2018 年數(shù)字電路試題答案一、填空題：（每空 1 分，共 16 分）1邏輯函數(shù)有四種表示方法，它們分別是（ ）、（ ）、（ ）和（ ）。2將 2004 個“1”異或起來得到的結(jié)果是（ ）。3目前我們所學(xué)的雙極型集成電路和單極型集成電路的典型電路分別是（ ）電路和（ ）電路。4施密特觸發(fā)器有（ ）個穩(wěn)定狀態(tài).，多諧振蕩器有（ ）個穩(wěn)定狀態(tài)。5已知 Intel2114 是 1K* 4 位的 RAM 集成電路芯片，它有地址線（ ）條，數(shù)據(jù)線（ ）條。6已知被轉(zhuǎn)換的信號的上限截止頻率為 10kHz，則 A/D 轉(zhuǎn)換器的采樣頻率應(yīng)高于（ ）kHz；完成一次轉(zhuǎn)換所用的時間應(yīng)小于（ ）。7GAL 器件的全稱是（ ），與 PAL 相比，它的輸出電路是通過編程設(shè)定其（ ）的工作模式來實(shí)現(xiàn)的，而且由于采用了（ ）的工藝結(jié)構(gòu)，可以重復(fù)編程，使用更為方便靈活。二、根據(jù)要求作題：（共 16 分）1 試畫出用反相器和集電極開路與非門實(shí)現(xiàn)邏輯函數(shù)。2、圖 1、2 中電路由 TTL 門電路構(gòu)成，圖 3 由 CMOS 門電路構(gòu)成，試分別寫出 F1、F2、F3 的表達(dá)式。三、已知電路及輸入波形如圖 4（a）（b）所示，其中 FF1 是 D 鎖存器，F(xiàn)F2 是維持-阻塞 D 觸發(fā)器，根據(jù) CP 和 D 的輸入波形畫出 Q1 和 Q2 的輸出波形。設(shè)觸發(fā)器的初始狀態(tài)均為 0。 （8 分）四、分析圖 5 所示電路，寫出 Z1、Z2 的邏輯表達(dá)式，列出真值表，說明電路的邏輯功能。 （10 分）五、設(shè)計一位 8421BCD 碼的判奇電路，當(dāng)輸入碼為奇數(shù)時，輸出為 1，否則為 0。要求使用兩種方法實(shí)現(xiàn)：（1）用最簡與非門實(shí)現(xiàn)，畫出邏輯電路圖；（2）用一片 8 選 1 數(shù)據(jù)選擇器 74LS151 加若干門電路實(shí)現(xiàn)，畫出電路圖。（20 分）六、電路如圖 7 所示，其中 RA=RB=10k,C=0.1f，試問：1在 Uk 為高電平期間，由 555 定時器構(gòu)成的是什么電路，其輸出 U0 的頻率 f0=?2分析由 JK 觸發(fā)器 FF1、FF2、FF3 構(gòu)成的計數(shù)器電路，要求：寫出驅(qū)動方程和狀態(tài)方程，畫出完整的狀態(tài)轉(zhuǎn)換圖；2 設(shè) Q3、Q2、Q1 的初態(tài)為 000，Uk 所加正脈沖的寬度為 Tw=5/f0，脈沖過后 Q3、Q2、Q1 將保持在哪個狀態(tài)？（共 15 分）七、集成 4 位二進(jìn)制加法計數(shù)器 74161 的連接圖如圖 8 所示，LD 是預(yù)置控制端；D0、D1、D2、D3 是預(yù)置數(shù)據(jù)輸入端；Q3、Q2、Q1、Q0 是觸發(fā)器的輸出端，Q0 是最低位，Q3 是最高位；LD 為低電平時電路開始置數(shù)，LD 為高電平時電路計數(shù)。試分析電路的功能。要求：（1）列出狀態(tài)轉(zhuǎn)換表；（2）檢驗自啟動能力；（3）說明計數(shù)模值。 （15 分）數(shù)字電路試題答案一、填空（每空 1 分，共 16 分）1 真值表、邏輯圖、邏輯表達(dá)式、卡諾圖；20；3TTL 、 CMOS ;4兩、0 ；510 、4 ；620 、50S；7通用陣列邏輯、輸出邏輯宏單元、E2CMOS；二、根據(jù)要求作題：（共 16 分）12三、四、（1）表達(dá)式（2）真值表（3）邏輯功能為：全減器五、首先，根據(jù)電路邏輯描述畫出卡諾圖：（1）最簡“與或式”為：；（2）“與非與非式”為：（與非門實(shí)現(xiàn)圖略）六、（1） 多諧振蕩器；（2） 驅(qū)動方程：狀態(tài)方程：狀態(tài)轉(zhuǎn)換圖：（3）初態(tài)為 000，五個周期后將保持在 100 狀態(tài)。七、（1）狀態(tài)轉(zhuǎn)換圖：（2）可以自啟動；（3）模8；