鍵及晶體的說(shuō)法中,不正確的是( )
A.Cl2、Br
5、2、I2的沸點(diǎn)逐漸升高,是因?yàn)榉肿娱g作用力越來(lái)越大
B.NaOH和NH4Cl化學(xué)鍵類型相同
C.N2和CCl4兩種分子中,每個(gè)原子的最外層都具有8電子穩(wěn)定結(jié)構(gòu)
D.石英晶體是原子晶體,其分子式為SiO2
9.(2018·杭州市學(xué)軍中學(xué)3月高三選考模擬)下列說(shuō)法正確的是( )
A.CCl4的沸點(diǎn)低于SiCl4,其原因是晶體類型不同
B.H2SO4溶于水能電離出H+和SO,所以硫酸是共價(jià)化合物
C.HClO易分解是因?yàn)镠ClO分子間作用力弱
D.離子化合物中不一定含有金屬元素
10.下列說(shuō)法正確的是( )
A.分子間作用力、離子鍵和共價(jià)鍵都是微粒間的作用力,其中分子間作用力
6、只影響物質(zhì)的熔、沸點(diǎn)而不影響物質(zhì)的溶解性
B.氫氧化鈉溶于水時(shí),離子鍵被破壞,共價(jià)鍵不受影響
C.在H2O、CO2和SiO2三種物質(zhì)中,都存在共價(jià)鍵,它們都是由分子構(gòu)成的物質(zhì)
D.SiCl4和HClO中,每個(gè)原子的最外層都具有8電子穩(wěn)定結(jié)構(gòu)
答案精析
1.B 2.C
3.B [A項(xiàng),Na2SO4晶體中既有Na+和SO之間的離子鍵,又有S和O原子間的共價(jià)鍵,錯(cuò)誤;B項(xiàng),由于HCl、HBr、HI分子組成相同,結(jié)構(gòu)相似,所以相對(duì)分子質(zhì)量越大其分子間作用力越強(qiáng),正確;C項(xiàng),金剛石是原子晶體,只存在原子間的共價(jià)鍵,故加熱熔化時(shí)只克服原子間的共價(jià)鍵,錯(cuò)誤;D項(xiàng),NH3中H原子只能是2電子結(jié)
7、構(gòu),錯(cuò)誤。]
4.C [A項(xiàng),碘化氫氣體分解和石英熔化克服的化學(xué)鍵都是共價(jià)鍵,類型相同,錯(cuò)誤;B項(xiàng),MgF2晶體中只存在離子鍵,錯(cuò)誤;C項(xiàng),Cl2、Br2、I2的分子間作用力依次增大,沸點(diǎn)依次升高,正確;D項(xiàng),NH3分子中,H原子的最外層是2電子穩(wěn)定結(jié)構(gòu),錯(cuò)誤。]
5.D [若最外層電子數(shù)+|化合價(jià)|=8,原子滿足最外層8電子結(jié)構(gòu),所以CS2中所含所有原子的最外層電子數(shù)均為8,故A正確;SiO2是原子晶體,沸點(diǎn)最高,CH4、CCl4都是分子晶體,相對(duì)分子質(zhì)量CH4
8、鍵,故D錯(cuò)誤。]
6.A [二氧化硅晶體中,硅原子與氧原子之間形成極性鍵,但是二氧化硅晶體屬于原子晶體,熔沸點(diǎn)很高,A錯(cuò)誤;Na2O、NaOH、Na2S、Na2SO4分別加熱熔化,破壞的都是離子鍵,因此克服相同類型的作用力,B正確;分子間作用力的大小主要確定分子的物理性質(zhì),如熔、沸點(diǎn)高低等,而分子穩(wěn)定性主要由分子內(nèi)部的共價(jià)鍵所決定,所以分子間作用力的大小無(wú)法決定分子穩(wěn)定性的高低,C正確;NaHSO4溶于水,完全電離出三種離子,破壞了離子鍵和共價(jià)鍵;NaHCO3溶于水,電離出鈉離子和碳酸氫根離子,破壞了離子鍵,碳酸氫根離子部分電離出氫離子和碳酸根離子,破壞了共價(jià)鍵,D正確。]
7.B [A項(xiàng)
9、,硅晶體熔化與碘化氫分解需克服的化學(xué)鍵相同,都要破壞共價(jià)鍵,正確;B項(xiàng),氯化氫溶于水能電離出H+、Cl-,在熔融條件下不能電離,錯(cuò)誤;C項(xiàng),H2O是電解質(zhì),而CH3CH2OH是非電解質(zhì),所以H2O的電離能力大于CH3CH2OH,正確;D項(xiàng),固體NaOH、濃硫酸溶于水都放熱與微粒之間的相互作用有關(guān),它們電離后形成水合離子時(shí)放熱,正確。]
8.D [A項(xiàng),分子間作用力越大,熔、沸點(diǎn)越高,Cl2、Br2、I2的沸點(diǎn)逐漸升高,是因?yàn)榉肿娱g作用力越來(lái)越大,正確;B項(xiàng),NaOH和NH4Cl化學(xué)鍵類型相同,都含有離子鍵和極性共價(jià)鍵,正確;C項(xiàng),N2和CCl4兩種分子中,每個(gè)原子的最外層都具有8電子穩(wěn)定結(jié)構(gòu)
10、,正確;D項(xiàng),石英晶體是原子晶體,所以SiO2是化學(xué)式,不是分子式,錯(cuò)誤。]
9.D [A項(xiàng),二者均為分子晶體,前者的相對(duì)分子質(zhì)量小于后者,因此CCl4的沸點(diǎn)低于SiCl4,錯(cuò)誤;B項(xiàng),H2SO4溶于水能電離出H+和SO,與硫酸是共價(jià)化合物無(wú)因果關(guān)系,錯(cuò)誤;C項(xiàng),HClO易分解與HClO分子間作用力無(wú)關(guān),與分子內(nèi)的化學(xué)鍵有關(guān),錯(cuò)誤;D項(xiàng),非金屬元素之間也能形成離子鍵,如銨鹽是由非金屬元素形成的離子化合物,正確。]
10.B [分子間作用力除影響熔、沸點(diǎn)外,還會(huì)影響溶解性,A錯(cuò)誤;氫氧化鈉溶于水時(shí),電離出Na+和OH-,破壞離子鍵,共價(jià)鍵不受影響,B正確;SiO2是原子晶體,不是由分子構(gòu)成的,C錯(cuò)誤;HClO中H原子最外層只有2個(gè)電子,D錯(cuò)誤。]