《微電子器件工藝課程設(shè)計(jì)》由會(huì)員分享，可在線閱讀，更多相關(guān)《微電子器件工藝課程設(shè)計(jì)（5頁(yè)珍藏版）》請(qǐng)?jiān)谘b配圖網(wǎng)上搜索。

1、 微電子器件工藝課程設(shè)計(jì) 1 2020 年 4 月 19 日 課

2、 程 設(shè) 計(jì) 課程名稱 微電子器件工藝課程設(shè)計(jì) 題目名稱 PNP 雙極型晶體管的設(shè)計(jì) 學(xué)生學(xué)院 ___ 材料與能源學(xué)院 ___ _ 專業(yè)班級(jí) 08 微電子學(xué) 1 班 學(xué) 號(hào) 學(xué)生姓名 ____ 張又文 __ _ 指導(dǎo)教師 魏愛香、何玉定 ___ 年 7 月 6 日 文檔僅供參考 廣東工業(yè)大學(xué)課程設(shè)計(jì)任務(wù)書 題目名稱

3、  pnp 雙極型晶體管的設(shè)計(jì) 學(xué)生學(xué)院  材料與能源學(xué)院 專業(yè)班級(jí)  微電子學(xué)專業(yè)  08 級(jí) 1 班 姓 名  張又文 學(xué) 號(hào) 一、課程設(shè)計(jì)的內(nèi)容 設(shè) 計(jì) 一 個(gè) 均 勻 摻 雜 的 pnp 型 雙 極 晶 體 管 , 使 T=300K 時(shí) , β=120。 VCEO=15V,VCBO=80V. 晶體管工作于小注入條件下 , 最大集電極電流為 I C=5mA。設(shè)計(jì)時(shí)應(yīng)盡量減小基區(qū)寬度調(diào)制效應(yīng)的影 響。 二

4、、課程設(shè)計(jì)的要求與數(shù)據(jù) 1．了解晶體管設(shè)計(jì)的一般步驟和設(shè)計(jì)原則 2．根據(jù)設(shè)計(jì)指標(biāo)設(shè)計(jì)材料參數(shù) , 包括發(fā)射區(qū)、基區(qū)和集電區(qū) 摻雜濃度 NE, N B, 和 NC, 根據(jù)各區(qū)的摻雜濃度確定少子的擴(kuò)散系數(shù) , 遷移率 , 擴(kuò)散長(zhǎng)度和壽命等。 3．根據(jù)主要參數(shù)的設(shè)計(jì)指標(biāo)確定器件的縱向結(jié)構(gòu)參數(shù) , 包括 集電區(qū)厚度 Wc, 基本寬度 Wb, 發(fā)射區(qū)寬度 We 和擴(kuò)散結(jié)深 Xjc , 發(fā)射結(jié) 結(jié)深 Xje 等。 4．根據(jù)擴(kuò)散結(jié)深 Xjc , 發(fā)射結(jié)結(jié)深 Xje 等確定基區(qū)和發(fā)射區(qū)預(yù) 擴(kuò)散和再擴(kuò)散的擴(kuò)散溫度和

5、擴(kuò)散時(shí)間 ; 由擴(kuò)散時(shí)間確定氧化層的氧 3 2020 年 4 月 19 日 文檔僅供參考 化溫度、氧化厚度和氧化時(shí)間。 5 ．根據(jù)設(shè)計(jì)指標(biāo)確定器件的圖形結(jié)構(gòu) , 設(shè)計(jì)器件的圖形尺寸 , 繪制出基區(qū)、發(fā)射區(qū)和金屬接觸孔的光刻版圖。 6. 根據(jù)現(xiàn)有工藝條件 , 制定詳細(xì)的工藝實(shí)施方案。 7．撰寫設(shè)計(jì)報(bào)告 三、課程設(shè)計(jì)應(yīng)完成的工作 1. 材料參數(shù)設(shè)計(jì) 2. 晶體管縱向結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì) 3. 晶體管的橫向結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì) ( 設(shè)計(jì)光刻基區(qū)、發(fā)射區(qū)和金屬化的掩膜版圖形 ) 4 ．工藝參

6、數(shù)設(shè)計(jì)和工藝操作步驟 5. 總結(jié)工藝流程和工藝參數(shù) 6. 寫設(shè)計(jì)報(bào)告 四、課程設(shè)計(jì)進(jìn)程安排 序 地點(diǎn) 起止日期 設(shè)計(jì)各階段內(nèi)容 號(hào) 1 教師布置設(shè)計(jì)任務(wù) , 講解設(shè)計(jì)要求和方法 教 1-310 .6.27 學(xué)生熟悉設(shè)計(jì)任務(wù) , 進(jìn)行資料查閱和整體 圖書館 2 設(shè)計(jì)方案的制定 工三 311 ．.6.28 設(shè)計(jì)晶體管的各區(qū)材料參數(shù)和結(jié)構(gòu)參數(shù)設(shè) 圖書館 3 計(jì) 工三 311 .6.29 教師集中輔導(dǎo) , 分析材料參數(shù)和結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì) 4. 中

7、存在的主要問(wèn)題 教 1-302 .6.30 實(shí)驗(yàn)室 2100.7.1- 5 晶體管工藝參數(shù)設(shè)計(jì) , 教 1-302 .7.2 6 繪制光刻基區(qū)、發(fā)射區(qū)和金屬化的版圖 實(shí)驗(yàn)室 .7.3 4 2020 年 4 月 19 日 文檔僅供參考 教 1-302 .7.4 教師集中輔導(dǎo) , 分析工藝設(shè)計(jì)中存在的主 實(shí)驗(yàn)室 8 要問(wèn)題 教 1- 301 .7.5 實(shí)驗(yàn)室 9 總結(jié)設(shè)計(jì)結(jié)果 , 寫設(shè)計(jì)報(bào)告 教 1-301 .7.6

8、 圖書館 , 10 寫課程設(shè)計(jì)報(bào)告 宿室 .7.7 11 教師組織驗(yàn)收 , 提問(wèn)答辯 實(shí)驗(yàn)室 .7.8 五、應(yīng)收集的資料及主要參考文獻(xiàn) 1．<半導(dǎo)體器件基礎(chǔ) >Robert F. Pierret 著 , 黃如譯 , 電子工業(yè) 出版社 , . 2 ．<半導(dǎo)體物理與器件  > 趙毅強(qiáng)等譯  , 電子工業(yè)出版社  , . 3 ．<硅集成電路工藝基礎(chǔ)  >,  關(guān)旭東編著  , 北京大學(xué)出版社  , .

9、 發(fā)出任務(wù)書日期 計(jì)劃完成日期 : 主管院長(zhǎng)簽章 :  :  7  年 月  6 月 27 日 指導(dǎo)教師簽名 8 日 基層教學(xué)單位責(zé)任人簽章  :  : 目錄 廣東工業(yè)大學(xué)課程設(shè)計(jì)任務(wù)書 3 一、設(shè)計(jì)任務(wù)及目標(biāo) 7 二、 晶體管的主要設(shè)計(jì)步驟和原則 8 2.1. 晶體管設(shè)計(jì)一般步驟 8 2.2 ．晶體管設(shè)計(jì)的基本原則 9 5 2020 年 4 月 19 日