微電子器件工藝課程設(shè)計(jì)12020 年 4 月 19 日課 程 設(shè) 計(jì)課程名稱微電子器件工藝課程設(shè)計(jì)題目名稱PNP 雙極型晶體管的設(shè)計(jì)學(xué)生學(xué)院 _材料與能源學(xué)院_專業(yè)班級(jí)08微電子學(xué)1 班學(xué)號(hào)學(xué)生姓名 _張又文_指導(dǎo)教師魏愛香、何玉定_年 7月 6日文檔僅供參考廣東工業(yè)大學(xué)課程設(shè)計(jì)任務(wù)書題目名稱pnp 雙極型晶體管的設(shè)計(jì)學(xué)生學(xué)院材料與能源學(xué)院專業(yè)班級(jí)微電子學(xué)專業(yè)08 級(jí) 1 班姓名張又文學(xué)號(hào)一、課程設(shè)計(jì)的內(nèi)容設(shè) 計(jì) 一 個(gè) 均 勻 摻 雜 的pnp型 雙 極 晶 體 管 , 使T=300K時(shí) , =120。 VCEO=15V,VCBO=80V. 晶體管工作于小注入條件下 , 最大集電極電流為 I C=5mA。設(shè)計(jì)時(shí)應(yīng)盡量減小基區(qū)寬度調(diào)制效應(yīng)的影響。二、課程設(shè)計(jì)的要求與數(shù)據(jù)1了解晶體管設(shè)計(jì)的一般步驟和設(shè)計(jì)原則2根據(jù)設(shè)計(jì)指標(biāo)設(shè)計(jì)材料參數(shù), 包括發(fā)射區(qū)、基區(qū)和集電區(qū)摻雜濃度NE, N B, 和 NC,根據(jù)各區(qū)的摻雜濃度確定少子的擴(kuò)散系數(shù),遷移率 , 擴(kuò)散長(zhǎng)度和壽命等。3根據(jù)主要參數(shù)的設(shè)計(jì)指標(biāo)確定器件的縱向結(jié)構(gòu)參數(shù), 包括集電區(qū)厚度Wc, 基本寬度Wb, 發(fā)射區(qū)寬度We 和擴(kuò)散結(jié)深Xjc ,發(fā)射結(jié)結(jié)深 Xje 等。4根據(jù)擴(kuò)散結(jié)深Xjc ,發(fā)射結(jié)結(jié)深Xje 等確定基區(qū)和發(fā)射區(qū)預(yù)擴(kuò)散和再擴(kuò)散的擴(kuò)散溫度和擴(kuò)散時(shí)間; 由擴(kuò)散時(shí)間確定氧化層的氧32020 年 4 月 19 日文檔僅供參考化溫度、氧化厚度和氧化時(shí)間。5根據(jù)設(shè)計(jì)指標(biāo)確定器件的圖形結(jié)構(gòu), 設(shè)計(jì)器件的圖形尺寸,繪制出基區(qū)、發(fā)射區(qū)和金屬接觸孔的光刻版圖。6. 根據(jù)現(xiàn)有工藝條件 , 制定詳細(xì)的工藝實(shí)施方案。7撰寫設(shè)計(jì)報(bào)告三、課程設(shè)計(jì)應(yīng)完成的工作1. 材料參數(shù)設(shè)計(jì)2. 晶體管縱向結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)3. 晶體管的橫向結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì) ( 設(shè)計(jì)光刻基區(qū)、發(fā)射區(qū)和金屬化的掩膜版圖形 )4 工藝參數(shù)設(shè)計(jì)和工藝操作步驟5. 總結(jié)工藝流程和工藝參數(shù)6. 寫設(shè)計(jì)報(bào)告四、課程設(shè)計(jì)進(jìn)程安排序地點(diǎn)起止日期設(shè)計(jì)各階段內(nèi)容號(hào)1教師布置設(shè)計(jì)任務(wù) , 講解設(shè)計(jì)要求和方法教 1-310.6.27學(xué)生熟悉設(shè)計(jì)任務(wù) , 進(jìn)行資料查閱和整體圖書館2設(shè)計(jì)方案的制定工三 311.6.28設(shè)計(jì)晶體管的各區(qū)材料參數(shù)和結(jié)構(gòu)參數(shù)設(shè)圖書館3計(jì)工三 311.6.29教師集中輔導(dǎo) , 分析材料參數(shù)和結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)4.中存在的主要問題教 1-302.6.30實(shí)驗(yàn)室2100.7.1-5晶體管工藝參數(shù)設(shè)計(jì) ,教 1-302.7.26繪制光刻基區(qū)、發(fā)射區(qū)和金屬化的版圖實(shí)驗(yàn)室.7.342020 年 4 月 19日文檔僅供參考教 1-302.7.4教師集中輔導(dǎo) , 分析工藝設(shè)計(jì)中存在的主實(shí)驗(yàn)室8要問題教 1- 301.7.5實(shí)驗(yàn)室9總結(jié)設(shè)計(jì)結(jié)果 , 寫設(shè)計(jì)報(bào)告教 1-301.7.6圖書館 ,10寫課程設(shè)計(jì)報(bào)告宿室.7.711教師組織驗(yàn)收 , 提問答辯實(shí)驗(yàn)室.7.8五、應(yīng)收集的資料及主要參考文獻(xiàn)1<半導(dǎo)體器件基礎(chǔ)>Robert F. Pierret著 , 黃如譯 , 電子工業(yè)出版社 , .2 <半導(dǎo)體物理與器件> 趙毅強(qiáng)等譯, 電子工業(yè)出版社, .3 <硅集成電路工藝基礎(chǔ)>,關(guān)旭東編著, 北京大學(xué)出版社, .發(fā)出任務(wù)書日期計(jì)劃完成日期 :主管院長(zhǎng)簽章 :7年月6月 27日指導(dǎo)教師簽名8 日 基層教學(xué)單位責(zé)任人簽章:目錄廣東工業(yè)大學(xué)課程設(shè)計(jì)任務(wù)書3一、設(shè)計(jì)任務(wù)及目標(biāo)7二、晶體管的主要設(shè)計(jì)步驟和原則82.1. 晶體管設(shè)計(jì)一般步驟82.2 晶體管設(shè)計(jì)的基本原則952020 年 4 月 19 日