《2019-2020年高考化學(xué)一輪總復(fù)習(xí) 物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)限時(shí)規(guī)范特訓(xùn)3（含解析）.doc》由會(huì)員分享，可在線閱讀，更多相關(guān)《2019-2020年高考化學(xué)一輪總復(fù)習(xí) 物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)限時(shí)規(guī)范特訓(xùn)3（含解析）.doc（8頁(yè)珍藏版）》請(qǐng)?jiān)谘b配圖網(wǎng)上搜索。

2019-2020年高考化學(xué)一輪總復(fù)習(xí) 物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)限時(shí)規(guī)范特訓(xùn)3（含解析） 1．[xx河北衡水中學(xué)調(diào)研]據(jù)某科學(xué)雜志報(bào)道，國(guó)外有一研究發(fā)現(xiàn)了一種新的球形分子，它的分子式為C60Si60，其分子結(jié)構(gòu)好似中國(guó)傳統(tǒng)工藝品“鏤雕”，經(jīng)測(cè)定其中包含C60，也有Si60結(jié)構(gòu)。下列敘述正確的是(　　) A. 該物質(zhì)有很高的熔點(diǎn)、很大的硬度 B. 該物質(zhì)形成的晶體屬于分子晶體 C. 該物質(zhì)分子中Si60被包裹在C60里面 D. 該物質(zhì)的相對(duì)分子質(zhì)量為1200 答案：B 解析：由分子式及信息可知該物質(zhì)為分子晶體，A錯(cuò)誤，B正確；Si的原子半徑大于C，所以Si60的體積大于C60的體積，C錯(cuò)誤；相對(duì)分子質(zhì)量為(12＋28)60＝2400，D錯(cuò)誤。 2．高溫下，超氧化鉀晶體(KO2)呈立方體結(jié)構(gòu)。如圖為超氧化鉀晶體的一個(gè)晶胞(晶體中最小的重復(fù)單元)。則下列有關(guān)說(shuō)法正確的是(　　) A. 與K＋最近且距離相等的K＋有6個(gè) B. 超氧化鉀的化學(xué)式為KO2，每個(gè)晶胞含有1個(gè)K＋和1個(gè)O C. 晶體中與每個(gè)K＋距離最近的O有6個(gè) D. 晶體中，所有原子之間都以離子鍵相結(jié)合 答案：C 解析：根據(jù)題給信息，超氧化鉀晶體是面心立方晶體，超氧化鉀晶體(KO2)是離子化合物，陰、陽(yáng)離子分別為O、K＋，晶體中K＋與O間形成離子鍵，O中O－O鍵為共價(jià)鍵。作為面心立方晶體，每個(gè)晶胞中含有K＋：8＋6＝4(個(gè))，O：1＋12＝4(個(gè))，晶胞中與每個(gè)K＋距離相等且最近的O有6個(gè)，最近且距離相等的K＋有12個(gè)。 3. 測(cè)知氯化鈉晶體中相鄰的Na＋與Cl－的距離為a cm，該晶體密度為d gcm－3，則阿伏加德羅常數(shù)可表示為(　　) A. 　　　　 B. C. D. 答案：C 解析： 一個(gè)NaCl的晶胞中所包含的Na＋與Cl－數(shù)目并不是1個(gè)而是4個(gè)，即1個(gè)NaCl晶胞的體積實(shí)際上是4個(gè)Na＋和4個(gè)Cl－共同所占的體積。由NaCl晶胞示意圖可知1個(gè)Na＋與1個(gè)Cl－共同占有的體積為V＝(2a cm)3＝2a3 cm3，由等式NAdV＝58.5，可得NA＝。 4．下表給出幾種氯化物的熔點(diǎn)和沸點(diǎn)： NaCl MgCl2 AlCl3 SiCl4 熔點(diǎn)/℃ 801 714 190 －70 沸點(diǎn)/℃ 1413 1412 180 57.57 有關(guān)表中所列四種氯化物的性質(zhì)，有以下敘述：①氯化鋁在加熱時(shí)能升華，②四氯化硅在晶態(tài)時(shí)屬于分子晶體，③氯化鈉晶體中粒子之間以范德華力結(jié)合，④氯化鋁晶體是典型的離子晶體。其中與表中數(shù)據(jù)一致的是(　　) A. ①② B. ②③ C. ①②④ D. ②④ 答案：A 解析：氯化鋁的熔、沸點(diǎn)都很低，其晶體應(yīng)該是分子晶體，并且沸點(diǎn)比熔點(diǎn)還低，加熱時(shí)容易升華；四氯化硅是共價(jià)化合物，并且熔、沸點(diǎn)很低，應(yīng)該屬于分子晶體；氯化鈉是離子晶體。 5. [xx南京三中期末]下列關(guān)于晶體的說(shuō)法正確的組合是 ( 　　 ) CaTiO3的晶體結(jié)構(gòu)模型 (圖中Ca2＋、O2－、Ti4＋分別位于立方體的體心、面心和頂點(diǎn)) ①分子晶體中都存在共價(jià)鍵②在晶體中只要有陽(yáng)離子就一定有陰離子 ③金剛石、SiC、NaF、NaCl、H2O、H2S晶體的熔點(diǎn)依次降低④離子晶體中只有離子鍵沒(méi)有共價(jià)鍵，分子晶體中肯定沒(méi)有離子鍵?、軨aTiO3晶體中(晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示)每個(gè)Ti4＋和12個(gè)O2－相緊鄰⑥SiO2晶體中每個(gè)硅原子與兩個(gè)氧原子以共價(jià)鍵相結(jié)合⑦晶體中分子間作用力越大，分子越穩(wěn)定⑧氯化鈉熔化時(shí)離子鍵被破壞 A. ①②③⑥　　　　　　 B. ①②④ C. ③⑤⑦ D. ③⑤⑧ 答案：D 解析：①稀有氣體形成的分子晶體中沒(méi)有化學(xué)鍵，故①錯(cuò)；②金屬晶體中只存在陽(yáng)離子和自由電子，沒(méi)有陰離子，故②錯(cuò)；③熔點(diǎn)：原子晶體>離子晶體>分子晶體，C—C鍵比C—Si鍵短，故熔點(diǎn)：金剛石>SiC，離子半徑：F－NaCl，H2O分子間可形成氫鍵，H2S分子間只有范德華力，故熔點(diǎn)：H2O>H2S，③正確；④NaOH、Na2O2、NH4Cl等離子晶體中也存在共價(jià)鍵，故④錯(cuò)；⑥SiO2中，每個(gè)Si原子與4個(gè)氧原子以共價(jià)鍵相結(jié)合，故⑥錯(cuò)；⑦分子的穩(wěn)定性決定于共價(jià)鍵的強(qiáng)弱，與分子間作用力無(wú)關(guān)。綜上所述，D項(xiàng)正確。 6．[xx上海高三模擬]下面的排序不正確的是(　　) A. 晶體熔點(diǎn)由低到高：CF4晶體硅 C. 熔點(diǎn)由高到低：Na>Mg>Al D. 晶格能由大到?。篘aF>NaCl>NaBr>NaI 答案：C 解析：選項(xiàng)A中晶體熔點(diǎn)與分子間作用力有關(guān)，相對(duì)分子質(zhì)量大，分子間作用力大，選項(xiàng)A正確；選項(xiàng)B中硬度與共價(jià)鍵的鍵能有關(guān)，由于Si—Si鍵的鍵長(zhǎng)大于C—Si鍵的鍵長(zhǎng)大于C—C鍵的鍵長(zhǎng)，鍵長(zhǎng)越長(zhǎng)，鍵能越小，選項(xiàng)B正確；選項(xiàng)C中熔點(diǎn)與金屬鍵的強(qiáng)弱有關(guān)，金屬性強(qiáng)，金屬鍵弱，因此正確的順序?yàn)锳l>Mg>Na；選項(xiàng)D中晶格能的大小與離子半徑和離子所帶電荷數(shù)有關(guān)，選項(xiàng)D正確。 7．[xx湖北部分重點(diǎn)中學(xué)第一次聯(lián)考]已知C3N4晶體很可能具有比金剛石還大的硬度，且原子間均以單鍵結(jié)合。下列關(guān)于C3N4晶體的說(shuō)法正確的是(　　) A. C3N4晶體是分子晶體 B. C3N4晶體中，C—N鍵的鍵長(zhǎng)比金剛石的C—C鍵的鍵長(zhǎng)要長(zhǎng) C. C3N4晶體是每個(gè)C原子連接4個(gè)N原子，每個(gè)N原子連接3個(gè)C原子 D. C3N4晶體中微粒間通過(guò)離子鍵結(jié)合 答案：C 解析：本題考查物質(zhì)結(jié)構(gòu)與化學(xué)鍵等知識(shí)，考查考生的知識(shí)遷移能力，難度中等。由題知C3N4晶體中微粒間以共價(jià)鍵結(jié)合，形成空間網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)的原子晶體；因原子半徑：C>N，故C3N4晶體中，C—N鍵的鍵長(zhǎng)比金剛石的C—C鍵的鍵長(zhǎng)要短；利用C、N價(jià)電子數(shù)目可知，C3N4晶體中每個(gè)C原子連接4個(gè)N原子，每個(gè)N原子連接3個(gè)C原子。 8．[xx江蘇泰州期中]確定物質(zhì)性質(zhì)的重要因素是物質(zhì)結(jié)構(gòu)。請(qǐng)回答下列問(wèn)題。 (1)已知A和B為第三周期元素，其原子的第一至第四電離能如下表所示： 電離能/kJmol－1 I1 I2 I3 I4 A 578 1817 2745 11578 B 738 1451 7733 10540 A通常顯________價(jià)，A的電負(fù)性________B(填“>”“<”或“＝”，下同)的電負(fù)性；A的第一電離能________B的第一電離能。 (2)實(shí)驗(yàn)證明：KCl、MgO、CaO、TiN這4種晶體的結(jié)構(gòu)與NaCl晶體結(jié)構(gòu)相似(如圖1所示，其中TiN中N呈－3價(jià))，已知3種離子晶體的晶格能數(shù)據(jù)如下表： 離子晶體 KCl MgO CaO 晶格能/kJmol－1 715 3791 3401 則該4種離子晶體的熔點(diǎn)從高到低的順序是________，其中MgO晶體中一個(gè)Mg2＋周圍和它最鄰近且等距離的Mg2＋有________個(gè)。 (3)金屬陽(yáng)離子含未成對(duì)電子越多，則磁性越大，磁記錄性能越好。離子型氧化物V2O5和CrO2中，適合作錄音帶磁粉原料的是________。 (4)某配合物的分子結(jié)構(gòu)如圖2所示，其分子內(nèi)不含有________(填序號(hào))。 A. 離子鍵 B. 極性鍵 C. 金屬鍵 D. 配位鍵 E. 氫鍵 F. 非極性鍵 (5)某離子X(jué)＋中所有電子正好充滿K、L、M三個(gè)電子層，它與N3－形成晶體的結(jié)構(gòu)如圖3所示。X的元素符號(hào)是________，與同一個(gè)N3－相連的X＋有________個(gè)。 (6)CaC2中C與O互為等電子體，O的電子式可表示為_(kāi)_______，1 mol O中含有的π鍵數(shù)目為_(kāi)_______。 答案：(1)＋3　>　< (2)TiN>MgO>CaO>KCl　12 (3)CrO2　(4)AC　(5)Cu　6 (6)[O??O]2＋　2NA 解析：(1)從表中數(shù)據(jù)可知A為Al，B為Mg，鎂的電負(fù)性小于鋁，而鋁的第一電離能小于鎂。 (2)采用X、Y、Z三軸切割的方法知，Mg2＋周圍和它最鄰近且等距離的Mg2＋有12個(gè)。 (3)金屬陽(yáng)離子含未成對(duì)電子越多，則磁性越大，磁記錄性能越好，V5＋核外電子排布式為1s22s22p63s23p6，核外沒(méi)有未成對(duì)電子，Cr4＋核外電子排布式為1s22s22p63s23p63d2，有2個(gè)未成對(duì)電子，所以適合作錄音帶磁粉原料的是CrO2。 (4)該配合物中，碳原子和碳原子之間存在非極性共價(jià)鍵，碳原子和氫原子之間存在極性共價(jià)鍵，鎳原子和氮原子之間存在配位鍵，氧原子和另一分子中與氧原子相連的氫原子間存在氫鍵。 (5)某離子X(jué)＋中所有電子正好充滿K、L、M三個(gè)電子層，該離子含有28個(gè)電子，則X＋為Cu＋；采用X、Y、Z三軸切割的方法知與N3－相連的Cu＋個(gè)數(shù)是6。 (6)CaC2中C與O、N2都互為等電子體，由氮?dú)夥肿拥碾娮邮街狾的電子式為[O??O]2＋；每個(gè)O中含有2個(gè)π鍵，所以1 mol O中含有的π鍵數(shù)目是2NA。 9．[xx長(zhǎng)沙模擬]I. CuCl和CuCl2都是重要的化工原料，常用作催化劑、顏料、防腐劑和消毒劑等。 已知：①CuCl可以由CuCl2用適當(dāng)?shù)倪€原劑如SO2，SnCl2等還原制得： 2Cu2＋＋2Cl－＋SO2＋2H2O2CuCl↓＋4H＋＋SO 2CuCl2＋SnCl2===2CuCl↓＋SnCl4 ②CuCl2溶液與乙二胺(H2N—CH2—CH2—NH2)可形成配離子： 請(qǐng)回答下列問(wèn)題： (1)基態(tài)Cu原子的核外電子排布式為_(kāi)_______；H、N、O三種元素的電負(fù)性由大到小的順序是________。 (2)SO2分子的空間構(gòu)型為_(kāi)_______；與SnCl4互為等電子體的一種離子的化學(xué)式為_(kāi)_______。 (3)乙二胺分子中氮原子軌道的雜化類型為_(kāi)_______。乙二胺和三甲胺[N(CH3)3]均屬于胺，但乙二胺比三甲胺的沸點(diǎn)高的多，原因是________。 (4)②中所形成的配離子中含有的化學(xué)鍵類型有________(填字母)。 a. 配位鍵　b. 極性鍵　c. 離子鍵　d. 非極性鍵 Ⅱ.固體二氧化碳外形似冰，受熱汽化無(wú)液體產(chǎn)生，俗稱“干冰”，根據(jù)干冰晶胞結(jié)構(gòu)回答： (5)干冰中1個(gè)分子周圍有________個(gè)緊鄰分子。 (6)堆積方式與干冰晶胞類型相同的金屬有________(從“Cu，Mg，K，Po”中選出正確的)，其空間利用率為_(kāi)_________________。 Ⅲ.釔鋇銅氧的晶胞結(jié)構(gòu)如圖。研究發(fā)現(xiàn)，此高溫超導(dǎo)體中的銅元素有兩種價(jià)態(tài)：＋2價(jià)和＋3價(jià)。 (7)根據(jù)圖示晶胞結(jié)構(gòu)，推算晶體中Y、Cu、Ba和O原子個(gè)數(shù)比，確定其化學(xué)式為_(kāi)_______。 (8)根據(jù)(7)所推出的化合物的組成(該化合物中各元素的化合價(jià)為Y ＋3，Ba ＋2)，計(jì)算該物質(zhì)中＋2價(jià)和＋3價(jià)的銅離子個(gè)數(shù)比為_(kāi)_______。 答案：(1)1s22s22p63s23p63d104s1(或[Ar]3d104s1) O>N>H (2)V形　SO、SiO等 (3)sp3雜化　乙二胺分子間可以形成氫鍵，三甲胺分子間不能形成氫鍵 (4)abd　(5)12　(6)Cu　74%　(7)YCu3Ba2O7 (8)2∶1 解析：本題考查物質(zhì)結(jié)構(gòu)的知識(shí)。(1)根據(jù)洪特規(guī)則及能量最低原理可知，當(dāng)銅原子的3d軌道上的電子處于全充滿狀態(tài)，整個(gè)體系能量最低，即基態(tài)Cu原子的核外電子式為[Ar]3d104s1。元素的非金屬性越強(qiáng)，電負(fù)性越大，非金屬性由強(qiáng)到弱為O、N、H。(3)乙二胺中氮原子軌道的雜化類型等同于氨分子，根據(jù)分子構(gòu)型，四面體形(三角錐形、V形)分子為sp3雜化。根據(jù)乙二胺的結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)式可知乙二胺分子間存在氫鍵，而三甲胺分子間不能形成氫鍵，氫鍵可以使熔沸點(diǎn)升高。(4)根據(jù)配離子的結(jié)構(gòu)式可知在乙二胺中存在碳碳之間的非極性鍵，C與H，N與H，C與N之間的極性鍵，還有N與Cu之間的配位鍵。(5)干冰分子晶體的晶胞中，CO2分子位于晶胞立方體的頂點(diǎn)和面心上，則每個(gè)分子周圍緊鄰的每層上有4個(gè)，3層共12個(gè)。(7)根據(jù)晶胞的結(jié)構(gòu)可知Ba、Y均位于晶胞內(nèi)部，則每個(gè)晶胞中Ba有2個(gè)，Y有1個(gè)，Cu位于頂點(diǎn)和棱上，則Cu有81/8＋81/4＝3，O位于面心和棱上，則有81/2＋121/4＝7，則化學(xué)式為YCu3Ba2O7。(8)假設(shè)＋2價(jià)Cu個(gè)數(shù)為a，＋3價(jià)Cu個(gè)數(shù)為b，根據(jù)物質(zhì)中正負(fù)化合價(jià)代數(shù)和為0可知：＋3＋(＋2)2＋(＋2)a＋(＋3)b＋(－2)7＝0，簡(jiǎn)得2a＋3b＝7，且a＋b＝3，可解得a＝2，b＝1。 10．[xx東北三省三校一模]已知R、W、X、Y、Z是周期表中前四周期元素，它們的原子序數(shù)依次遞增。R的基態(tài)原子中占據(jù)啞鈴形原子軌道的電子數(shù)為1；W的氫化物的沸點(diǎn)比同族其他元素氫化物的沸點(diǎn)高；X2＋與W2－具有相同的電子層結(jié)構(gòu)；Y元素原子的3p能級(jí)處于半充滿狀態(tài)；Z＋的電子層都充滿電子。請(qǐng)回答下列問(wèn)題： (1)寫(xiě)出Z的基態(tài)原子的電子排布式：_____________________。 (2)R的某種鈉鹽晶體，其陰離子Am－(含R、W、氫三種元素)的球棍模型如圖所示，在Am－中，R原子軌道雜化類型有________；m＝________(填數(shù)字)。 (3)經(jīng)X射線探明，X與W形成化合物的晶體結(jié)構(gòu)與NaCl的晶體結(jié)構(gòu)相似，X2＋的配位原子所構(gòu)成的立體幾何構(gòu)型為_(kāi)_______。 (4)往Z的硫酸鹽溶液中加入過(guò)量氨水，可生成[Z(NH3)4]SO4，下列說(shuō)法正確的是________。 A. [Z(NH3)4]SO4中所含的化學(xué)鍵有離子鍵、極性鍵和配位鍵 B. 在[Z(NH3)4]2＋中Z2＋給出孤對(duì)電子，NH3提供空軌道 C. [Z(NH3)4]SO4組成元素中第一電離能最大的是氧元素 D. SO與PO互為等電子體，空間構(gòu)型均為四面體 (5)固體YCl5的結(jié)構(gòu)實(shí)際上是YCl和YCl構(gòu)成的離子晶體，其晶體結(jié)構(gòu)與CsCl相似。若晶胞邊長(zhǎng)為a pm，則晶胞的密度為_(kāi)_______ gcm－3。 答案：(1)[Ar]3d104s1　(2)sp2、sp3　2　(3)正八面體　(4)AD　(5) 解析：本題考查物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)知識(shí)，考查考生對(duì)化學(xué)理論知識(shí)的理解能力、推理能力和運(yùn)用能力。由已知條件可推出Y為P，Z為Cu，X為Mg，W為O，則R為B。(2)在Am－中B的原子軌道雜化類型有sp2和sp3，由模型可知Am－中有4個(gè)B原子、4個(gè)H原子、9個(gè)O原子，所以m＝2。(4)[Z(NH3)4]SO4含有的化學(xué)鍵有離子鍵、極性鍵和配位鍵，A正確；在[Z(NH3)4]2＋中NH3給出孤對(duì)電子，Z2＋提供空軌道，B錯(cuò)誤；H、N、O、S、Cu的第一電離能中，最大的是N的第一電離能，C錯(cuò)誤；SO和PO互為等電子體，空間構(gòu)型均為四面體，D正確。(5)晶胞的密度為。