.,第二篇 模擬電子技術(shù),.,第4章 常用半導(dǎo)體器件,4.1 半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識(shí) 4.2 半導(dǎo)體二極管 4.3 晶體三極管 4.4 場(chǎng)效應(yīng)管 （了解） 4.5 晶閘管（不講）,.,本章內(nèi)容提要重點(diǎn)：（1）二極管的單向?qū)щ娦?；?）三極管的三種工作狀態(tài)；難點(diǎn)：（1）整流電路的特點(diǎn)及應(yīng)用；（2）放大器的靜態(tài)分析及動(dòng)態(tài)分析；（3）晶體管三種組態(tài)放大電路比較。,.,4.1 半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識(shí),4.1.1 本征半導(dǎo)體,1、半導(dǎo)體,導(dǎo)體：導(dǎo)電能力好的物質(zhì)。如銅、鋁等,半導(dǎo)體：是一種導(dǎo)電能力介于導(dǎo)體和絕緣體之間的物質(zhì).如硅、鍺、硒、砷化鎵及一些硫化物和氧化物。, 半導(dǎo)體的物理特性,光敏性,熱敏性,慘雜性,絕緣體：導(dǎo)電能力差的物質(zhì)。如陶瓷干木,.,溫度升高時(shí)，純凈的半導(dǎo)體的導(dǎo)電能力顯著增加；,光敏性：,熱敏性：,慘雜性：,半導(dǎo)體為什么具有以上的導(dǎo)電性質(zhì)？,在純凈半導(dǎo)體材料中加入微量的“雜質(zhì)”元素，它的電導(dǎo)率就會(huì)成千上萬(wàn)倍地增長(zhǎng)；,純凈的半導(dǎo)體受到光照時(shí)，導(dǎo)電能力明顯提高。,與半導(dǎo)體的結(jié)構(gòu)有關(guān),.,半導(dǎo)體的晶體結(jié)構(gòu),原子的組成：,4個(gè)價(jià)電子,硅（Si）：四價(jià)元素，硅的原子序數(shù)是14，外層有4個(gè)電子。,若干個(gè)圍繞原子核運(yùn)動(dòng)的帶負(fù)電的電子,且整個(gè)原子呈電中性。,半導(dǎo)體器件的材料：,鍺（Ge）：也是四價(jià)元素，鍺的原子序數(shù)是32，外層也是4個(gè)電子。,.,為什么本征半導(dǎo)體具有一定的導(dǎo)電能力？,完全純凈的具有晶體結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體稱(chēng)為本征半導(dǎo)體 。它具有共價(jià)鍵結(jié)構(gòu)。,鍺和硅的原子結(jié)構(gòu),單晶硅中的共價(jià)鍵結(jié)構(gòu),共價(jià)鍵,硅原子,2 本征半導(dǎo)體的的原理,.,在半導(dǎo)體中，同時(shí)存在著電子導(dǎo)電和空穴導(dǎo)電?？昭ê妥杂呻娮佣挤Q(chēng)為載流子。它們成對(duì)出現(xiàn)，成對(duì)消失。,在常溫下自由電子和空穴的形成,復(fù)合,自由電子,本征激發(fā),由于熱運(yùn)動(dòng)，具有足夠能量的價(jià)電子掙脫共價(jià)鍵的束縛而成為自由電子,自由電子的產(chǎn)生使共價(jià)鍵中留有一個(gè)空位置，稱(chēng)為空穴,.,1. N型半導(dǎo)體,原理圖,P,自由電子,結(jié)構(gòu)圖,磷原子,正離子,P+,在硅或鍺中摻入少量的五價(jià)元素，如磷或砷、銻，則形成N型半導(dǎo)體。,多余價(jià)電子,在N型半導(dǎo)體模型：不能移動(dòng)的正離子，可移動(dòng)的多子電子和少子空穴。,4.1.2 雜質(zhì)半導(dǎo)體,在本征半導(dǎo)體中加入微量的五價(jià)（三價(jià)）元素，可使半導(dǎo)體中自由電子（空穴）濃度大為增加，形成雜質(zhì)半導(dǎo)體。,.,2、P型半導(dǎo)體,在硅或鍺中摻入三價(jià)元素，如硼或鋁、鎵，則形成P型半導(dǎo)體。,原理圖,B,B-,硼原子,負(fù)離子,空穴,填補(bǔ)空位,結(jié)構(gòu)圖,在P型半導(dǎo)體中，空穴是多子，電子是少子。,P型半導(dǎo)體模型：不能移動(dòng)的負(fù)離子，可移動(dòng)的多子空穴和少子電子,.,用專(zhuān)門(mén)的制造工藝在同一塊半導(dǎo)體單晶上，形成P型半導(dǎo)體區(qū)域和N型半導(dǎo)體區(qū)域，在這兩個(gè)區(qū)域的交界處就形成一個(gè)PN結(jié) 。,P 區(qū),N 區(qū),P區(qū)的空穴向N區(qū)擴(kuò)散并與電子復(fù)合,N區(qū)的電子向P區(qū)擴(kuò)散并與空穴復(fù)合,空間電荷區(qū),內(nèi)電場(chǎng)方向,4.1.3PN結(jié),空穴,1、PN結(jié)的形成,電子,.,空間電荷區(qū),內(nèi)電場(chǎng)方向,在一定條件下，多子擴(kuò)散和少子漂移達(dá)到動(dòng)態(tài)平衡。,P區(qū),N區(qū),多子擴(kuò)散,少子漂移,空穴,電子,多子為空穴,多子為電子,.,在一定條件下，多子擴(kuò)散和少子漂移達(dá)到動(dòng)態(tài)平衡，空間電荷區(qū)的寬度基本上穩(wěn)定。形成了PN結(jié)空間電荷區(qū)阻擋層耗盡層內(nèi)電場(chǎng),內(nèi)電場(chǎng)阻擋多子的擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)，加強(qiáng)了少子的漂移運(yùn)動(dòng)。,結(jié) 論 ：,在PN結(jié)中同時(shí)存在多子的擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)和少子的漂移運(yùn)動(dòng)。,多子擴(kuò)散,.,因濃度差,內(nèi)電場(chǎng)促使少子漂移,內(nèi)電場(chǎng)阻止多子擴(kuò)散,總之PN結(jié)的形成過(guò)程,漂移運(yùn)動(dòng)： 由內(nèi)電場(chǎng)作用引起的載流子的運(yùn)動(dòng)稱(chēng)為漂移運(yùn)動(dòng)。,擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)：由載流子濃度差引起的載流子的運(yùn)動(dòng)稱(chēng)為擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)。,.,2. PN結(jié)的單向?qū)щ娦?P區(qū),N區(qū),內(nèi)電場(chǎng),外電場(chǎng),E,I,空間電荷區(qū)變窄,P區(qū)的空穴進(jìn)入空間電荷區(qū)和一部分負(fù)離子中和,N區(qū)電子進(jìn)入空間電荷 區(qū)和一部分正離子中和,擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)增強(qiáng)，形成較大的正向電流。,1、外加正向電壓（P接正，N接負(fù)）,.,外電場(chǎng)驅(qū)使空間電荷區(qū)變寬，有利于兩側(cè)的少子的漂移運(yùn)動(dòng)，阻礙多子的擴(kuò)散運(yùn)動(dòng),空間電荷區(qū)變寬,內(nèi)電場(chǎng),外電場(chǎng),少子越過(guò)PN結(jié)形成很小的反向飽和電流IS,IR,E,2、外加反向電壓（P接負(fù)，N接正）,N區(qū),P區(qū),.,由上述分析可知：,PN結(jié)具有單向?qū)щ娦?即在PN結(jié)上加正向電壓（P接正，N接負(fù)）時(shí)，空間電荷區(qū)變窄，PN結(jié)電阻很低，正向電流較大，PN結(jié)處于導(dǎo)通狀態(tài)；,加反向電壓（P接負(fù)，N接正）時(shí)，空間電荷區(qū)變寬，PN結(jié)電阻很高，少子飄移形成反向電流，為反向飽和電流（因?yàn)樯僮拥臄?shù)量是一定的），PN結(jié)處于截止?fàn)顟B(tài),切記,.,3 PN結(jié)的伏安特性,定量描繪PN結(jié)兩端電壓和流過(guò)結(jié)的電流的關(guān)系的曲線PN結(jié)的伏安特性。 根據(jù)理論分析，PN結(jié)的伏安特性方程為,外加電壓,流過(guò)PN結(jié)的電流,電子電荷量q =1.6×10-19C,反向飽和電流,絕對(duì)溫度(K),玻耳茲曼常數(shù)k =1.38×10-23J/K,自然對(duì)數(shù)的底,.,令,在常溫下，T = 300K，,則,當(dāng)U大于UT時(shí),即正向電流隨正向電壓的增加以指數(shù)規(guī)律迅速增大。,外加反向電壓時(shí)，U為負(fù)值，當(dāng)|U|比UT大幾倍時(shí)，,IIS，即加反向電壓時(shí)，PN結(jié)只流過(guò)很小的反向飽和電流。,.,曲線OD段表示PN結(jié)正向偏置時(shí),的伏安特性，稱(chēng)為正向特性；,畫(huà)出PN結(jié)的理論伏安特性曲線,用UD(on)表示導(dǎo)通電壓或死區(qū)電壓。,反向硅管的電流一般小于0.1A，鍺管的一般小于幾十微安。,曲線OB段表示PN結(jié)反向偏置時(shí)的伏安特性，稱(chēng)為反向特性。,室溫下，硅管的UD(on) =(0.50.6)V，鍺管的 UD(on) =(0.10.2)V。,.,4 PN結(jié)的反向擊穿,加大PN結(jié)的反向電壓到某一值時(shí)，反向電流突然劇增，這種現(xiàn)象稱(chēng)為PN結(jié)擊穿，發(fā)生擊穿所需的電壓稱(chēng)為擊穿電壓UBR ，如圖所示,圖 PN結(jié)反向擊穿,熱擊穿不可逆,反向擊穿的特點(diǎn)：反向電壓增加很小，反向電流卻急劇增加,., 雪崩擊穿, 齊納擊穿,齊納擊穿通常發(fā)生在摻雜濃度較高的PN結(jié)中。,一般來(lái)說(shuō)，對(duì)硅材料的PN結(jié)，UBR>7V時(shí)為雪崩擊穿； UBR <5V時(shí)為齊納擊穿； UBR介于57V時(shí)，兩種擊穿都有。,當(dāng)反向電壓大到一定值時(shí)，強(qiáng)電場(chǎng)足以將耗盡區(qū)內(nèi)中性原子的價(jià)電子直接拉出共價(jià)鍵，產(chǎn)生大量電子、空穴對(duì)，使反向電流急劇增大，強(qiáng)電場(chǎng)破壞共價(jià)健引起齊納擊穿。,雪崩擊穿和齊納擊穿均為電擊穿。,由倍增效應(yīng)引起的擊穿。當(dāng)PN結(jié)外加的反向電壓增加到一定數(shù)值時(shí)，空間電荷數(shù)目較多，內(nèi)電場(chǎng)很強(qiáng)，使流過(guò)PN結(jié)的少子漂移速度加快，可獲得足夠大的動(dòng)能，它們與PN結(jié)中的中性原子碰撞時(shí)，能把價(jià)電子從共價(jià)建中碰撞出來(lái)，產(chǎn)生新的電子空穴對(duì)。,雪崩擊穿通常發(fā)生在摻雜濃度較低的PN結(jié)中。,.,分類(lèi)：,鍺二極管,按用途分,整流二極管,開(kāi)關(guān)二極管,穩(wěn)壓二極管,按其結(jié)構(gòu)分,面接觸型,4.2 半導(dǎo)體二極管,4.2.1 二極管的結(jié)構(gòu)和外形,半導(dǎo)體二極管的結(jié)構(gòu)和類(lèi)型,結(jié)構(gòu)：在PN結(jié)上加上引線和封裝，就成為一個(gè)二極管。,.,PN結(jié)面積大，用于工頻大電流整流電路。,往往用于集成電路制造中。PN 結(jié)面積可大可小，用于高頻整流和開(kāi)關(guān)電路中。,(3) 平面型二極管,(2)面接觸型二極管,(4) 二極管的代表符號(hào),(b)面接觸型,PN結(jié)面積小，結(jié)電容小，用于檢波和變頻等高頻電路。,(1) 點(diǎn)接觸型二極管,.,圖所示為幾種常見(jiàn)二極管的實(shí)物外形圖。,小電流二極管常用玻璃殼塑料殼封裝，為便于散熱，大電流二極管一般使用金屬外殼。通過(guò)電流在1A以上的二極管常加散熱片以幫助散熱,.,4.2.2 二極管的伏安特性二極管特性曲線,二極管的伏安特性的測(cè)定,.,反向特性,當(dāng)加正向電壓，且u >> VT時(shí),VT稱(chēng)為死區(qū)電壓。硅管： VT0.5V，鍺管：VT0.1V。導(dǎo)通時(shí)的正向壓降硅管：0.6 0.7V，鍺管：0.2 0.3V。,正向特性,1. 正向特性,2. 反向特性,當(dāng)u0時(shí)，i= Is（反向飽和電流）電流很小，幾乎為零。,二極管伏安特性,.,當(dāng)反向電壓增大至U(BR)時(shí)，反向電流將突然增大。這種現(xiàn)象稱(chēng)為擊穿，二極管失去單向?qū)щ娦浴?3.反向擊穿特性,反向特性,.,溫度對(duì)二極管伏安特性的影響,T（）在電流不變情況下管壓降u 反向飽和電流IS，U(BR) T（）正向特性左移，反向特性下移,正向特性為指數(shù)曲線,反向特性為橫軸的平行線,增大1倍/10,.,1、二極管的主要參數(shù),4.2.3 二極管的主要參數(shù),1)直流電阻RD：二極管兩端所加直流電壓UD與流過(guò)它的直流電流ID之比，即,RD不是恒定值，正向的RD隨工作電流增大而減小，反向的RD隨反向電壓增大而增大。,顯然，圖中Q1點(diǎn)處的RD小于Q2點(diǎn)處的RD 。,.,2）交流電阻rD rD定義為：二極管在其工作狀態(tài)(IDQ,UDQ)處的電壓微變量與電流微變量之比，即,rD的幾何意義見(jiàn)左圖 ，即二極管伏安特性曲線上Q(IDQ,UDQ)點(diǎn)處切線斜率的倒數(shù)。,rD可以通過(guò)對(duì)式 求導(dǎo)得出，即,二極管交流電阻rD的幾何意義,室溫條件下(T=300K):,.,4)最高反向工作電壓 UDRM 它是保證二極管不被擊穿而給出的最高反向電壓，一般是反向擊穿電壓的一半或三分之二。,3)最大整流電流 IFM 最大整流電流是指二極管長(zhǎng)時(shí)間使用時(shí)，允許流過(guò)二極管的最大正向平均電流。,5)最大反向電流 IRM 它是指二極管上加反向工作峰值電壓時(shí)的反向電流值。,6）最高工作頻率fM fM是與結(jié)電容有關(guān)的參數(shù)。工作頻率超過(guò)fM時(shí)，二極管的單向?qū)щ娦阅茏儔摹?.,4.2.4 其他類(lèi)型二極管,穩(wěn)壓管是一種特殊的面接觸型半導(dǎo) 體硅二極管。 穩(wěn)壓管工作于反向擊穿區(qū)。,1. 穩(wěn)壓管,穩(wěn)壓管在電路中為什么能起穩(wěn)壓作用？,穩(wěn)壓管反向擊穿后，電流在很大范圍內(nèi)變化，兩端的電壓變化很小。利用這一特性，,穩(wěn)壓管的符號(hào),.,1、穩(wěn)壓管的主要參數(shù)：,1） 穩(wěn)定電壓UZ,4）穩(wěn)定電流 IZ、最大、最小穩(wěn)定電流Izmax、Izmin。,3）動(dòng)態(tài)電阻 rZ,2）電壓溫度系數(shù) U （%/）：穩(wěn)壓值受溫度變化影響的系數(shù)。,5）最大允許耗散功率 PZM,.,2、穩(wěn)壓二極管工作原理,輸出電壓穩(wěn)定的條件,UI不穩(wěn)定,RL改變,.,電阻的作用:,穩(wěn)壓二極管在工作時(shí)應(yīng)反接，并串入一只電阻。,起限流作用，以保護(hù)穩(wěn)壓管,當(dāng)輸入電壓或負(fù)載電流變化時(shí)，通過(guò)該電阻上電壓降的變化，從而起到穩(wěn)壓作用。,正常穩(wěn)壓時(shí) UO =UZ,穩(wěn)壓條件是什么？,IZmin IZ IZmax,不加R可以嗎？,當(dāng)Ui為正弦波，且幅值大于UZ ， UO的波形是怎樣的？,.,例 在圖所示電路中，已知輸入電壓Ui = 12 V，穩(wěn)壓管DZ的穩(wěn)定電壓UZ = 6 V，穩(wěn)定電流IZ = 5mA，額定功耗PZM = 90 mW，試問(wèn)輸出電壓Uo能否等于6 V。,即 5mA IDZ 15 mA,IDZ不在5mA15 mA的范圍內(nèi)，因此不能正常穩(wěn)壓，Uo將小于UZ。若要電路能夠穩(wěn)壓，則應(yīng)減小R的阻值。,解 穩(wěn)壓管正常穩(wěn)壓時(shí)，其工作電流IDZ應(yīng)滿足IZIDZIZmax，而,設(shè)電路中DZ能正常穩(wěn)壓，則Uo= UZ = 6V。由圖中可求出：,.,2.發(fā)光二極管,當(dāng)電流流過(guò)時(shí)，發(fā)光二極管將發(fā)出光來(lái)，光的顏色由二極管材料（如砷化鎵、磷化鎵）決定。,發(fā)光二極管的符號(hào),發(fā)光二極管通常用作顯示器件，工作電流一般在幾mA至幾十mA之間。,另一重要作用：將電信號(hào)變?yōu)楣庑盘?hào)，通過(guò)光纜傳輸，然后用光電二極管接收，再現(xiàn)電信號(hào)。,.,3.光電二極管,（a）光電二極管的符號(hào),（b）光電二極管的等效電路,光電二極管可將光信號(hào)轉(zhuǎn)變?yōu)殡娦盘?hào)。其特點(diǎn)是它的反向電流與照度成正比。,.,原理：利用PN結(jié)的勢(shì)壘電容隨外加反向電壓變化的特性可制成變?nèi)荻O管。變?nèi)荻O管工作在反偏狀態(tài)下，此時(shí)，PN結(jié)結(jié)電容的數(shù)值隨外加電壓的大小而變化。因此，變?nèi)荻O管可做可變電容使用。,4. 變?nèi)荻O管,變?nèi)荻O管在高頻電路中廣泛應(yīng)用于自動(dòng)調(diào)諧、調(diào)頻、調(diào)相等。,圖所示為變?nèi)荻O管的電路符號(hào)。,.,利用二極管的單向?qū)щ娞匦?，可?shí)現(xiàn)整流、限幅及電平選擇等功能。,1、二極管整流電路,把交流電變?yōu)橹绷麟?，稱(chēng)為整流。,若二極管為理想二極管，當(dāng)輸入一正弦波時(shí)，由圖可知：正半周時(shí)，二極管導(dǎo)通(相當(dāng)開(kāi)關(guān)閉合)，uo=ui；,負(fù)半周時(shí)，二極管截止(相當(dāng)開(kāi)關(guān)打開(kāi))， uo =0。其輸入、輸出波形見(jiàn)下圖,（1）單相半波整流電路,（a）單相半波整流電路原理,4.2.5 二極管應(yīng)用電路舉例,.,圖 單相半波整流電路,.,(b). 直流電壓UO和直流電流IO的計(jì)算,半波整流后的輸出電壓：,在半波整流情況下，設(shè)：,.,此式說(shuō)明, 在半波整流情況下, 負(fù)載上所得的直流電壓只有變壓器次級(jí)繞組電壓有效值的45%。,如考慮二極管的正向電阻和變壓器等效電阻上的壓降, 則UO數(shù)值還要低。,在半波整流電路中, 二極管的電流等于輸出電流：,二極管的最大整流電流IFID，二極管的最大反向工作電壓 。,.,（2）. 單相全波整流電路,(a). 電路與工作原理,為提高電源的利用率, 可將兩個(gè)半波整流電路合起來(lái)組成一個(gè)全波整流電路, 如圖(a)所示。二極管VD1、VD2在正、負(fù)半周輪流導(dǎo)電, 且流過(guò)負(fù)載RL的電流為同一方向, 故在正、負(fù)半周, 負(fù)載上均有輸出電壓。,圖(a),.,圖(a),全波整流電路波形圖,.,(b). 直流電壓UO和直流電流IO的計(jì)算,由輸出波形可看出, 全波整流輸出波形是半波整流時(shí)的兩倍, 所以輸出直流電壓也為半波時(shí)的兩倍, 即,圖(a),.,管子通過(guò)的電流為,全波整流電路每管承受的反向峰值電壓URM為u2的峰值電壓的兩倍,即,因?yàn)闊o(wú)論正半周還是負(fù)半周, 均是一管截止, 而另一管導(dǎo)通, 故變壓器次級(jí)兩個(gè)繞組的電壓全部加至截止二極管的兩端。 選管時(shí)應(yīng)滿足,圖(a),二極管的最高電流,.,（3）、 單相橋式整流,橋式整流電路,(a). 電路與工作原理,.,工作原理u2的正半周：AD1RLD3B，uO=u2u2的負(fù)半周：BD2RLD4A，uO=-u2集成的橋式整流電路稱(chēng)為整流橋堆。,四只管子如何接？,若接反了呢？,電路的組成,.,橋式整流電路波形圖,.,(b). 直流電壓UO和直流電流IO的計(jì)算,