專題二十五物質結構與性質1.原子核外電子排布及表示方法原子核外電子排布及表示方法(1)能層、能級與原子軌道的關系能層、能級與原子軌道的關系考點一原子結構與性質考點一原子結構與性質能層能層(n)一一二二三三四四n能層符號能層符號KLMN 能級能級_ _ _ _ _ _ _ 1s2s2p3s3p3d4s4p4d4f原子軌原子軌道數(shù)道數(shù)1131351357最多容納最多容納電子數(shù)電子數(shù)2262610261014281832_2n2(2)核外電子排布遵循的三原則核外電子排布遵循的三原則兩兩相反相反單獨占據一個軌道，而且自旋狀態(tài)相同單獨占據一個軌道，而且自旋狀態(tài)相同全全滿滿半滿半滿全空全空(3)基態(tài)原子核外電子排布的表示方法基態(tài)原子核外電子排布的表示方法表示方法表示方法舉例舉例(以以S原子為例原子為例)電子排布式電子排布式_簡化電子排布式簡化電子排布式_電子排布圖電子排布圖(軌道表示式軌道表示式)價電子排布式價電子排布式_1s22s22p63s23p4Ne3s23p43s23p4(4)原子核外電子的躍遷與原子光譜原子核外電子的躍遷與原子光譜原子的狀態(tài)和原子光譜的關系：原子的狀態(tài)和原子光譜的關系：最低最低吸收吸收吸收吸收釋放釋放發(fā)射發(fā)射較高較高說明：原子核外的電子發(fā)生躍遷時吸收或釋放的能量一般都以說明：原子核外的電子發(fā)生躍遷時吸收或釋放的能量一般都以光譜形式呈現(xiàn)。光譜形式呈現(xiàn)。原子光譜原子光譜原子發(fā)生原子發(fā)生_時會吸收或釋放不同的光，可以用光譜儀攝取時會吸收或釋放不同的光，可以用光譜儀攝取不同元素的各種元素的電子不同元素的各種元素的電子_或或_總稱原總稱原子光譜。子光譜。光譜分析光譜分析在現(xiàn)代化學中，利用在現(xiàn)代化學中，利用_上的特征譜線來上的特征譜線來_的的分析方法。分析方法。躍遷躍遷吸收光譜吸收光譜發(fā)射光譜發(fā)射光譜原子光譜原子光譜鑒定元素鑒定元素2.原子結構與元素的性質原子結構與元素的性質 (1)周期表的分區(qū)與原子的價電子排布的關系周期表的分區(qū)與原子的價電子排布的關系分區(qū)分區(qū)元素分布元素分布外圍電子排布外圍電子排布s區(qū)區(qū)A族、族、A族及族及He_p區(qū)區(qū)A族族A族、族、0族族_d區(qū)區(qū)B族族B族、族、族族_ (除鈀外除鈀外)ds區(qū)區(qū)B族、族、B族族(n1)d10ns12f區(qū)區(qū)鑭系、錒系鑭系、錒系(n2)f014(n1)d02ns2ns12ns2np16(n1)d19ns12(2)原子結構與元素性質的遞變規(guī)律原子結構與元素性質的遞變規(guī)律項目項目同周期同周期(從左從左右右)同主族同主族(從上從上下下)原子核外原子核外電子排布電子排布能層能層數(shù)數(shù)_，最外層電最外層電子子數(shù)數(shù)_最外層電子最外層電子數(shù)數(shù)_，能層能層數(shù)數(shù)_原子半徑原子半徑_(0族除外族除外)_元素的第元素的第一電離能一電離能_元素的元素的電負性電負性_相同相同依次增多依次增多相同相同依次遞增依次遞增依次減小依次減小依次增大依次增大呈增大的趨勢呈增大的趨勢依次減小依次減小依次增大依次增大依次減小依次減小(1)某原子的電子排布式為某原子的電子排布式為1s22s22p63s23p64s23d104p4()(2)電負性：電負性：KNa()(3)根據原子核外電子排布的特點，根據原子核外電子排布的特點，Cu在周期表中屬于在周期表中屬于s區(qū)元素區(qū)元素()(4)N、O、F的電負性依次增大，其第一電離能也依次增大的電負性依次增大，其第一電離能也依次增大()(5)電負性大于電負性大于1.8的一定為非金屬，小于的一定為非金屬，小于1.8的一定為金屬的一定為金屬()(6)電負性差值大于電負性差值大于1.7時，一般形成離子鍵，小于時，一般形成離子鍵，小于1.7時，一般形時，一般形成共價鍵成共價鍵()(7)電負性越大，非金屬性越強，第一電離能也越大電負性越大，非金屬性越強，第一電離能也越大()答案答案(1)(2)(3)(4)(5)(6)(7)電離能和電負性的應用電離能和電負性的應用1.電離能電離能(1)判斷元素金屬性的強弱：電離能越小，金屬越容易失去電判斷元素金屬性的強弱：電離能越小，金屬越容易失去電子，金屬性越強；反之越弱。子，金屬性越強；反之越弱。(2)判斷元素的化合價判斷元素的化合價如果某元素的如果某元素的In1In，則該元素的常見化合價為，則該元素的常見化合價為n，如鈉元，如鈉元素素I2I1，所以鈉元素化合價為，所以鈉元素化合價為1。(3)判斷核外電子的分層排布情況判斷核外電子的分層排布情況多電子原子中，元素的各級電離能逐級增大，有一定的規(guī)律性。多電子原子中，元素的各級電離能逐級增大，有一定的規(guī)律性。當電離能的變化出現(xiàn)突變時，電子層數(shù)就可能發(fā)生變化。當電離能的變化出現(xiàn)突變時，電子層數(shù)就可能發(fā)生變化。(4)反映元素原子的核外電子排布特點反映元素原子的核外電子排布特點同周期元素從左向右，元素的第一電離能并不是逐漸增大的，同周期元素從左向右，元素的第一電離能并不是逐漸增大的，當元素的核外電子排布是全空、半充滿和全充滿狀態(tài)時，第一當元素的核外電子排布是全空、半充滿和全充滿狀態(tài)時，第一電離能就會反常地大。電離能就會反常地大。2.電負性電負性判斷金屬性與非判斷金屬性與非金屬性強弱金屬性強弱金屬元素的電負性一般小于金屬元素的電負性一般小于1.8，金屬元素的電負性越，金屬元素的電負性越小，金屬元素越活潑小，金屬元素越活潑非金屬元素的電負性一般大于非金屬元素的電負性一般大于1.8，非金屬元素的電負，非金屬元素的電負性越大，非金屬元素越活潑性越大，非金屬元素越活潑判斷元素在化合判斷元素在化合物中的價態(tài)物中的價態(tài)電負性大的元素易呈現(xiàn)負價電負性大的元素易呈現(xiàn)負價電負性小的元素易呈現(xiàn)正價電負性小的元素易呈現(xiàn)正價判斷判斷化學化學鍵鍵類型類型電負性差值大的元素原子之間形成的化學鍵主要是離電負性差值大的元素原子之間形成的化學鍵主要是離子鍵子鍵電負性差值小的元素原子之間形成的化學鍵主要是共電負性差值小的元素原子之間形成的化學鍵主要是共價鍵價鍵1.(1)N、Al、Si、Zn四種元素中，有一種元素的電離能數(shù)據如下：四種元素中，有一種元素的電離能數(shù)據如下：電離能電離能I1I2I3I4Ia/kJmol15781 8172 74511 578 則該元素是則該元素是_(填寫元素符號填寫元素符號)。(2)如表：如表：元素元素符號符號LiBeBCOFNaAlSiPSCl電負電負性性數(shù)值數(shù)值0.98 1.572.042.553.44 3.980.93 1.61 1.90 2.192.583.16通過分析電負性值變化規(guī)律，確定通過分析電負性值變化規(guī)律，確定Mg元素電負性值的最小范元素電負性值的最小范圍圍_。請歸納元素的電負性和金屬性、非金屬性的關系是請歸納元素的電負性和金屬性、非金屬性的關系是_。從電負性角度，判斷從電負性角度，判斷AlCl3是離子化合物還是共價化合物？是離子化合物還是共價化合物？_，理由是，理由是_。解析解析(1)分析表中數(shù)據可知，該元素的逐級電離能中，分析表中數(shù)據可知，該元素的逐級電離能中，I1、I2、I3與與I4相差較大，說明該元素原子最外層有相差較大，說明該元素原子最外層有3個電子，顯然該元素個電子，顯然該元素為為Al元素。元素。(2)根據同周期和同主族元素的電負性的變化規(guī)律根據同周期和同主族元素的電負性的變化規(guī)律可知可知Mg的電負性范圍為的電負性范圍為0.931.57。電負性是原子對電子對的。電負性是原子對電子對的吸引力，元素的非金屬性越強，其電負性越大。可根據吸引力，元素的非金屬性越強，其電負性越大。可根據Al與與Cl的電負性差值確定。的電負性差值確定。答案答案(1)Al(2)0.931.57非金屬性越強，電負性越大；非金屬性越強，電負性越大；金屬性越強，電負性越小金屬性越強，電負性越小共價化合物共價化合物Al元素和元素和Cl元素的元素的電負性差值為電負性差值為1.551.7，所以形成共價鍵，為共價化合物，所以形成共價鍵，為共價化合物明晰基態(tài)原子核外電子排布式和軌道明晰基態(tài)原子核外電子排布式和軌道表示式書寫的易失分問題表示式書寫的易失分問題1.明確第四周期基態(tài)原子核外電子排布的特殊性明確第四周期基態(tài)原子核外電子排布的特殊性在過渡金屬中，有少數(shù)元素的基態(tài)原子的電子排布對于構造原在過渡金屬中，有少數(shù)元素的基態(tài)原子的電子排布對于構造原理有理有1個電子的偏差。這是因為能量相同的原子軌道在全充滿個電子的偏差。這是因為能量相同的原子軌道在全充滿(如如p6和和d10)、半充滿、半充滿(如如p3和和d5)和全空和全空(如如p0和和d0)狀態(tài)時，體系狀態(tài)時，體系的能量較低，原子較穩(wěn)定。如第四周期中：的能量較低，原子較穩(wěn)定。如第四周期中：2.基態(tài)原子核外電子排布表示方法中的注意事項基態(tài)原子核外電子排布表示方法中的注意事項 (1)在寫基態(tài)原子的電子排布圖時，常出現(xiàn)以下錯誤：在寫基態(tài)原子的電子排布圖時，常出現(xiàn)以下錯誤：(2)當出現(xiàn)當出現(xiàn)d軌道時，雖然電子按軌道時，雖然電子按ns、(n1)d、np順序填充，但順序填充，但在書寫電子排布式時，仍把在書寫電子排布式時，仍把(n1)d放在放在ns前，如前，如Fe：1s22s22p63s23p63d64s2正確，正確，F(xiàn)e：1s22s22p63s23p64s23d6錯誤。錯誤。(3)注意對比原子電子排布式、簡化電子排布式、元素外圍電子注意對比原子電子排布式、簡化電子排布式、元素外圍電子排布式的區(qū)別與聯(lián)系。排布式的區(qū)別與聯(lián)系。如如Fe：1s22s22p63s23p63d64s2；簡化電子排布式：簡化電子排布式：Ar3d64s2; 外圍電子排布式：外圍電子排布式：3d64s2在書寫簡化的電子排布式時，并不是所有的都是在書寫簡化的電子排布式時，并不是所有的都是X價電子排價電子排布式布式(注：注：X代表上一周期稀有氣體元素符號代表上一周期稀有氣體元素符號)。3.根據元素周期表進行書寫根據元素周期表進行書寫如第四周期中各元素基態(tài)原子的電子排布式有如下規(guī)律：如第四周期中各元素基態(tài)原子的電子排布式有如下規(guī)律：(1)位于位于s區(qū)的區(qū)的A、A族分別為族分別為Ar4s1、Ar4s2；(2)位于位于p區(qū)的主族元素區(qū)的主族元素Ar3d104s24p族序數(shù)族序數(shù)2(0族除外族除外)； (3)位于位于d區(qū)的副族元素區(qū)的副族元素Ar3dm4sn(mn族序數(shù)，族序數(shù)，族除外族除外)；(4)位于位于ds區(qū)的副族元素區(qū)的副族元素Ar3d104sm(m族序數(shù)族序數(shù))。1.(2015河北石家莊第二次質檢河北石家莊第二次質檢)已知已知A、B、C、D、E都是元素都是元素周期表中前周期表中前36號的元素，它們的原子序數(shù)依次增大。號的元素，它們的原子序數(shù)依次增大。A原子基原子基態(tài)時最外層電子數(shù)是其內層電子總數(shù)的態(tài)時最外層電子數(shù)是其內層電子總數(shù)的2倍，倍，B原子基態(tài)時原子基態(tài)時s電電子數(shù)與子數(shù)與p電子數(shù)相等，電子數(shù)相等，C在元素周期表的各元素中電負性最大，在元素周期表的各元素中電負性最大，D的基態(tài)原子核外有的基態(tài)原子核外有6個能級且全部充滿電子，個能級且全部充滿電子，E原子基態(tài)時未原子基態(tài)時未成對電子數(shù)是同周期元素中最多的。成對電子數(shù)是同周期元素中最多的。(1)基態(tài)基態(tài)E原子的價電子排布式為原子的價電子排布式為_，E在在_區(qū)。區(qū)。(2)A、B、C的電負性大小順序的電負性大小順序(填元素符號，下同填元素符號，下同)_，第，第一電離能大小順序為一電離能大小順序為_。(3)D的核外電子排布式為的核外電子排布式為_，價電子排布圖為，價電子排布圖為_。解析解析由題意可知由題意可知A為為C，B為為O，C為為F，D為為Ca，E為為Cr。(1)鉻原子的價電子排布式為鉻原子的價電子排布式為3d54s1, 在在d區(qū)。區(qū)。(2)根據同周期電負性和根據同周期電負性和第一電離能的遞變性可知答案。第一電離能的遞變性可知答案。(3)價電子數(shù)為價電子數(shù)為2，價電子排布圖，價電子排布圖為為 。答案答案(1)3d54s1d(2)FOCFOC(3)1s22s22p63s23p64s2或或Ar4s2 考點二分子結構與性質考點二分子結構與性質1.共價鍵的類型共價鍵的類型分類依據分類依據類型類型形成共價鍵的原子軌形成共價鍵的原子軌道重疊方式道重疊方式鍵鍵電子云電子云“_”重疊重疊鍵鍵電子云電子云“肩并肩肩并肩”重疊重疊頭碰頭頭碰頭形成共價鍵的電形成共價鍵的電子對是否偏移子對是否偏移極性鍵極性鍵共用共用電子對電子對_非極性鍵非極性鍵共用共用電子對電子對_原子間共用電子原子間共用電子對的數(shù)目對的數(shù)目單鍵單鍵原子間有一對共用電子對原子間有一對共用電子對雙鍵雙鍵原子間有兩對共用電子對原子間有兩對共用電子對三鍵三鍵原子間有三對共用電子對原子間有三對共用電子對發(fā)生偏移發(fā)生偏移不發(fā)生偏移不發(fā)生偏移2.雜化軌道的類型雜化軌道的類型雜化雜化類型類型雜化軌雜化軌道數(shù)目道數(shù)目雜化軌道雜化軌道間夾角間夾角雜化軌道雜化軌道空間分布空間分布sp2_sp23_sp34_180直線形直線形120平面三角形平面三角形10928正四面體形正四面體形3.價層電子對互斥理論與分子構型價層電子對互斥理論與分子構型價層電價層電子對數(shù)子對數(shù)成鍵數(shù)成鍵數(shù)孤電子孤電子對數(shù)對數(shù)電子對空電子對空間構型間構型分子空分子空間構型間構型實例實例220_330_21_SO2440_31_22_直線形直線形直線形直線形CO2三角形三角形三角形三角形BF3V形形四面體形四面體形四面體形四面體形CH4三角錐形三角錐形NH3V形形H2O4.配位鍵和配合物配位鍵和配合物(1)配位鍵配位鍵由一個原子提供一對電子與另一個接受電子的原子形成的由一個原子提供一對電子與另一個接受電子的原子形成的_。(2)配位鍵的表示方法配位鍵的表示方法AB：A表示表示_孤電子對的原子，孤電子對的原子，B表示表示_共用電子共用電子對的原子。對的原子。(3)配位化合物配位化合物定義定義金屬離子金屬離子(或原子或原子)與某些分子或離子與某些分子或離子(稱為配體稱為配體)以配位鍵結合以配位鍵結合形成的化合物。形成的化合物。共價鍵共價鍵提供提供接受接受組成組成形成條件形成條件有孤有孤電子對電子對有空軌道有空軌道5.分子間作用力與性質分子間作用力與性質(1)分子間作用力最常見的是范德華力和氫鍵。已經與電負性分子間作用力最常見的是范德華力和氫鍵。已經與電負性很強的原子形成共價鍵的氫原子與另一個分子中電負性很強的很強的原子形成共價鍵的氫原子與另一個分子中電負性很強的原子之間的作用力，稱為氫鍵。氫鍵包括分子內氫鍵和分子間原子之間的作用力，稱為氫鍵。氫鍵包括分子內氫鍵和分子間氫鍵兩種。表示為氫鍵兩種。表示為AHB。(2)相似相溶原理相似相溶原理非極性溶質一般能溶于非極性溶劑，極性溶質一般能溶于極性非極性溶質一般能溶于非極性溶劑，極性溶質一般能溶于極性溶劑。溶劑。6.無機含氧酸分子的酸性無機含氧酸分子的酸性無機含氧酸的通式可寫成無機含氧酸的通式可寫成(HO)mROn，如果成酸元素，如果成酸元素R相同，相同，則則n值越大，值越大，R的正電性越高，使的正電性越高，使ROH中中O的電子向的電子向R偏移，偏移，在水分子的作用下越易電離出在水分子的作用下越易電離出H，酸性越強，如酸性：，酸性越強，如酸性：HClOHClO2HClO3HClO4。7.等電子體原理的應用等電子體原理的應用 原子總數(shù)相同、價電子總數(shù)相同的分子具有相似的化學鍵特征，原子總數(shù)相同、價電子總數(shù)相同的分子具有相似的化學鍵特征，它們的許多性質它們的許多性質(物理性質物理性質)相近，此原理稱為等電子體原理。相近，此原理稱為等電子體原理。(1)鍵比鍵比鍵的電子云重疊程度大，形成的共價鍵強鍵的電子云重疊程度大，形成的共價鍵強()(2)鹵素單質、鹵素氫化物、鹵素碳化物鹵素單質、鹵素氫化物、鹵素碳化物(即即CX4)的熔、沸點均隨的熔、沸點均隨著相對分子質量的增大而增大。著相對分子質量的增大而增大。()(3)氫鍵的存在一定能使物質的熔、沸點升高氫鍵的存在一定能使物質的熔、沸點升高()(4)極性分子中可能含有非極性鍵極性分子中可能含有非極性鍵()(5)H2O比比H2S穩(wěn)定是因為水分子間存在氫鍵穩(wěn)定是因為水分子間存在氫鍵()答案答案(1)(2)(3)(4)(5)判斷分子中中心原子的雜化類型判斷分子中中心原子的雜化類型“五方法五方法” ” 方法一方法一根據雜化軌道的空間分布構型判斷。根據雜化軌道的空間分布構型判斷。(1)若雜化軌道在空間的分布為正四面體形或三角錐形，則分若雜化軌道在空間的分布為正四面體形或三角錐形，則分子的中心原子發(fā)生子的中心原子發(fā)生sp3雜化。雜化。(2)若雜化軌道在空間的分布呈平面三角形，則分子的中心原若雜化軌道在空間的分布呈平面三角形，則分子的中心原子發(fā)生子發(fā)生sp2雜化。雜化。(3)若雜化軌道在空間的分布呈直線形，則分子的中心原子發(fā)若雜化軌道在空間的分布呈直線形，則分子的中心原子發(fā)生生sp雜化。雜化。方法四方法四根據中心原子的價層電子對數(shù)參與雜化的軌道數(shù)目根據中心原子的價層電子對數(shù)參與雜化的軌道數(shù)目判斷，如中心原子的價層電子對數(shù)分別為判斷，如中心原子的價層電子對數(shù)分別為4、3、2時，中心原時，中心原子的雜化類型分別是子的雜化類型分別是sp3雜化、雜化、sp2雜化、雜化、sp雜化。雜化。方法五方法五根據分子或離子中有無根據分子或離子中有無鍵及鍵及鍵數(shù)目判斷，如沒有鍵數(shù)目判斷，如沒有鍵鍵為為sp3雜化，含一個雜化，含一個鍵為鍵為sp2雜化，含兩個雜化，含兩個鍵為鍵為sp雜化。雜化。答案答案D范德華力和氫鍵對物質性質的影響易錯警示范德華力和氫鍵對物質性質的影響易錯警示 1.氫鍵屬于一種較強的分子間作用力。氫鍵屬于一種較強的分子間作用力。2.有氫鍵的物質，分子間也有范德華力，但有范德華力的物質有氫鍵的物質，分子間也有范德華力，但有范德華力的物質分子間不一定有氫鍵。分子間不一定有氫鍵。3.一個氫原子只能形成一個氫鍵，這是氫鍵的飽和性。一個氫原子只能形成一個氫鍵，這是氫鍵的飽和性。4.一般來說，組成和結構相似的物質，隨著相對分子質量的增一般來說，組成和結構相似的物質，隨著相對分子質量的增加，范德華力逐漸增大，分子的極性越大，范德華力也越大。加，范德華力逐漸增大，分子的極性越大，范德華力也越大。5.非極性溶質一般能溶于非極性溶劑，極性溶質一般能溶于極非極性溶質一般能溶于非極性溶劑，極性溶質一般能溶于極性溶劑。如果存在氫鍵，則溶劑和溶質之間的氫鍵的作用力性溶劑。如果存在氫鍵，則溶劑和溶質之間的氫鍵的作用力越大，溶解性越好。越大，溶解性越好。6.分子間氫鍵對物質性質的影響，主要表現(xiàn)為使物質的熔沸點分子間氫鍵對物質性質的影響，主要表現(xiàn)為使物質的熔沸點升高，對電離和溶解度等產生影響。升高，對電離和溶解度等產生影響。2.(1)H2O與與CH3CH2OH可以任意比例互溶，除因為它們都是極性可以任意比例互溶，除因為它們都是極性分子外，還因為分子外，還因為_。(2)已知苯酚已知苯酚( )具有弱酸性，其具有弱酸性，其Ka1.11010；水楊酸；水楊酸第一級電離形成的離子第一級電離形成的離子 能形成分子內氫鍵，據此判斷，能形成分子內氫鍵，據此判斷，相同溫度下電離平衡常數(shù)相同溫度下電離平衡常數(shù)Ka2(水楊酸水楊酸)_Ka(苯酚苯酚)(填填“”或或“”)，其原因是，其原因是_。(3)化合物化合物NH3的沸點比化合物的沸點比化合物CH4的高，其主要原因是的高，其主要原因是_。答案答案(1)H2O與與CH3CH2OH之間可以形成氫鍵之間可以形成氫鍵(2) 中形成分子內氫鍵，使其更難電離出中形成分子內氫鍵，使其更難電離出H(3)NH3分子間能形成氫鍵分子間能形成氫鍵考點三晶體結構與性質考點三晶體結構與性質1.晶體晶體 (1)晶體與非晶體晶體與非晶體 晶體晶體非晶體非晶體結構特征結構特征結構結構微粒微粒_排列排列結構結構微粒微粒_排列排列周期性有序周期性有序無序無序性質性質特征特征自范性自范性_熔點熔點_異同表現(xiàn)異同表現(xiàn)_二者區(qū)二者區(qū)別方法別方法間接方法間接方法看是否有固定看是否有固定的的_科學方法科學方法對固體對固體進行進行_實驗實驗有有無無固定固定不固定不固定各向異性各向異性各向同性各向同性熔點熔點X-射線衍射射線衍射(2)得到晶體的途徑得到晶體的途徑熔融態(tài)物質凝固。熔融態(tài)物質凝固。氣態(tài)物質冷卻不經液態(tài)直接氣態(tài)物質冷卻不經液態(tài)直接_。溶質從溶液中析出。溶質從溶液中析出。(3)晶胞晶胞概念：描述晶體結構的概念：描述晶體結構的_。晶體中晶胞的排列晶體中晶胞的排列無隙并置無隙并置a.無隙：相鄰晶胞之間沒有無隙：相鄰晶胞之間沒有_。b.并置：所有晶胞并置：所有晶胞_排列、排列、_相同。相同。凝固凝固(凝華凝華)基本單元基本單元任何間隙任何間隙平行平行取向取向(4)晶格能晶格能定義：氣態(tài)離子形成定義：氣態(tài)離子形成1摩爾離子晶體釋放的能量，通常取正值，摩爾離子晶體釋放的能量，通常取正值，單位：單位：_。影響因素影響因素a.離子所帶電荷數(shù)：離子所帶電荷數(shù)越多，晶格能越離子所帶電荷數(shù)：離子所帶電荷數(shù)越多，晶格能越_。b.離子的半徑：離子的半徑越離子的半徑：離子的半徑越_，晶格能越大。，晶格能越大。與離子晶體性質的關系與離子晶體性質的關系晶格能越大，形成的離子晶體越晶格能越大，形成的離子晶體越_，且熔點越，且熔點越_，硬度，硬度越越_。kJmol1大大小小穩(wěn)定穩(wěn)定高高大大2.四種晶體類型的比較四種晶體類型的比較 類型類型比較比較分子晶體分子晶體原子晶體原子晶體金屬晶體金屬晶體離子離子晶體晶體構成粒子構成粒子_金屬陽離子、金屬陽離子、自由電子自由電子_粒子間的相粒子間的相互作用力互作用力_(某些含氫鍵某些含氫鍵)_硬度硬度_有有的的_，有有的的_分子分子原子原子陰、陽陰、陽 離子離子范德華力范德華力共價鍵共價鍵金屬鍵金屬鍵離子鍵離子鍵較小較小很大很大很大很大很小很小較大較大熔、沸點熔、沸點_有有的的_，有有的的_溶解性溶解性相似相溶相似相溶難溶于任難溶于任何溶劑何溶劑常見溶劑常見溶劑難溶難溶大多易溶大多易溶于水等極于水等極性溶劑性溶劑導電、導電、傳熱性傳熱性一般不導電，一般不導電，溶于水后有溶于水后有的導電的導電一般不具有一般不具有導電性，個導電性，個別為半導體別為半導體電和熱的良電和熱的良導體導體晶體不導電，晶體不導電，水溶液或熔水溶液或熔融態(tài)導電融態(tài)導電較低較低很高很高很高很高很低很低較高較高物物質質類類別別及及舉舉例例大多數(shù)非金屬單質、大多數(shù)非金屬單質、氣態(tài)氫化物、酸、氣態(tài)氫化物、酸、非金屬氧化物非金屬氧化物(SiO2除外除外)、絕大、絕大多數(shù)有機物多數(shù)有機物(有機有機鹽除外鹽除外)部分非金屬單部分非金屬單質質(如金剛石、如金剛石、硅、晶體硼硅、晶體硼)，部分非金屬化部分非金屬化合物合物(如如SiC、SiO2)金屬單質金屬單質與合金與合金(如如Na、Al、Fe、青銅青銅)金屬氧化物金屬氧化物(如如K2O、Na2O)、強堿強堿(如如KOH、NaOH)、絕大、絕大部分鹽部分鹽(如如NaCl)3.典型晶體模型典型晶體模型晶體晶體晶體結構晶體結構晶體詳解晶體詳解原原子子晶晶體體金金剛剛石石(1)每個碳與每個碳與相鄰相鄰_個個碳以共價鍵結合，碳以共價鍵結合，形成正四面體結構形成正四面體結構(2)鍵角均鍵角均為為_(3)最小碳環(huán)最小碳環(huán)由由_個個C組成且六原子不組成且六原子不在同一平面內在同一平面內(4)每個每個C參與參與4條條CC鍵的形成，鍵的形成，C原子原子數(shù)與數(shù)與CC鍵數(shù)之比鍵數(shù)之比為為_41092861 2原原子子晶晶體體SiO2(1)每個每個Si與與_個個O以共價鍵結合，以共價鍵結合，形成正四面體結構形成正四面體結構(2)每個正四面體占有每個正四面體占有1個個Si，4個個“O”，n(Si)n(O)_(3)最小環(huán)上最小環(huán)上有有_個個原子，即原子，即6個個O，6個個Si分分子子晶晶體體干冰干冰(1)8個個CO2分子構成立方體且在分子構成立方體且在6個面?zhèn)€面心又各占據心又各占據1個個CO2分子分子(2)每個每個CO2分子周圍等距緊鄰的分子周圍等距緊鄰的CO2分子分子有有_個個41 21212離離子子晶晶體體NaCl(型型)(1)每個每個Na(Cl)周圍等距且緊鄰周圍等距且緊鄰的的Cl(Na)有有6個。每個個。每個Na周圍周圍等距且緊鄰的等距且緊鄰的Na有有_個個(2)每個晶胞中每個晶胞中含含_個個Na和和_個個ClCsCl(型型)(1)每個每個Cs周圍等距且緊鄰的周圍等距且緊鄰的Cl有有_個個，每個，每個Cs(Cl)周圍等距周圍等距且緊鄰的且緊鄰的Cs(Cl)有有_個個(2)如圖為如圖為8個晶胞，每個晶胞中含個晶胞，每個晶胞中含1個個Cs、1個個Cl124486金金屬屬晶晶體體簡單簡單立方立方堆積堆積典型代表典型代表Po，配位數(shù)，配位數(shù)為為_，空間利用率空間利用率52%面心面心立方立方最密最密堆積堆積又稱為又稱為A1型或銅型，典型或銅型，典型代表型代表Cu、Ag、Au，配位數(shù)配位數(shù)為為_，空間利空間利用率用率74%612金屬金屬晶體晶體體心體心立方立方堆積堆積又稱為又稱為A2型或鉀型，型或鉀型，典型代表典型代表Na、K、Fe，配位數(shù)配位數(shù)為為_，空間空間利用率利用率68%六方六方最密最密堆積堆積又稱為又稱為A3型或鎂型，型或鎂型，典型代表典型代表Mg、Zn、Ti，配位數(shù)配位數(shù)為為_，空間空間利用率利用率74%812(1)在晶體中只要有陰離子就一定有陽離子在晶體中只要有陰離子就一定有陽離子()(2)在晶體中只要有陽離子就一定有陰離子在晶體中只要有陽離子就一定有陰離子()(3)原子晶體的熔點一定比金屬晶體的高原子晶體的熔點一定比金屬晶體的高()(4)分子晶體的熔點一定比金屬晶體的低分子晶體的熔點一定比金屬晶體的低()(5)離子晶體一定都含有金屬元素離子晶體一定都含有金屬元素()(6)金屬元素和非金屬元素組成的晶體不一定是離子晶體金屬元素和非金屬元素組成的晶體不一定是離子晶體()答案答案(1)(2)(3)(4)(5)(6)晶胞中微粒的計算方法晶胞中微粒的計算方法均攤法均攤法3.(1)元素元素Cu的一種氯化物晶體的晶胞結構如圖甲所示，該氯化的一種氯化物晶體的晶胞結構如圖甲所示，該氯化物的化學式是物的化學式是_。(2)金屬鎳與鑭金屬鎳與鑭(La)形成的合金是一種良好的儲氫材料，晶胞結形成的合金是一種良好的儲氫材料，晶胞結構示意圖如圖乙所示。該合金的化學式為構示意圖如圖乙所示。該合金的化學式為_。(3)鉛、鋇、氧形成的某化合物的晶胞結構是：鉛、鋇、氧形成的某化合物的晶胞結構是：Pb4處于立方處于立方晶胞頂角，晶胞頂角，Ba2處于晶胞中心，處于晶胞中心，O2處于晶胞棱邊中心，該化處于晶胞棱邊中心，該化合物化學式為合物化學式為_，每個，每個Ba2與與_個個O2配位。配位。答案答案(1)CuCl(2)LaNi5(3)BaPbO312晶體密度及微粒間距離的計算方法晶體密度及微粒間距離的計算方法1.計算晶體密度的方法計算晶體密度的方法2.計算晶體中微粒間距離的方法計算晶體中微粒間距離的方法4.(1)2014課標課標理綜理綜Cu2O為半導體材料，在其立方晶胞內部為半導體材料，在其立方晶胞內部有有4個氧原子，其余氧原子位于面心和頂點，則該晶胞中有個氧原子，其余氧原子位于面心和頂點，則該晶胞中有_個銅原子。個銅原子。Al單質為面心立方晶體，其晶胞參數(shù)單質為面心立方晶體，其晶胞參數(shù)a0.405 nm，晶胞中鋁原子的配位數(shù)為，晶胞中鋁原子的配位數(shù)為_。 列式表示列式表示Al單單質的密度質的密度_ gcm3(不必計算出結果不必計算出結果)。(2)2014海南化學海南化學金剛石晶胞含有金剛石晶胞含有_個碳原子。若碳原個碳原子。若碳原子半徑為子半徑為r，金剛石晶胞的邊長為，金剛石晶胞的邊長為a，根據硬球接觸模型，則，根據硬球接觸模型，則r_a，列式表示碳原子在晶胞中的空間占有率，列式表示碳原子在晶胞中的空間占有率_(不要求計算結果不要求計算結果)。解析解析(1)(2)