習 題,第三章,3-2 在圖P3-2所示電路中，假設兩管n、Cox相同，VGS(th)=0.75V，ID2=1mA，若忽略溝道長度調制效應，并設T1管的溝道寬長比(W/l) 是T2管的5倍。試問流過電阻R的電流IR值。,解:,3-6 在圖P3-6所示電路中，已知增強型MOSFET的,，,，溝道長度調制效應忽略不計，試求IDQ、VGSQ、VDSQ、gm 、rds值 。,解:,IDQ、VGSQ,雙電源供電的N溝道增強型MOSFET電路如圖P3-7所示，已知VGS(th)=2V，nCox=200A/V2，W=40m ，l=10m。設=0，要求ID= 0.4mA，VD=1V，試確定RD，RS值。,3-7,解:,3-13,各種類型場效應管的輸出特性曲線如圖P3-13所示，試分別指出各場效應管的類型、符號和VGS(th)值，并畫出|VDS| =5V 時相應的轉移特性。,解: (a): N溝道, JFET (b): N溝道, DMOS FET (c): P溝道, DMOS FET,3-15,由有源電阻構成的分壓器如圖P3-15所示，設各管,相同，|VGS(th)|=1V、,=0，試指出各管工作區(qū)及其VO值。,解: (a): VO=8 V,MOS管都工作在飽和區(qū); (b): VO1=10/3 V, VO1=20/3 V, MOS管都工作在飽和區(qū); (c): VO=5 V,MOS管都工作在飽和區(qū).,3-16,圖P3-16所示為分壓式衰減電路，已知EMOS場效應管工作在非飽和區(qū)，VI=200mV，,VGS(th)=1.5V，試分別求出VGS=2.5V、3V時的VO值，并進行分析.,解:,VGS越大,MOS管電阻越小,