張 毅 剛 等 編 著 電 子 教 案 第 8章 89C51單 片 機 擴 展 存 儲 器 的 設 計8.1 系 統(tǒng) 擴 展 結 構 89C51系 統(tǒng) 擴 展 結 構 如 圖 8-1所 示 。 圖 8-1 由 圖 8-1可 以 看 出 ， 系 統(tǒng) 擴 展 主 要 包 括 存 儲 器 擴 展 和 I/O接口 部 件 擴 展 。外 部 存 儲 器 擴 展 又 包 括 程 序 存 儲 器 擴 展 和 數 據 存 儲 器 擴 展 。89C51采 用 的 是 哈 佛 結 構 。 擴 展 后 ， 系 統(tǒng) 形 成 了 兩 個 并 行的 外 部 存 儲 器 空 間 。89C51單 片 機 采 用 并 行 總 線 結 構 ， 大 大 增 加 了 系 統(tǒng) 的 靈 活 性 ，使 擴 展 易 于 實 現 ， 各 擴 展 部 件 只 要 符 合 總 線 規(guī) 范 ， 就 能很 方 便 地 接 入 系 統(tǒng) 。由 于 系 統(tǒng) 擴 展 是 以 89C51單 片 機 為 核 心 ， 通 過 總 線 把 89C51與 各 擴 展 部 件 連 接 起 來 。 因 此 ， 要 進 行 系 統(tǒng) 擴 展 首 先 要構 造 系 統(tǒng) 總 線 。 8.2 系 統(tǒng) 總 線 及 總 線 構 造按 功 能 通 常 把 系 統(tǒng) 總 線 分 為 三 組 ， 如 圖 8-1所 示 。 1 地 址 總 線 （ Adress Bus， AB）地 址 總 線 用 于 傳 送 單 片 機 發(fā) 出 的 地 址 信 號 ， 以 便 進 行 存 儲 單 元和 I/O接 口 芯 片 中 的 寄 存 器 選 擇 。 地 址 總 線 是 單 向 傳 輸 的 。2 數 據 總 線 (Data Bus， DB)數 據 總 線 用 于 在 單 片 機 與 存 儲 器 之 間 或 與 I/O端 口 之 間 傳 送 數據 。 數 據 總 線 是 雙 向 的 ， 可 以 進 行 兩 個 方 向 的 傳 送 。3 控 制 總 線 （ Control Bus， CB）控 制 總 線 實 際 上 就 是 單 片 機 發(fā) 出 的 各 種 控 制 信 號 線 。 8.2.1 構 造 系 統(tǒng) 總 線 系 統(tǒng) 擴 展 的 首 要 問 題 : 構 造 系 統(tǒng) 總 線 。系 統(tǒng) 總 線 上 “ 掛 ” 存 儲 器 芯 片 或 I/O接 口 芯 片 ， “ 掛 ” 存 儲 器 芯片 就 是 存 儲 器 擴 展 ， “ 掛 ” I/O接 口 芯 片 就 是 I/O擴 展 。1 以 P0口 作 為 低 8位 地 址 /數 據 總 線89C51由 于 受 引 腳 數 目 的 限 制 ， 數 據 線 和 低 8位 地 址 線 復 用 。為 了 將 它 們 分 離 出 來 ， 需 要 外 加 地 址 鎖 存 器 ， 從 而 構 成 與 一 般CPU相 類 似 的 片 外 三 總 線 ， 見 圖 8-2。 圖 8-2 2. 以 P2口 的 口 線 作 為 高 位 地 址 線P2口 的 全 部 8位 口 線 用 作 高 位 地 址 線 ， 再 加 上 P0口 經 地 址 鎖 存器 提 供 的 低 8位 地 址 ， 便 形 成 了 完 整 的 16位 地 址 總 線 （ 見 圖8-2） ， 使 尋 址 范 圍 達 到 64KB。3 控 制 信 號 線除 了 地 址 線 和 數 據 線 之 外 ， 還 要 有 系 統(tǒng) 的 控 制 總 線 。 這 些 信 號有 的 就 是 單 片 機 引 腳 的 第 一 功 能 信 號 ， 有 的 則 是 P3口 第 二 功能 信 號 。 其 中 包 括 ：（ 1） PSEN*信 號 作 為 外 擴 程 序 存 儲 器 的 讀 選 通 控 制 信 號 。 （ 2） RD*和 WR*信 號 作 為 外 擴 數 據 存 儲 器 和 I/O接 口 的 讀 、 寫 選通 控 制 信 號 。（ 3） ALE信 號 作 為 低 8位 地 址 的 鎖 存 控 制 信 號 。（ 4） EA*信 號 作 為 內 、 外 程 序 存 儲 器 的 選 擇 控 制 信 號 ?？?看 出 ， 盡 管 89C51單 片 機 有 4個 并 行 的 I/O口 ， 共 32條 口 線 ，但 由 于 系 統(tǒng) 擴 展 的 需 要 ， 真 正 作 為 數 字 I/O使 用 的 ， 就 剩下 P1口 和 P3口 的 部 分 口 線 了 。8.2 地 址 空 間 分 配 和 外 部 地 址 鎖 存 器8.2.1 存 儲 器 地 址 空 間 分 配 如 何 把 外 部 各 自 的 64KB空 間 分 配 給 各 個 程 序 存 儲 器 、 數 據 存 儲器 芯 片 ， 并 且 使 程 序 存 儲 器 的 各 個 芯 片 之 間 ， 數 據 存 儲 器 各芯 片 之 間 ， 為 避 免 發(fā) 生 數 據 沖 突 ， 一 個 存 儲 器 單 元 對 應 一 個地 址 ， 這 就 是 存 儲 器 的 地 址 空 間 的 分 配 問 題 。在 外 擴 的 多 片 存 儲 器 芯 片 中 ， 89C51要 完 成 這 種 功 能 ， 必 須 進行 兩 種 選 擇 ：一 是 必 須 選 中 該 存 儲 器 芯 片 （ 或 I/O接 口 芯 片 ） ， 這 稱 為 “ 片選 ” ， 只 有 被 “ 選 中 ” 的 存 儲 器 芯 片 才 能 被 89C51讀 出 或 寫入 數 據 。 為 了 片 選 的 需 要 ， 每 個 存 儲 器 芯 片 都 有 片 選 信 號 引腳 ，二 是 在 “ 片 選 ” 的 基 礎 上 再 選 擇 該 芯 片 的 某 一 單 元 ， 稱 為 “ 單元 選 擇 ” 。 常 用 的 存 儲 器 地 址 空 間 分 配 方 法 有 兩 種 ： 線 性 選 擇 法 （ 簡稱 線 選 法 ） 和 地 址 譯 碼 法 （ 簡 稱 譯 碼 法 ） ， 下 面 分 別 介紹 。1 線 選 法直 接 利 用 系 統(tǒng) 的 高 位 地 址 線 作 為 存 儲 器 芯 片 （ 或 I/O接 口 芯片 ） 的 “ 片 選 ” 控 制 信 號 。 為 此 ， 只 需 要 把 用 到 的 高 位地 址 線 與 存 儲 器 芯 片 的 “ 片 選 ” 端 直 接 連 接 即 可 。線 選 法 的 優(yōu) 點 是 電 路 簡 單 ， 不 需 要 另 外 增 加 地 址 譯 碼 器 硬件 電 路 ， 體 積 小 ， 成 本 低 。缺 點 是 可 尋 址 的 芯 片 數 目 受 到 限 制 。另 外 ， 地 址 空 間 不 連 續(xù) ， 每 個 存 儲 單 元 的 地 址 不 唯 一 ， 不 能 充 分 有 效 地 利 用 存 儲 空 間 ， 這 會 給 程 序 設 計 帶 來 一 些 不 便 ，只 適 用 于 外 擴 芯 片 數 目 不 多 的 單 片 機 系 統(tǒng) 的 存 儲 器 擴 展 。2 譯 碼 法使 用 譯 碼 器 對 89C51的 高 位 地 址 進 行 譯 碼 ， 將 譯 碼 器 的 譯 碼 輸出 作 為 存 儲 器 芯 片 的 片 選 信 號 。 是 最 常 用 的 地 址 空 間 分 配的 方 法 ， 它 能 有 效 地 利 用 存 儲 器 空 間 ， 適 用 于 多 芯 片 的 存儲 器 擴 展 。常 用 的 譯 碼 器 芯 片 有 74LS138（ 3-8譯 碼 器 ） 74LS139（ 雙 2-4譯 碼 器 ） 74LS154（ 4-16譯 碼 器 ） 。 若 全 部 高 位 地 址 線 都 參加 譯 碼 ， 稱 為 全 譯 碼 ； 若 僅 部 分 高 位 地 址 線 參 加 譯 碼 ， 稱 為 部 分 譯 碼 。 部 分 譯 碼 存 在 著 部 分 存 儲 器 地 址 空 間 相 重 疊 的情 況 。兩 種 常 用 的 譯 碼 器 芯 片 。（ 1） 74LS13874LS138是 3-8譯 碼 器 ， 有 3個 數 據 輸 入 端 ,經 譯 碼 產 生 8種 狀 態(tài) 。其 引 腳 如 圖 8-3所 示 ， 真 值 表 如 表 8-1所 示 。由 表 8-1可 見 ， 當 譯 碼 器 的 輸 入 為 某 一 固 定 編 碼 時 ， 其 輸 出 僅有 一 個 固 定 的 引 腳 輸 出 為 低 電 平 ， 其 余 的 為 高 電 平 。 而 輸出 為 低 電 平 的 引 腳 就 作 為 某 一 存 儲 器 芯 片 的 片 選 端 的 控 制信 號 。 圖 8-3 表 8-1 74LS138譯 碼 器 真 值 表 輸 入 輸 出 G1 G2A* G2B* C B A Y7* Y6* Y5* Y4* Y3* Y2* Y1* Y0* （ 2） 74LS13974LS139是 雙 2-4譯 碼 器 。 兩 個 譯 碼 器 完 全 獨 立 ， 分 別 有 各 自 的數 據 輸 入 端 、 譯 碼 狀 態(tài) 輸 出 端 以 及 數 據 輸 入 允 許 端 。 其 引 腳如 圖 8-4所 示 ， 真 值 表 如 表 8-2所 示 （ 見 P138） 。 圖 8-4 下 面 以 74LS138為 例 ， 介 紹 如 何 進 行 地 址 分 配 。例 要 擴 8片 8KB的 RAM 6264， 如 何 通 過 74LS138把 64KB空 間 分配 給 各 個 芯 片 ？ 64KB地 址 空 間 的 分 配 如 圖 8-5所 示 。 圖 8-5 采 用 全 地 址 譯 碼 方 式 ， 單 片 機 發(fā) 地 址 碼 時 ， 每 次 只 能 選 中 一 個存 儲 單 元 。 同 類 存 儲 器 間 不 會 產 生 地 址 重 疊 的 問 題 。如 果 用 74LS138把 64K空 間 全 部 劃 分 為 每 塊 4KB， 如 何 劃 分 呢 ？由 于 4KB空 間 需 要 12條 地 址 線 進 行 “ 單 元 選 擇 ” ， 而 譯 碼 器的 輸 入 有 3條 地 址 線 （ P2.6 P2.4） ， P2.7沒 有 參 加 譯 碼 ，P2.7發(fā) 出 的 0或 1決 定 了 選 擇 64KB存 儲 器 空 間 的 前 32KB還 是 后32KB， 由 于 P2.7沒 有 參 加 譯 碼 ， 就 不 是 全 譯 碼 方 式 ， 這 樣 前后 兩 個 32KB空 間 就 重 疊 了 。那 么 ， 這 32KB空 間 利 用 74LS138譯 碼 器 可 劃 分 為 8個 4KB空 間 。如 果 把 P2.7通 過 一 個 非 門 與 74LS138譯 碼 器 的 G1端 連 接 起 來 ，如 圖 8-6所 示 ， 就 不 會 發(fā) 生 兩 個 32KB空 間 重 疊 的 問 題 了 。 8.2.2 外 部 地 址 鎖 存 器地 址 鎖 存 器 芯 片 : 74LS373、 8282、 74LS573等 。1. 鎖 存 器 74LS373帶 有 三 態(tài) 門 的 8D鎖 存 器 ,其 引 腳 及 內 部 結 構 如 圖 8-7和 圖 8-8。 89C51與 74LS373的 連 接 如 圖 8-9所 示 。 圖 8-6 引 腳 說 明 如 下 :D7 D0: 8位 數 據 輸 入 線 。Q7 Q0: 8位 數 據 輸 出 線 。G: 數 據 輸 入 鎖 存 選 通 信 號 , 圖 8-7 圖 8-8 OE*: 數 據 輸 出 允 許 信 號 圖 8-9 74LS373功 能 如 表 8-3所 示 。表 8-3 74LS373功 能 表OE* G D Q0 1 1 10 1 0 00 0 不 變1 高 阻 態(tài) 2 鎖 存 器 74LS573 輸 入 的 D端 和 輸 出 的 Q端 依 次 排 在 芯 片 的 兩 側 ， 為 繪 制 印 刷 電路 板 時 的 布 線 提 供 了 方 便 。 圖 8-10 74LS573的 各 引 腳 說 明 如 下 :D7 D0： 8位 數 據 輸 入 線 。Q7 Q0： 8位 數 據 輸 出 線 。G ： 數 據 輸 入 鎖 存 選 通 信 號 ， 該 引 腳 與 74LS373的 G端 功 能 相同 。OE*： 數 據 輸 出 允 許 信 號 ， 低 電 平 有 效 。 當 該 信 號 為 低 電 平 時 ，三 態(tài) 門 打 開 ， 鎖 存 器 中 數 據 輸 出 到 數 據 輸 出 線 。 當 該 信 號為 高 電 平 時 ， 輸 出 線 為 高 阻 態(tài) 。 8.3 程 序 存 儲 器 EPROM的 擴 展 采 用 只 讀 存 儲 器 ， 非 易 失 性 。（ 1） 掩 膜 ROM在 制 造 過 程 中 編 程 。 成 本 較 高 ， 因 此 只 適 合 于 大 批 量 生 產 。（ 2） 可 編 程 ROM（ PROM）用 獨 立 的 編 程 器 寫 入 。 但 PROM只 能 寫 入 一 次 ， 且 不 能 再 修 改 。（ 3） EPROM電 信 號 編 程 ， 紫 外 線 擦 除 的 只 讀 存 儲 器 芯 片 。（ 4） E2PROM（ EEPROM）電 信 號 編 程 ， 電 信 號 擦 除 的 ROM芯 片 。 讀 寫 操 作 與 RAM幾 乎 沒 有什 么 差 別 ， 只 是 寫 入 的 速 度 慢 一 些 。 但 斷 電 后 能 夠 保 存 信 息 。（ 5） Flash ROM又 稱 閃 爍 存 儲 器 ， 簡 稱 閃 存 。 大 有 取 代 E 2PROM的 趨 勢 。 目 前 許 多 公 司 生 產 的 以 8051為 內 核 的 單 片 機 ， 在 芯 片 內 部 大多 集 成 了 數 量 不 等 的 Flash ROM。例 如 ， 美 國 ATMEL公 司 生 產 的 與 51系 列 單 片 機 兼 容 的 產 品89C2051/89C51/89C52/89C55， 片 內 分 別 有2KB/4KB/8KB/20KB的 Flash ROM， 來 作 為 EPROM使 用 。對 于 這 類 單 片 機 ， 在 片 內 的 Flash ROM滿 足 要 求 的 情 況 下 ， 擴展 外 部 程 序 存 儲 器 的 工 作 就 可 省 去 。 8.3.1 常 用 EPROM芯 片 介 紹典 型 芯 片 是 27系 列 產 品 ， 例 如 ， 2764（ 8KB 8） 、 27128（ 16KB 8） 、 27256（ 32KB 8） 、 27512（ 64KB 8） 。 “ 27” 后 面 的 數 字 表 示 其 位 存 儲 容 量 。隨 著 大 規(guī) 模 集 成 電 路 技 術 的 發(fā) 展 ， 大 容 量 存 儲 器 芯 片 的 產 量 劇增 ， 售 價 不 斷 下 降 ， 其 性 價 比 明 顯 增 高 ， 而 且 由 于 有 些 廠 家已 停 止 生 產 小 容 量 的 芯 片 ， 使 市 場 上 某 些 小 容 量 芯 片 的 價 格反 而 比 大 容 量 芯 片 還 貴 。所 以 ， 在 擴 展 程 序 存 儲 器 設 計 時 ， 應 盡 量 采 用 大 容 量 芯 片 。 1.常 用 的 EPROM芯 片27系 列 EPROM芯 片 的 引 腳 如 圖 8-11所 示 ， 參 數 見 表 8-4（ P143，略 ） 。圖 8-11中 的 引 腳 功 能 如 下 ：A0 A15： 地 址 線 引 腳 。 數 目 決 定 存 儲 容 量 來 定 ， 用 來 進 行 單 元選 擇 。D7 D0： 數 據 線 引 腳CE *： 片 選 輸 入 端OE* ： 輸 出 允 許 控 制 端PGM*： 編 程 時 ， 加 編 程 脈 沖 的 輸 入 端 Vpp： 編 程 時 ， 編 程 電 壓 （ +12V或 +25V） 輸 入 端Vcc： +5V， 芯 片 的 工 作 電 壓 。 GND： 數 字 地 。NC： 無 用 端 圖 8-11 2. EPROM芯 片 的 工 作 方 式5種 工 作 方 式 如 表 8-5所 示 。（ 1） 讀 出 方 式 片 選 控 制 線 為 低 ,同 時 輸 出 允 許 控 制 線 為 低 ， Vpp為 +5V，指 定 地 址 單 元 的 內 容 從 D7 D0上 讀 出 。 （ 2） 未 選 中 方 式 片 選 控 制 線 為 高 電 平 。（ 3） 編 程 方 式 Vpp端 加 上 規(guī) 定 高 壓 , CE *和 OE*端 加 合 適 電 平 (不 同 的 芯 片要 求 不 同 )， 就 能 將 數 據 線 上 的 數 據 寫 入 到 指 定 的 地 址 單元 。 （ 4） 編 程 校 驗 方 式 （ 5） 編 程 禁 止 方 式 輸 出 呈 高 阻 狀 態(tài) ， 不 寫 入 程 序 。8.3.2 程 序 存 儲 器 的 操 作 時 序1. 訪 問 程 序 存 儲 器 的 控 制 信 號（ 1） ALE （ 2） PSEN*（ 3） EA*如 果 指 令 是 從 片 外 EPROM中 讀 取 ， ALE用 于 低 8位 地 址 鎖 存 ，PSEN *接 外 擴 EPROM的 OE*腳 。P0口 :分 時 低 8位 地 址 總 線 和 數 據 總 線 ， P2口 :高 8位 地 址 線 。 2. 操 作 時 序 (1) 應 用 系 統(tǒng) 中 無 片 外 RAM 圖 8-12(a) (2) 應 用 系 統(tǒng) 中 接 有 片 外 RAM 圖 8-12(b) 由 圖 8-12(b)可 看 出 ：（ 1） 將 ALE用 作 定 時 脈 沖 輸 出 時 ， 執(zhí) 行 一 次 MOVX指 令 就 會 丟 失一 個 脈 沖 。（ 2） 只 有 在 執(zhí) 行 MOVX指 令 時 的 第 二 個 機 器 周 期 期 間 ， 地 址 總 線才 由 數 據 存 儲 器 使 用 。8.3.3 89C51與 EPROM的 接 口 電 路 設 計 1. 硬 件 接 口 電 路 設 計 時 ， 由 于 EPROM在 正 常 使 用 中 只 能 讀 出 ， 不 能 寫 入 ， 故EPROM芯 片 沒 有 寫 入 控 制 腳 ， 只 有 讀 出 控 制 腳 ， 記 為 OE*， 它與 89C51單 片 機 的 PSEN*相 連 ， 地 址 線 、 數 據 線 分 別 與 89C51的地 址 線 、 數 據 線 相 連 ， 片 選 端 的 控 制 可 采 用 線 選 法 或 譯 碼 法 。 圖 8-13為 外 擴 一 片 27128的 接 口 電 路 圖 。 圖 8-13 3. 使 用 多 片 EPROM的 擴 展 電 路89C51擴 展 4片 27128。 圖 8-14 圖 8-14中 的 片 選 控 制 信 號 由 譯 碼 器 產 生 。 4片 27128各 自 所 占 的地 址 空 間 ， 請 讀 者 自 己 分 析 。 8.4 靜 態(tài) 數 據 存 儲 器 的 擴 展在 單 片 機 應 用 系 統(tǒng) 中 ， 外 擴 的 數 據 存 儲 器 都 采 用 靜 態(tài) 數 據 存 儲器 （ SRAM） ， 所 以 只 討 論 SRAM與 89C51的 接 口 。所 擴 展 的 數 據 存 儲 器 空 間 地 址 由 P2口 提 供 高 8位 地 址 ， P0口 分 時提 供 低 8位 地 址 和 8位 雙 向 數 據 總 線 。 片 外 數 據 存 儲 器 RAM的 讀和 寫 由 89C51的 RD*（ P3.7） 和 WR*（ P3.6） 信 號 控 制 ， 而 片 外程 序 存 儲 器 EPROM的 輸 出 允 許 端 （ OE*） 由 89C51的 程 序 存 儲 器讀 選 通 信 號 PSEN*控 制 。盡 管 與 EPROM的 地 址 空 間 范 圍 都 是 相 同 的 ， 但 由 于 控 制 信 號 不 同 ， 故 不 會 發(fā) 生 總 線 沖 突 。 8.4.1 常 用 的 靜 態(tài) RAM（ SRAM） 芯 片典 型 型 號 有 :6116、 6264、 62128、 62256。 +5V電 源 供 電 ， 雙 列直 插 封 裝 ， 6116為 24引 腳 封 裝 ， 6264、 62128、 62256為 28引腳 封 裝 ， 引 腳 如 圖 8-15。各 引 腳 功 能 : A0 A14： 地 址 輸 入 線 。 D0 D7： 雙 向 三 態(tài) 數 據 線 。 CE *： 片 選 信 號 輸 入 。 對 于 6264芯 片 ， 當 26腳 (CS)為 高 電 平時 ,且 CE*為 低 電 平 時 才 選 中 該 片 。 OE*： 讀 選 通 信 號 輸 入 線 。 WE*： 寫 允 許 信 號 輸 入 線 ， 低 電 平 有 效 。 圖 8-15 Vcc： 工 作 電 源 +5VGND： 地工 作 方 式 有 讀 出 、 寫 入 、 維 持 三 種 ， 這 些 工 作 方 式 的 操 作 控 制如 表 8-6(P148)。8.4.2 外 擴 數 據 存 儲 器 的 讀 寫 操 作 時 序1.讀 片 外 RAM操 作 時 序 圖 8-16 2. 寫 片 外 RAM操 作 時 序 寫 是 CPU主 動 把 數 據 送 上 P0口 總 線 。 故 在 時 序 上 ， CPU先 向 P0口總 線 上 送 完 8位 地 址 后 ， 在 S3狀 態(tài) 就 將 數 據 送 到 P0口 總 線 。 圖 8-17 8.4.3 89C51與 RAM的 接 口 電 路 設 計 圖 8-18為 線 選 法 擴 展 外 部 數 據 存 儲 器 的 電 路 。 圖 8-18 地 址 線 為 A0 A12， 故 8031剩 余 地 址 線 為 三 根 。 用 線 選 法 可 擴展 3片 6264。 3片 6264對 應 的 存 儲 器 空 間 如 表 8-7。表 8-7 譯 碼 選 通 法 擴 展 ,如 圖 8-19所 示 。圖 8-19 各 62128芯 片 的 地 址 分 配 見 表 8-9。 表 8-9 各 片 62128地 址 分 配 P2.6 P2.7 譯 碼 輸 出 選 中 芯 片 地 址 范 圍 存 儲 容 量 0 0 YO* IC1 0000H-3FFFH 16K 0 1 Y1* IC2 4000H-7FFFH 16K 1 0 Y2* IC3 8000H-BFFFH 16K 1 1 Y3* IC4 C000H-FFFFH 16K 例 8-1 編 寫 程 序 將 片 外 數 據 存 儲 器 中 5000H 50FFH單 元 全 部清 零 方 法 1：用 DPTR作 為 數 據 區(qū) 地 址 指 針 ， 同 時 使 用 字 節(jié) 計 數 器 。 MOV DPTR， #5000H ； 設 置 數 據 塊 指 針 的 初 值 MOV R7， #00H ； 設 置 塊 長 度 計 數 器 初 值 CLR ALOOP： MOVX DPTR， A ； 把 某 一 單 元 清 零 INC DPTR ； 地 址 指 針 加 1 DJNZ R7， LOOP ； 數 據 塊 長 度 減 1， 若 不 為 ； 0則 繼 續(xù) 清 零HERE： SJMP HERE ； 執(zhí) 行 完 畢 ， 原 地 踏 步 方 法 2：用 DPTR作 為 數 據 區(qū) 地 址 指 針 ， 但 不 使 用 字 節(jié) 計 數 器 ， 而 是 比較 特 征 地 址 。 MOV DPTR， #5000HCLR ALOOP： MOVX DPTR， AINC DPTRMOV R7， DPLCJNE R7， #0， LOOP ； 與 末 地 址 +1比 較HERE： SJMP HERE 8.6 EPROM和 RAM的 綜 合 擴 展8.6.1 綜 合 擴 展 的 硬 件 接 口 電 路例 8-2 采 用 線 選 法 擴 展 2片 8KB的 RAM和 2片 8KB的 EPROM。 RAM選6264， EPROM選 2764。 擴 展 接 口 電 路 見 圖 8-20。 圖 8-20 （ 1） 控 制 信 號 及 片 選 信 號IC2和 IC4占 用 地 址 空 間 為 2000H 3FFFH共 8KB。 同 理 IC1、 IC3地 址 范 圍 4000H 5FFFH（ P2.6=1、 P2.5=0、 P2.7=0） 。線 選 法 地 址 不 連 續(xù) ， 地 址 空 間 利 用 不 充 分 。（ 2） 各 芯 片 地 址 空 間 分 配IC2和 IC4占 用 的 地 址 空 間 為 A000H BFFFH共 8KB。同 理 IC1、 IC3的 地 址 范 圍 為 C000H DFFFH。 4片 存 儲 器 各 自 所占 的 地 址 空 間 如 表 8-9所 示 。 例 8-3 采 用 譯 碼 器 法 擴 展 2片 8KB EPROM， 2片 8KB RAM。 EPROM選用 2764， RAM選 用 6264。 共 擴 展 4片 芯 片 。 擴 展 接 口 電 路 見 圖8-21。 圖 8-21 各 存 儲 器 地 址 范 圍 如 下 ： 表 8-9可 見 譯 碼 法 進 行 地 址 分 配 ， 各 芯 片 地 址 空 間 是 連 續(xù) 的 。 8.5.2 外 擴 存 儲 器 電 路 的 工 作 原 理 及 軟 件 設 計 1. 單 片 機 片 外 程 序 區(qū) 讀 指 令 過 程 2. 單 片 機 片 外 數 據 區(qū) 讀 /寫 數 據 過 程 例 如 ， 把 片 外 6000H單 元 的 數 送 到 片 內 RAM 50H單 元 ， 程 序 如 下 ：MOV DPTR， #6000HMOVX A， DPTRMOV 50H， A 例 如 ， 把 片 內 50H單 元 的 數 據 送 到 片 外 4000H單 元 中 ， 程 序 如 下 ：MOV A,50H MOV DPTR,#4000HMOVX DPTR,A89C51單 片 機 讀 寫 片 外 數 據 存 儲 器 中 的 內 容 ， 除 用 MOVX A,DPTR和 MOVX DPTR,A外 ， 還 可 使 用 MOVX A,Ri和 MOVX Ri,A。 這 時 通 過 P0口 輸 出 Ri中 的 內 容 （ 低 8位 地 址 ） ， 而 把P2口 原 有 的 內 容 作 為 高 8位 地 址 輸 出 。例 8-4 將 程 序 存 儲 器 中 以 TAB為 首 址 的 32個 單 元 的 內 容 依 次 傳送 到 外 部 RAM以 7000H為 首 地 址 的 區(qū) 域 去 。 DPTR指 向 標 號 TAB的 首 地 址 。 R0既 指 示 外 部 RAM的 地 址 ， 又 表 示數 據 標 號 TAB的 位 移 量 。 本 程 序 的 循 環(huán) 次 數 為 32， R0的 值 ：0 31， R0的 值 達 到 32就 結 束 循 環(huán) 。 程 序 如 下 ：MOV P2,#70HMOV DPTR,#TABMOV R0,#0AGIN: MOV A,R0MOVC A,A+DPTRMOVX R0,AINC R0CJNE R0,#32,AGINHERE: SJMP HERE TAB: DB 8.6 ATMEL89C51/89C55單 片 機 的 片 內 閃 爍 存 儲 器 AT89C51/89C52/89C55是 低 功 耗 、 高 性 能 的 片 內 含 有4KB/8KB/20KB閃 爍 可 編 程 /擦 除 只 讀 存 儲 器 ， 芯 片 內 的 閃 存允 許 在 線 編 程 或 采 用 通 用 的 編 程 器 對 其 重 復 編 程 。8.6.1 89C51的 性 能 及 片 內 閃 爍 存 儲 器 89C51的 主 要 性 能（ 1） 與 MCS-51微 控 制 器 系 列 產 品 兼 容 。（ 2） 片 內 有 4KB可 在 線 重 復 編 程 的 閃 爍 存 儲 器（ Flash Memory）（ 3） 存 儲 器 可 循 環(huán) 寫 入 /擦 除 10000次 。（ 4） 存 儲 器 數 據 保 存 時 間 為 10年 。（ 5） 寬 工 作 電 壓 范 圍 ： Vcc可 為 +2.7 6V。 （ 6） 全 靜 態(tài) 工 作 ： 可 從 0Hz 16MHz。（ 7） 程 序 存 儲 器 具 有 3級 加 密 保 護 。（ 8） 空 閑 狀 態(tài) 維 持 低 功 耗 和 掉 電 狀 態(tài) 保 存 存 儲 器 內 容 。 2. 片 內 閃 爍 存 儲 器 (Flash Memory) 目 前 ， 美 國 ATMEL公 司 生 產 的 帶 有 片 內 Flash存 儲 器 的AT89C51/89C52/89C55單 片 機 ， 由 于 價 格 便 宜 ， 且 與 MCS-51系 列 單 片 機 兼 容 ， 受 到 了 我 國 廣 大 工 程 技 術 人 員 的 歡 迎 。使 用 該 系 列 單 片 機 ， 可 省 去 外 擴 程 序 存 儲 器 的 工 作 ， 設 計 者 只需 了 解 片 內 閃 爍 存 儲 器 的 特 性 以 及 如 何 對 其 編 程 。 8.6.2 片 內 閃 爍 存 儲 器 的 編 程89C51的 I/O口 P0、 P1、 P2和 P3除 具 有 與 8031相 同 的 一 些 性 能 和用 途 外 ， 在 對 Flash編 程 時 ， P0口 還 可 接 收 代 碼 字 節(jié) ， 但 在程 序 校 驗 時 需 要 外 加 上 拉 負 載 電 阻 。在 Flash編 程 和 程 序 校 驗 期 間 ， P1口 接 收 低 位 地 址 字 節(jié) ， P2口 接收 高 位 地 址 位 和 一 些 控 制 信 號 ， P3口 也 接 收 Flash編 程 和 校驗 用 的 控 制 信 號 。 此 時 ， ALE/PROG*引 腳 是 編 程 脈 沖 輸 入（ PROG* ） 端 。 該 芯 片 內 有 三 個 加 密 位 ， 其 狀 態(tài) 可 以 是 編 程 （ P） 或 不 編 程（ U） ， 各 狀 態(tài) 提 供 的 功 能 見 表 8-11。如 果 加 密 位 LB1被 編 程 ， 則 EA*腳 的 電 平 在 復 位 時 被 采 樣 并 鎖 存 。若 器 件 在 加 電 時 不 進 行 復 位 ， 那 么 該 鎖 存 器 初 始 化 為 一 隨 機值 ， 并 在 復 位 有 效 前 始 終 保 持 該 值 。為 使 器 件 工 作 正 常 ， EA*的 鎖 存 值 必 須 與 引 腳 的 當 前 邏 輯 電 平一 致 。89C51的 三 個 加 密 位 可 以 不 被 編 程 （ U） 或 被 編 程 （ P） ， 以 獲得 表 8-11所 示 的 特 性 。 表 8-11對 89C51片 內 的 Flash存 儲 器 編 程 ， 設 計 者 只 需 在 市 場 上 購 買 相應 的 編 程 器 。 一 種 是 購 買 單 片 機 仿 真 開 發(fā) 系 統(tǒng) 時 就 帶 有 編程 器 ， 另 一 種 是 單 獨 購 買 編 程 器 。開 發(fā) 者 可 按 照 編 程 器 的 說 明 進 行 操 作 ， 如 想 對 寫 入 的 內 容 加 密 ，只 需 按 照 編 程 器 的 菜 單 ， 選 擇 加 密 功 能 選 項 即 可 。 編 程 器