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什么是只讀存儲器
只讀存儲器(ROM)的信息在制造時或通過肯定的編程方法寫入,在系統(tǒng)中通常只能讀出不能寫入。在斷電時,其信息不會丟失,它用來存放固定的程序及數(shù)據(jù),如監(jiān)控程序、數(shù)據(jù)表格等。
只讀存儲器可以分為掩膜式ROM、一次性編程PROM、可重復編程的則有光擦除的EPROM、E2PROM及Flash Memory 等。
掩膜式ROM也稱固定ROM。它是由半導體生產廠依據(jù)用戶的要求,在生產過程中依據(jù)用戶供應的程序或數(shù)據(jù)制造。制成之后,用戶只能讀出其信息而不能加以修改。它適用于定型產品的批量生產。
一次性編程PROM可供用戶通過編程
2、器寫入一次程序或數(shù)據(jù)。寫入以后其內容不允許修改。這樣用戶可自行將無須修改的程序或數(shù)據(jù)寫入 ROM,如寫入后發(fā)覺其內容還需修改,只能將此芯片報廢,重新取用一片新的。它適用于批量較小的場合。
EPROM是一種利用光擦除的能夠重復擦、寫的只讀存儲器。用戶可通過編程器寫入程序。當需要修改時,可用紫外光通過芯片上的石英玻璃窗照耀芯片15~20分鐘,將芯片內的信息全部擦除。此時全部單元的內容均為"1"。用戶可將其再次寫入信息。EPROM使用比較敏捷,當用戶寫入一程序后發(fā)覺部分數(shù)據(jù)需修改時,可以將其內容擦去后再次寫入。它在科研及小批量生產過程中使用較普遍。
EPROM的擦或寫均需專用設備。即使要
3、修改一個數(shù)據(jù)也必需將芯片從系統(tǒng)中拆下,把信息全部擦除后再次重新寫入。而在實際使用中,往往只要求修改一個或少數(shù)幾個數(shù)據(jù)。EEPROM和Flash Memory在這方面顯示了其優(yōu)越性,是目前用得較多的大容量只讀存儲器。與光擦除的EPROM不同的是,它采納了電擦除的方式,而編程也無須通過專用的編程器進行,可在應用系統(tǒng)中直接編程。在寫入的同時即擦除了原有的信息,通常在器件的內部產生編程所需的高電壓,用戶只需5V的電壓即可對其進行操作。
E2PROM的數(shù)據(jù)讀出類似于靜態(tài)RAM(SRAM)的數(shù)據(jù)讀出,數(shù)據(jù)寫入分為字節(jié)寫入和頁寫入兩種模式。在器件內包含了一個64字節(jié)的頁寄存器,允許最多寫入64個字節(jié)(一頁)的數(shù)據(jù)。寫入操作包括數(shù)據(jù)鎖存和編程2個過程,寫周期最大為10ms。在寫入操作的同時,原先的數(shù)據(jù)即被擦除。
Flash Memory的數(shù)據(jù)讀出類似于靜態(tài)RAM(SRAM)的數(shù)據(jù)讀出。數(shù)據(jù)寫入為頁寫入模式。在器件內包含了一個64字節(jié)的頁寄存器,要求一次寫入64個字節(jié)(一頁)的數(shù)據(jù),寫入操作包括數(shù)據(jù)鎖存和編程2個過程,寫周期最大為10ms。在編程時,一頁中未裝入的數(shù)據(jù)將為不確定數(shù)據(jù)。在寫入操作的同時,原先的數(shù)據(jù)即被擦除。
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