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1、Group MeetingDong-Ming Fang April 18, 2008 Group Meeting Dong-Ming Fang April 18,2008 Work in the last two weeksCompleted 1 Read 2 Read 3 Read 4 Downloaded 5 Conceiving 6 Group Meeting Dong-Ming Fang April 18,2008 Work in the last two weeksv Completed PPT file for oral speechIn EnglishProper Content

2、s About 35 Pages Group Meeting Dong-Ming Fang April 18,2008 Work in the last two weeksv Thesis draft written by Design 1. Fabrication 2. Measured 3. Group Meeting Dong-Ming Fang April 18,2008 Work in the last two weeksv Processes Information StoragePECVD:SiO2, Si3N4, SiC Sputter: Ti, Au, Pt, Al, Cr,

3、 W, PbLPCVD: PolySi, SiO2,Si3N4Si Oxidation:HO,O 2,H2OMembraneIon Injection:As+,P+,B+,BF2+ Diffusion: P+,B+Adjusting ICP: Si, Ti/Al, Cr/Cu, Cr/Pt, Ti/Pt/Au, Pyrex, SiO2RIE:Si,SiO2,Si3N4, SiO2,Solutions: KOH, BHF, HF, H3PO4EtchingAnode (electrostatic), Au-Si, hotBonding Group Meeting Dong-Ming Fang A

4、pril 18,2008 Work in the last two weeks 1. Silicon Microfabrication : . 2. MEMS Reliability: . 3. NSFC Requisition : . 4. Other: Published papers of IMEv References and PPT files Group Meeting Dong-Ming Fang April 18,2008 Work in the last two weeksv Safety and Operation HandbookSafety Exit, Fire ext

5、inguisher, Shower equipment, Eye bath systemMSDS Health hazard, Fire hazard, Specific hazard, Reactivity Etching Room 600m2， Etching platform, Shelf, Reagent chemicals Group Meeting Dong-Ming Fang April 18,2008 Future work in the next weekSimulate .Read Learn Group Meeting Dong-Ming Fang April 18,20

6、08 Work in the last weekPassed the 1 Read references 2 Simulated and analyzed 3 Design the fabrication 4 Group Meeting Dong-Ming Fang April 18,2008 Work in the last weekTuning linearityOutput powerFrequency pullingTuning sensitivityFrequencyrangeHarmonic rejectionFrequency pushing The main performan

7、ce figures . Group Meeting Dong-Ming Fang April 18,2008 Work in the last month 2. 學 習 .仿真 1. 查 閱文獻 4. 進 實 驗室. 3. 工藝制作流程 Group Meeting Dong-Ming Fang April 18,2008 Work in the last month實 驗相關(guān) 曝光顯影 電 鍍 甩 膠烘膠 正 膠 AZ P4903 Group Meeting Dong-Ming Fang April 18,2008 Work in the last month2008.4.22用 2008.

8、4.25. 大 概 15um Group Meeting Dong-Ming Fang April 18,2008 Work in the last two weeks電 鍍 項目申請申請的準備3 .會 議投稿124 Group Meeting Dong-Ming Fang April 18,2008 Work in the last two weeks稀 釋 HF溶 液HF 0.4mol/L，腐 蝕 速 率 ：室 溫 100nm/s，32度 時 200nm/s HF 2.6mol/LHNO3 2.2mol/L32度 時 300nm/sTi濕法腐蝕 50:1:1 H2O:HF:HNO320:1

9、:1H2O:HF:H2O21:1:20HF:H2O2:HNO3 Group Meeting Dong-Ming Fang April 18,2008 Work in the last two weeksI2 0.09mol/LKI 0.6mol/L腐 蝕 速 率 ：室 溫 8-15nm/sAu濕法腐蝕 1:2:1 0I2:KI:H2O25g： 7g： 100mlBr2:KI:H2O 1:2:3HF:HAc:HNO3 Group Meeting Dong-Ming Fang April 18,2008 Work in the last two weeks國 家 基 金 對 項 目 的 要 求 越

10、 來 越 高基 礎(chǔ) 性前 瞻 性戰(zhàn) 略 性強調(diào)原創(chuàng)性提 高交 叉 項 目 的強 度 和 比 例強調(diào) 學科交叉 Group Meeting Dong-Ming Fang April 18,2008 Work in the last two weeks研 究 實 力 寫 作 技 巧創(chuàng) 新 思 想一 新 遮 百 丑基 金 有 多 種手 段 保 護創(chuàng) 新 思 想 以 往 的研 究 積 累和 研 究 水 平 準 確 、 清 晰 、具 體 、 可 行的 研 究 計 劃申 請 基 金 的 三 要 素 Group Meeting Dong-Ming Fang April 18,2008 Work in the

11、 last two weeks申 請 書 的 核 心 問 題創(chuàng)新性重要性實用性連 續(xù)性可行性做什么（What）-問 題的提出為什么（Why）-意義分析怎 么做（How）-技術(shù)路線工作積累實 驗 條件人才梯隊 Group Meeting Dong-Ming Fang April 18,2008 Work in the last two weeks立 項 依 據(jù)闡 述 項 目 對 社 會 或 經(jīng) 濟 的 意 義1 項 目2 目 標3 必 要 性4 Group Meeting Dong-Ming Fang April 18,2008 Work in the last two weeks 研 究 目

12、標1 研 究 內(nèi) 容2 擬 解 決 的 關(guān) 鍵 問 題3 充 分 反 映 特 色 和 創(chuàng) 新 點4 預 期 成 果5 研 究 方 案 Group Meeting Dong-Ming Fang April 18,2008 Work in the last two weeks支 持 條 件以 往 研 究 的 積 累1 研 究 者 的 水 平 和 專 長2 研 究 所 需 的 設(shè) 施 和 設(shè) 備3 合 作 研 究4 Group Meeting Dong-Ming Fang April 18,2008 Work in the last two weeks題 目 、 內(nèi) 容 摘 要 、 主 題 詞研 究

13、 組 組 成年 度 計 劃 及 預 期 進 展申 請 經(jīng) 費 的 額 度 和 預 算專 家 和 單 位 的 推 薦 意 見 1 2 3 4 5 其 它 內(nèi) 容 Group Meeting Dong-Ming Fang April 18,2008 Work in the last two monthsPECVD:SiO2, Si3N4, SiC Sputter: Ti, Au, Pt, Al, Cr, W, PbLPCVD: PolySi, SiO2,Si3N4Si Oxidation:HO,O 2,H2O薄 膜 工 藝Ion Injection:As+,P+,B+,BF2+ Diffusion

14、: P+,B+調(diào) 整 參 數(shù) ICP: Si, Ti/Al, Cr/Cu, Cr/Pt, Ti/Pt/Au, Pyrex, SiO2RIE:Si,SiO2,Si3N4, SiO2,Solutions: KOH, BHF, HF, H3PO4刻 蝕 工 藝Anode (electrostatic), Au-Si, hot鍵 合 工 藝微電子所工藝信息庫 Group Meeting Dong-Ming Fang April 18,2008 Work in the last two monthsMEMS和 IC的關(guān) 鍵 性差 別 IC無 可 動 部 件 ， 而 MEMS 器件 可 以 產(chǎn) 生 某 種

15、 運 動IC依 靠 其 表 面 之 下 的 各 種 效應(yīng) 來 工 作 ， 而 MEMS 基 本 上是 靠 表 面 效 應(yīng) 工 作 的 器 件IC本 質(zhì) 上 是 平 面 化 的 ，MEMS一 般 來 說 卻 不 是 Group Meeting Dong-Ming Fang April 18,2008 Work in the last two monthsMEMS的 優(yōu) 勢 集 成 化微 型 化 多 功 能低 成 本高 性 能 低 功 耗 Group Meeting Dong-Ming Fang April 18,2008 Work in the last two months.組 件 層 面 .

16、系 統(tǒng) 層 面.元 件 層 面 .技 術(shù) 層 面 Group Meeting Dong-Ming Fang April 18,2008 Work in the last two months.加 工 技 術(shù) 加 工 技 術(shù) 加 工 技 術(shù) Group Meeting Dong-Ming Fang April 18,2008 Work in the last two months單 晶 硅多 晶 硅鍵 合 技 術(shù)微 電 子 所四 個 體 硅標 準 工 藝 機 械 性 能 好 幾 何 尺 寸 大浪 費 硅 材 料與 IC兼 容 不好各 向 同 性 腐 蝕各 向 異 性 腐 蝕體 微 加 工 Gro

17、up Meeting Dong-Ming Fang April 18,2008 Work in the last two months表 面 微 加 工兩 層 多 晶 硅 表 面 微 加 工 （ 北 大 微 電 子 所 ）三 層 多 晶 硅 表 面 微 加 工 （ Berkley SA中 心 ， PolyMUMPs） 五 層 多 晶 硅 表 面 微 加 工 （ 美 國 Sandia國 家 實 驗 室 ）兩 層 MEMS結(jié) 構(gòu) ： 一 層 是 結(jié) 構(gòu) 材 料 ,另 一 層 為 地 面 材 料 多 晶 硅 作 為 結(jié) 構(gòu) 層 ， 淀 積 PSG作 為 犧 牲 層 ，氮 化 硅 作 為 電 隔 離

18、層兩 層 主 要 的 薄 膜 層 ， 結(jié) 構(gòu) 層 ： 多 晶 硅 ，犧 牲 層 ： 二 氧 化 硅 Group Meeting Dong-Ming Fang April 18,2008 Work in the last two monthsLIGA技 術(shù)LIGA技術(shù)準LIGA技術(shù)SLIGA技術(shù) 電 鍍( Galvanoformung ) 壓 模 (Abformung) 光 刻(Lithographie) Group Meeting Dong-Ming Fang April 18,2008 Work in the last two months襯 底 必 須 是 導 體 或 涂 有 導 電 材

19、料1 能 實 現(xiàn) 大 深 寬 比 結(jié) 構(gòu)2 材 料 廣 泛3 制 作 高 精 度 復 雜 圖 形4 易 于 大 批 量 生 產(chǎn)5 不 適 合 制 作 多 層 結(jié) 構(gòu)6 LIGA技 術(shù) 特 點 Group Meeting Dong-Ming Fang April 18,2008 Work in the last two months硅 /硅 鍵 合1、 靈 活 性 和 半導 體 工 藝 兼 容 性2、 溫 度 在 鍵 合過 程 中 起 著 關(guān) 鍵的 作 用3、 硅 片 表 面 的平 整 度 和 清 潔 度 硅 /玻 璃 鍵 合1、 兩 靜 電 鍵 合材 料 的 熱 膨 脹 系數(shù) 近 似 匹 配2

20、、 陽 極 的 形 狀影 響 鍵 合 效 果3、 表 面 狀 況 對鍵 合 力 也 有 影 響 金 屬 /玻 璃 鍵 合1、 電 壓 、 溫 度和 表 面 光 潔 度 影響 鍵 合 反 應(yīng)2、 離 子 擴 散 陽極 氧 化 影 響 鍵 合3、 鍵 合 界 面 處產(chǎn) 生 過 渡 層鍵 合 技 術(shù)鍵 合 技 術(shù) 可 以 將 表 面 加 工 和 體 加 工 有 機 地 結(jié) 合 在 一 起 Group Meeting Dong-Ming Fang April 18,2008 Work in the last two months三 維 MEMS結(jié) 構(gòu) 加 工 中 的 材 料結(jié) 構(gòu) 材 料 ：硅 、 玻

21、 璃 、半 導 體 材 料犧 牲 層 材 料 電 絕 緣 材 料功 能 材 料 ： 壓 電 材 料磁 致 伸 縮 材 料形 狀 記 憶 合 金 Group Meeting Dong-Ming Fang April 18,2008 Work in the last two months金 屬 ：如 Ti， Al，Cu， Cr 等 非 金 屬 ：二 氧 化 硅 、 氮 化 硅 、碳 化 硅 和 磷 硅 玻 璃 等有 機 物 和 聚 合 物 ： 如 光 刻 膠 ， 聚 酰 亞 胺 、PMMA、 SU-8等 犧 牲 層材 料 Group Meeting Dong-Ming Fang April 18,

22、2008 Work in the last two months前 CMOS (pre-CMOS) 混 合 CMOS( intermediate-CMOS) 后 CMOS(post-CMOS) CMOS-MEMS技 術(shù)： 將 MEMS部 分 和CMOS電 路 做 在 同一 塊 襯 底 上 一 種 是 在 CMOS結(jié) 構(gòu) 層 上 面 再 淀 積 一 層 結(jié) 構(gòu) 層 的 微 加 工 另 一 種 是 直 接 以 CMOS原 有 的 結(jié) 構(gòu) 層 作 為 MEMS結(jié) 構(gòu) 層 的 微 加 工 Group Meeting Dong-Ming Fang April 18,2008 Work in the fu

23、ture 2. 考慮 1. 完成 3. 制作 4. 加工 Group Meeting Dong-Ming Fang April 18,2008 Work in the last two weeks Attend 08MEMS training01 Write SC-JRP application02 Write application03 Design the 04 Group Meeting Dong-Ming Fang April 18,2008 Work in the last two weeksWrite SC-JRP applicationInput Chinese and Engl

24、ish version1 Contact with Vincent of NUS2 The joint unit not Univ., but A*STAR3 Cooperation failed, but be trained4 Group Meeting Dong-Ming Fang April 18,2008 Work in the last two weeksWrite .Proposal TitleComplex面 向 Group Meeting Dong-Ming Fang April 18,2008 Work in the last two weeks. Aims and Sig

25、nificanceMain objectives ApplicationsNovelty Methodology Group Meeting Dong-Ming Fang April 18,2008 Work in the last two weeksThe Develop Current Fabricate . Aims and Significance Group Meeting Dong-Ming Fang April 18,2008 Work in the last two weeksMain Objectivesinvestigate .study realize set up Gr

26、oup Meeting Dong-Ming Fang April 18,2008 Work in the last two weeksApplications Multiband Integration High . R Group Meeting Dong-Ming Fang April 18,2008 Work in the last two weeksNoveltyCurrent researchMost . This proposalInvestigate . Group Meeting Dong-Ming Fang April 18,2008 Work in the last two

27、 weeksMethodologySSS Single wafer Measure .Step2 Step3 Step4 Optimize Simulate . Silicon-based Traditional . Polymer Develop . Integrate switches . Test Modify Set upStep1Design Group Meeting Dong-Ming Fang April 18,2008 Work in July and in this termFinished 1 Simulate 2 Fabricate 3 Short 4 Group Me

28、eting Dong-Ming Fang April 18,2008 Work in July and in this termApplications Key Project Group Meeting Dong-Ming Fang April 18,2008 Work in July and in this termTiCo Dis Co Group Meeting Dong-Ming Fang April 18,2008 Work in July and in this termWork in this termSimulate .Fabricate Group Meeting Dong-Ming Fang April 18,2008 Work in the past two weeksDiscussed with1 Simulated 2 Analyzing 3 Designing 4