《實(shí)驗(yàn)13 X光透視與食鹽晶體結(jié)構(gòu)分析》由會(huì)員分享，可在線閱讀，更多相關(guān)《實(shí)驗(yàn)13 X光透視與食鹽晶體結(jié)構(gòu)分析（4頁(yè)珍藏版）》請(qǐng)?jiān)谘b配圖網(wǎng)上搜索。

1、“物理實(shí)驗(yàn)基礎(chǔ)”教案----實(shí)驗(yàn)7-13 物理教學(xué)實(shí)驗(yàn)中心 實(shí)驗(yàn)7-13 X光透視與食鹽晶體結(jié)構(gòu)分析 1、實(shí)驗(yàn)沿革： 這個(gè)實(shí)驗(yàn)是先買了一臺(tái)儀器，做小課題實(shí)驗(yàn)，讓少數(shù)同學(xué)作了二學(xué)期，2002年下半年選為“大理科平臺(tái)”普通物理實(shí)驗(yàn)。該實(shí)驗(yàn)?zāi)苁箤W(xué)生直觀地認(rèn)識(shí)到X光的產(chǎn)生機(jī)制及其基本性質(zhì)，并可了解晶體衍射的初步知識(shí)。 2、實(shí)驗(yàn)?zāi)康模? （1）了解X光產(chǎn)生機(jī)理及其基本性質(zhì)。 （2）淺嘗晶體結(jié)構(gòu)分析。 3、實(shí)驗(yàn)原理補(bǔ)充： （1）韌致輻射的強(qiáng)度、波長(zhǎng)與工作電壓、電流的大小有關(guān)

2、。 （2）X光特征譜的強(qiáng)度、波長(zhǎng)與工作電壓、電流的關(guān)系。 （3）晶體衍射初步： 處在格點(diǎn)上是原子或離子，其內(nèi)部的電子在外來(lái)的電磁場(chǎng)的作用下做受迫振動(dòng)，成為一個(gè)新的波源，向各個(gè)方向發(fā)射電磁波。即X射線照射下，晶體中的每個(gè)格點(diǎn)成為一個(gè)散射中心。它們發(fā)出的電磁波頻率與外來(lái)X射線頻率相同，而且這些散射是彼此相干的，將在空間發(fā)生干涉。 晶體中的衍射可以分為點(diǎn)間干涉和面間干涉。從點(diǎn)間干涉考慮得到每個(gè)晶面衍射主極強(qiáng)方向的條件是q = q ￠，即沿反射方向。從面間干涉考慮得到光程差必須是l 的整數(shù)倍，2dSinq = kl，這就是布拉格條件。 4、實(shí)驗(yàn)前的準(zhǔn)備： （1）檢查實(shí)驗(yàn)所用晶

3、體是否齊全，一次性手套是否備好。 （2）打印機(jī)正常及打印紙。 5、預(yù)習(xí)要求及質(zhì)疑： （1）通讀講義，了解實(shí)驗(yàn)?zāi)康?、原理及步驟。對(duì)不懂的問(wèn)題，準(zhǔn)備好問(wèn)老師。 （2）寫預(yù)習(xí)報(bào)告，包括實(shí)驗(yàn)名稱、原理簡(jiǎn)述及電路圖。 （3）質(zhì)疑： ①X光是如何產(chǎn)生的？高速運(yùn)動(dòng)的電子達(dá)到一定的金屬靶上，使金屬內(nèi)層電子電離或激發(fā)，外層電子躍遷到內(nèi)層，便會(huì)發(fā)出相應(yīng)的X光。 ②X光為何可做晶體結(jié)構(gòu)分析？因?yàn)閄光波長(zhǎng)與晶格常數(shù)相當(dāng)，可使晶體產(chǎn)生干涉和衍射。 6、實(shí)驗(yàn)內(nèi)容： （1）觀察X光透射現(xiàn)象。 （2）測(cè)出NaCl的衍射譜并記下各峰的值。 7、實(shí)驗(yàn)中常見(jiàn)的問(wèn)題及解決辦法： · 設(shè)置好了高壓、

4、管流，可為什么看不到透射像呢？（熒光屏防護(hù)罩是否已打開(kāi)，光縫是否已卸下？） · 如何記錄實(shí)驗(yàn)現(xiàn)象呢？（注意不要同時(shí)改變兩個(gè)變量） · 拿取NaCl晶體時(shí)，一定要小心輕放、愛(ài)惜樣品，使用完畢，放入干燥缸。 · 為何反射曲線跟書(shū)上的例圖有如此大差距？（提示：檢查實(shí)驗(yàn)條件的設(shè)置、樣品的放置、儀器零點(diǎn)的調(diào)節(jié)等） · 如何調(diào)零？（參照課本選做內(nèi)容二） · 為何反射曲線上峰是一對(duì)一對(duì)出現(xiàn)的呢？（鉬有兩條特征譜線） · 為何不直接取反射曲線上的各峰值點(diǎn)計(jì)算NaCl的晶面間距？（作圖軟件不是曲線擬合數(shù)據(jù)） · 研究X光的吸收與材料厚度關(guān)系時(shí)，應(yīng)采用什么樣的掃描模式呢？如何設(shè)置實(shí)驗(yàn)條件？（targ

5、et模式掃描，高壓設(shè)置為25kV，管流設(shè)置為0.3mA） 8、典型數(shù)據(jù)： （1）透射現(xiàn)象 U / KV I / mA 透射象的強(qiáng)度 透射象的清晰度 35 1 強(qiáng) 清晰 31.5 1 減弱 清晰 28 1 減弱 清晰 24.5 1 減弱 不清晰 21 1 近無(wú) 沒(méi)有透射象，只有模糊黑影 35 0.9 強(qiáng) 清晰 35 0.8 強(qiáng) 清晰 35 0.7 減弱 清晰 35 0.6 減弱 清晰 35 0.5 減弱 清晰 35 0.4 減弱 次清晰 35 0.3 減弱 次清晰 35 0.2

6、很弱 模糊 35 0.1 很弱 模糊黑影 對(duì)實(shí)驗(yàn)現(xiàn)象的分析： K系標(biāo)識(shí)譜線的強(qiáng)度與管壓和管流的關(guān)系：，由該式可知，產(chǎn)生X光的強(qiáng)度與管壓成指數(shù)關(guān)系，與管流成線性關(guān)系，且當(dāng)管壓小于一定值時(shí)，將無(wú)法打出鉬靶內(nèi)層電子產(chǎn)生x光。 （2）測(cè)定NaCl的晶面間距 第一個(gè)峰值 第二個(gè)峰值 第三個(gè)峰值 第四個(gè)峰值 第五個(gè)峰值 第六個(gè)峰值 b/ o R / s-1 b/ o R / s-1 b/ o R / s-1 b/ o R / s-1 b/ o R / s-1 b/ o R / s-1 6.2 886.6 7.0 1192.0 12.7

7、 166.6 14.3 160.0 19.5 78.2 22.0 108.2 6.3 1185.6 7.1 2226.2 12.8 245.4 14.4 413.2 19.6 94.8 22.1 161.6 6.4 1299.0 7.2 2511.0 12.9 299.8 14.5 698.4 19.7 59.0 22.2 156.6 6.5 997.6 7.3 1817.6 13.0 206.2 14.6 599.0 19.8 44.6 22.3 98.8 6.6 731.0 7.4 966.0

8、13.1 132.6 14.7 297.8 19.9 44.8 22.4 51.0 作圖處理數(shù)據(jù)： 計(jì)算：由公式2dSinq = kl，可計(jì)算出食鹽的晶面間距d。 k 1 1 2 2 3 3 l / nm 0.0631 0.0711 0.0631 0.0711 0.0631 0.0711 角度b/ ° 6.37 7.18 12.88 14.53 19.57 22.14 d / nm 0.2844 0.2844 0.2831 0.2834 0.2826 0.2830 \d = (0.2844 + 0.2844

9、+ 0.2831 + 0.2834 + 0.2826 + 0.2830) ′1/6 = 0.2835/nm 9、選做內(nèi)容簡(jiǎn)述： 可做LiF的衍射譜。 10、思考題解答： （1） X光的特征譜是這樣產(chǎn)生的：高速運(yùn)動(dòng)的電子打到金屬靶上，使其內(nèi)層電子被打到最外層或電離掉。其他各層的電子向此內(nèi)層躍遷，發(fā)出X光特征譜。如果改變電壓，其波長(zhǎng)不變，而強(qiáng)度會(huì)隨電壓減小而減小。X光的連續(xù)譜是這樣產(chǎn)生的：高速運(yùn)動(dòng)的電子打到金屬靶上，因受原子核的庫(kù)侖場(chǎng)的作用而減速，產(chǎn)生連續(xù)的電磁波。如果改變電壓，其波長(zhǎng)會(huì)隨電壓減小而增加，其強(qiáng)度隨電壓減小而減小。 （2） 因?yàn)閄光穿透能力強(qiáng)，利用X光能看到密封容器

10、內(nèi)的物體。但并非能看到任何容器內(nèi)的物體，比如金屬等。 （3） 在實(shí)驗(yàn)內(nèi)容（一）中，管端電壓降低到2/3左右時(shí)，已差不多看不到X光透射象，是因?yàn)殡娮铀俣炔蛔阋源虺鰞?nèi)層電子，沒(méi)有X光產(chǎn)生；而電流降低到1/10左右還能看到X光投射象，是因?yàn)檫€有X光產(chǎn)生。 （4） COUPLED（偶合）掃描模式是靶臺(tái)與探測(cè)器同時(shí)在一定角度下轉(zhuǎn)動(dòng)。保證出射角等于入射角。 （5） X光能進(jìn)行晶體經(jīng)過(guò)分析，因其波長(zhǎng)與晶格常數(shù)相當(dāng)，可產(chǎn)生干涉和衍射。 （6） X光管的陽(yáng)極要散熱，因?yàn)殡娮哟虻桨猩蠒?huì)產(chǎn)生熱量而燒壞陽(yáng)極金屬靶。 11、評(píng)分標(biāo)準(zhǔn)： 1）預(yù)習(xí)報(bào)告：2分 實(shí)驗(yàn)?zāi)康模?.4分、實(shí)驗(yàn)原理：0.6分（包括X

11、光的產(chǎn)生機(jī)理，對(duì)透射像的觀察及布拉格公式）、實(shí)驗(yàn)內(nèi)容或步驟0.4分、數(shù)據(jù)表格0.6分（包括對(duì)實(shí)驗(yàn)現(xiàn)象觀察的半定量表格，和衍射曲線數(shù)據(jù)記錄的表格） 以上要素每缺少1個(gè)扣相應(yīng)分?jǐn)?shù)，不合要求的酌減，上課遲到10分鐘以內(nèi)扣0.2分，超過(guò)10分鐘扣0.5分。若預(yù)習(xí)報(bào)告原封不動(dòng)照抄課本則預(yù)習(xí)分?jǐn)?shù)減半。 2）實(shí)驗(yàn)操作：4分 獨(dú)立操作無(wú)明顯失誤：1分 實(shí)驗(yàn)儀器的記錄：0.5分 實(shí)驗(yàn)現(xiàn)象的記錄：1分（包括對(duì)實(shí)驗(yàn)條件的記錄和現(xiàn)象的詳細(xì)描述） 實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)：1分（包括對(duì)實(shí)驗(yàn)條件的記錄） 其它：0.5分（比如記錄實(shí)驗(yàn)中的問(wèn)題和想法、能正確回答老師提問(wèn)、能獨(dú)立地解決實(shí)驗(yàn)中出現(xiàn)的問(wèn)題等） 3）實(shí)驗(yàn)報(bào)告：4分

12、 對(duì)實(shí)驗(yàn)現(xiàn)象的解釋：0.8分（高壓、管流的作用各0.4分） 作圖：0.6分（6個(gè)小圖，每個(gè)0.1分） d的計(jì)算：0.6分（每個(gè)0.1分，包括單位及有效數(shù)字） 實(shí)驗(yàn)結(jié)果與討論：1分 有自己獨(dú)到的見(jiàn)解：1分 4）其它： ①、以上實(shí)驗(yàn)，若學(xué)生做了選作內(nèi)容，可加0.5分左右，不超過(guò)1分，相當(dāng)于占用“有自己獨(dú)到的見(jiàn)解”部分的分值。 ②、實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)處理或?qū)嶒?yàn)討論發(fā)現(xiàn)有抄襲現(xiàn)象，不管是抄襲者還是被抄襲者，實(shí)驗(yàn)報(bào)告部分的分?jǐn)?shù)全部扣除，并在發(fā)報(bào)告是給與警告。 ③、若實(shí)驗(yàn)報(bào)告非常不整潔，難以辨認(rèn)，可扣0.5分。 ④、若實(shí)驗(yàn)報(bào)告遲交，實(shí)驗(yàn)報(bào)告部分成績(jī)按80%記錄，實(shí)驗(yàn)后2周仍未交報(bào)告的，實(shí)驗(yàn)報(bào)告部分為0分。 ⑤、若認(rèn)真地訂正報(bào)告中的錯(cuò)誤，可適當(dāng)加分。 12、考試題集錦： 13、參考資料及儀器說(shuō)明書(shū)： （1）趙凱華 光學(xué) 北京大學(xué)出版社 P31—38。 （2）劉玉華等 原子物理學(xué) 北京師范大學(xué)出版社 P155—163。