《只讀存儲器（ROM）》由會員分享，可在線閱讀，更多相關(guān)《只讀存儲器（ROM）（3頁珍藏版）》請在裝配圖網(wǎng)上搜索。

1、本文格式為Word版，下載可任意編輯 只讀存儲器（ROM） 1、 掩模只讀存儲器(ROM) 　　掩膜ROM中存放的信息是由生產(chǎn)廠家采納掩膜工藝特地為用戶制作的，這種ROM出廠時其內(nèi)部存儲的信息就已經(jīng)“固化”在里邊了，所以也稱固定ROM。 　　依據(jù)規(guī)律電路的特點，ROM屬于組合規(guī)律電路，即給一組輸入（地址），存儲器相應(yīng)地給出一種輸出（存儲的字）。因此要實現(xiàn)這種功能，可以采納一些簡潔的規(guī)律門。 　　2、 可編程只讀存儲器(PROM) 　　PROM的總體結(jié)構(gòu)與掩膜ROM一樣，只是在出廠時全部存儲單元都存入1或0。在編程前，若存儲矩陣中的全部存儲單元的熔絲都是連通的，即每個單元存儲的都是

2、1。用戶可依據(jù)需要，借助肯定的編程工具，將某些存儲單元上的熔絲用大電流燒斷，該單元存儲的內(nèi)容就變?yōu)?，此過程稱為編程。熔絲燒斷后不能再接上，故PROM只能進行一次編程。 　　3、 可擦除的可編程只讀存儲器(EPROM) 　　EPROM與PROM的總體結(jié)構(gòu)形式?jīng)]有多大區(qū)分。只是采納了不同的存儲單元。EPROM存儲的數(shù)據(jù)可以用紫外線、電信號擦除重寫。用紫外線照耀進行擦除的UVEPROM 、用電信號擦除的E2PROM，新一代的電信號可擦除的快閃存儲器(Flash Memory)。 　　EPROM是另外一種廣泛使用的存儲器。EPROM可以依據(jù)用戶要求寫入信息，從而長期使用。當(dāng)不需要原有信息時，也

3、可以擦除后重寫。若要擦去所寫入的內(nèi)容，可用EPROM擦除器產(chǎn)生的強紫外線，對EPROM照耀20分鐘左右，使全部存儲單元恢復(fù)“1”，以便用戶重新編寫。 　　二、E2PROM 　　E2PROM是近年來被廣泛重視的一種只讀存儲器，它稱為電擦除可編程只讀存儲器，又可寫為EEPROM。其主要特點是能在應(yīng)用系統(tǒng)中進行在線改寫，并能在斷電的狀況下保存數(shù)據(jù)而不需愛護電源。特殊是最近的+5V電擦除E2PROM，通常不需單獨的擦除操作，可在寫入過程中自動擦除，使用特別便利。 　　EPROM可擦寫存儲器的缺點是要擦除已存入的信息必需用紫外光照耀肯定的時間，因此不能用于快速轉(zhuǎn)變儲存信息的場合，用隧道型儲存單元制

4、成的存儲器克服了這一缺點，它稱為電可改寫只讀存儲器E2PROM，即電擦除、電編程的只讀存儲器。 　　E2PROM總體結(jié)構(gòu)與掩模ROM一樣，但存儲單元不同。 　　存儲原理：Gf存電荷前,正常掌握柵極電壓3V下,T1導(dǎo)通, 存0；Gf存電荷后,正常掌握柵極電壓3V下,T1截止, 存1。 　　EEPROM的編程過程：先擦除，再編程！ 　　(1)擦除就是給浮柵充電 ，相當(dāng)于寫“1” 　　(2)寫入就是將需要寫“0”的單元的柵極放電 　　寫1 (擦除/充電): Wi和Gc加20V、10ms的正脈沖，Bj接0，電子通過隧道區(qū)從漏極進入浮置柵極Gf 。 　　寫0(寫入/放電):Gc接0，Wi和

5、Bj加20V 10ms的正脈沖, 電子通過隧道區(qū)從浮置柵極Gf向漏極釋放。 　　三、閃速型存儲器（Flash Memory） 　　閃速存儲單元又稱為快擦快寫存儲單元,去掉了隧道型存儲單元的選擇管，結(jié)構(gòu)簡潔，集成度高，成本低，更有效，使用閃速存儲單元制成的PLD器件密度更高。它不像E2PROM那樣一次只能擦除一個字，而是可以用一個信號，在幾毫秒內(nèi)擦除一大區(qū)段，所以叫Flash Memory，用來形容擦除速度快。 　　Flash工作原理類似于疊柵型存儲單元，但有兩點不同之處： 　　1. 閃速存儲單元源極的區(qū)域S大于漏極的區(qū)域D，兩區(qū)域不是對稱的，使浮柵上的電子進行分級雙集中，電子集中的速度

6、遠遠大于疊柵型存儲單元； 　　2. 疊柵存儲單元的浮柵到P型襯底間的氧化物層約30-40nm，而閃速存儲單元的氧化物層更薄。 　　信息寫入與EPROM相同。 　　0 狀態(tài)：利用雪崩注入的方法使浮柵充電，相當(dāng)于存儲0； 　　1 狀態(tài)：浮柵未注入電子，相當(dāng)于存儲1。 　　讀出1：反之，若浮柵上有注入電子，疊柵MOS管截止，位線輸出高電平。 　　讀出0:令Wi=1，Vss=0，若浮柵上沒有注入電子，則疊柵MOS管導(dǎo)通，位線輸出低電平；注入電子，則T1導(dǎo)通，在位線上可讀出0。 　　信息擦除： 　　快閃只讀存儲器的擦除方法與E2PROM類似，是利用隧道效應(yīng)來完成的。在擦除狀態(tài)下，掌握柵G

7、處于0電平，源極加入高壓脈沖（12V），在浮柵與源區(qū)間很小的重疊區(qū)域產(chǎn)生隧道效應(yīng)，使浮柵上的電荷經(jīng)隧道釋放。 　　和E2PROM相比， Flash memory需要電壓明顯減小，這源于更薄的SiO2絕緣層。 Flash memory具有在系統(tǒng)可編程(ISP, In-System Programmability)的力量。在很多場合， Flash memory也被直接稱為E2PROM. 　　U盤往往內(nèi)部包括了微處理器和Flash memory，之所以可以在比較低的單電源條件下工作，由于芯片內(nèi)部往往有電荷泵（charge pump ）用于提升電壓，以滿意在擦除和寫入時對高電壓的要求。 　　雖然，ROM可讀也可寫，但寫入速度慢，另外寫入或擦除操作是有損操作，SiO2絕緣層很薄，隨著寫操作次數(shù)增加，也在不斷損耗，一旦絕緣層徹底擊穿，將不能再編程。所以可寫ROM的編程次數(shù)都是有限的，典型次數(shù)為100萬次。 第 3 頁 共 3 頁