CMOS模擬集成電路設(shè)計(jì)ch2器件物理.ppt
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模擬CMOS集成電路設(shè)計(jì),第2章MOS器件物理基礎(chǔ),2.1基本概念,2,漏（D:drain）、柵（G:gate）、源（S:source）、襯底（B:bulk）,MOSFET：一個(gè)低功耗、高效率的開關(guān),MOS符號,3,模擬電路中常用符號,數(shù)字電路中常用,MOSFET是一個(gè)四端器件,2.2MOS的I/V特性,溝道的形成,4,5,閾值電壓VTHNMOS管的閾值電壓通常定義為界面的電子濃度等于P型襯底的多子濃度時(shí)的柵極電壓。,在基礎(chǔ)分析中，假定VGS大于VTH時(shí)，器件會突然導(dǎo)通。,通常通過溝道注入法來改變閾值電壓的大小。,6,MOS器件的3個(gè)工作區(qū),1.截止區(qū)cutoff,VGS下載提示(請認(rèn)真閱讀)
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- CMOS 模擬 集成電路設(shè)計(jì) ch2 器件 物理
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