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高電壓答案第3章(一)

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高電壓答案第3章(一)

第三章參考(1)1、 試比較電介質(zhì)各種極化的性質(zhì)和特點極化形式介質(zhì)極化時間 (頻率)能量損耗溫度影響電子位移極化所有介質(zhì)10-14 10-15 s無極小離子位移極化離子式結(jié)構(gòu)的 介質(zhì)10-12 10-13 s幾乎無損耗具后止的溫度系數(shù)轉(zhuǎn)向極化極性電介質(zhì)10-10 10-2 s電源頻率提高時 極化率減小旋轉(zhuǎn)時克服分子 間的吸引力而消 耗的電場能量后較大影響:取初 隨溫度增高而增 力口,當(dāng)熱運(yùn)動變得 較強(qiáng)烈時,又隨溫 度升高也減小??臻g電荷極化層式結(jié)構(gòu)介質(zhì) 介質(zhì)中中晶格 缺陷從幾十分之一秒 到幾分鐘,甚至 有長達(dá)幾小時有能量損耗溫度影響電導(dǎo),電 導(dǎo)影響空間極化2、 極性液體和極性固體電介質(zhì)的相對介電常數(shù)與溫度和電壓頻率的關(guān)系如何?為什么?答:溫度對極性介質(zhì)的r有很大影響。低溫時,分子間的黏附力 強(qiáng),轉(zhuǎn)向較難,轉(zhuǎn)向極化對介電常數(shù)的貢獻(xiàn)較??;隨著溫度升高, 分子間聯(lián)系減弱,轉(zhuǎn)向極化加強(qiáng),介電常數(shù)隨之增大。但另一方 面,溫度升高時,分子的熱運(yùn)動加劇,對極性分子定向排列的干 擾也隨之增強(qiáng),使極化減弱。所以極性電介質(zhì)的介電常數(shù)最初隨 溫度或高而增加,以后當(dāng)熱運(yùn)動變得較強(qiáng)烈時,又隨溫度升高而 減小。33、 正弦交變電場作用下,電介質(zhì)的等效電路是怎樣的?為什么測量 高壓電氣設(shè)備絕緣電阻 時需要按照在標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范的時間下記錄,并同時記錄溫度?答:在正弦交變電場作用下,電介質(zhì)的等效電路如下:? UCg:代表介質(zhì)的幾何電容及無損極化過程, 流過的電流ig ;Cp-Rp:代表有損極化電流支路,流過電流ip ;Rik:代表電導(dǎo)電流支路,流過的電流為ik。如絕緣良好,則Rik和Rp的值都比較大,這就不僅使穩(wěn)定的絕緣電阻值(就是 Rik的值)較高,而且要經(jīng)過 校長的時間才能達(dá)到此穩(wěn)定值(因中間串聯(lián)支路的時間常數(shù)較 大)。如絕緣受潮,或存在穿透性的導(dǎo)電通道,則不僅最后穩(wěn)定的 絕緣電阻值Rik很低,而且還會很快達(dá)到穩(wěn)定值。因此,用絕緣電阻隨時間變化的關(guān)系來反映絕緣的狀況。在 測量中通常用記錄加壓60s時的絕緣電阻與加壓15s時的絕緣電 阻。兩者的比值稱為吸收比。電介質(zhì)絕緣的漏電導(dǎo)隨溫度上升而增大,近似于指數(shù)關(guān)系Git =G0eat (Go溫度為0c的絕緣電阻;Git為溫度為tc的漏電導(dǎo); 為溫度系數(shù)),因此在測量漏電導(dǎo)(絕緣電阻)時應(yīng)記錄當(dāng)時的 溫度。4、 某些電容量較大的設(shè)備經(jīng)直流高電壓試驗后,其接地放電時間要求長達(dá)510min,為什么?答:因設(shè)備的電容量較大時,這些設(shè)備往往存在空間電荷極化現(xiàn)象,去掉外加電壓之后,介質(zhì)內(nèi)部電荷釋放通過電導(dǎo)完成,時間常數(shù) 很大,過程十分緩慢。

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