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(通用版)2020高考化學(xué)一輪復(fù)習(xí) 跟蹤檢測(六十六)教材基礎(chǔ)(4)晶體結(jié)構(gòu)與性質(zhì)(含解析).doc

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(通用版)2020高考化學(xué)一輪復(fù)習(xí) 跟蹤檢測(六十六)教材基礎(chǔ)(4)晶體結(jié)構(gòu)與性質(zhì)(含解析).doc

跟蹤檢測(六十六)教材基礎(chǔ)(4)晶體結(jié)構(gòu)與性質(zhì)1下列晶體分類中正確的一組是()選項(xiàng)離子晶體原子晶體分子晶體ANaOHArSO2BH2SO4石墨SCCH3COONa水晶DBa(OH)2金剛石玻璃解析:選CA項(xiàng)中固態(tài)Ar為分子晶體;B項(xiàng)中H2SO4為分子晶體,石墨是混合型晶體;D項(xiàng)中玻璃是非晶體。2下列各組晶體物質(zhì)中,化學(xué)鍵類型相同,晶體類型也相同的是()SiO2和SO3晶體硼和HClCO2和SO2晶體硅和金剛石晶體氖和晶體氮硫黃和碘ABC D解析:選C屬于分子晶體的有SO3、HCl、CO2、SO2、晶體氖、晶體氮、硫黃、碘,屬于原子晶體的有SiO2、晶體硼、晶體硅、金剛石,但晶體氖中不存在化學(xué)鍵。3氮氧化鋁(AlON)屬原子晶體,是一種超強(qiáng)透明材料,下列描述錯(cuò)誤的是()AAlON和石英的化學(xué)鍵類型相同BAlON和石英晶體類型相同CAlON和Al2O3的化學(xué)鍵類型不同DAlON和Al2O3晶體類型相同解析:選DAlON與石英(SiO2)均為原子晶體,所含化學(xué)鍵均為共價(jià)鍵,故A、B項(xiàng)正確;Al2O3是離子晶體,晶體中含離子鍵,不含共價(jià)鍵,故C項(xiàng)正確、D項(xiàng)錯(cuò)誤。4下列說法中正確的是()A離子晶體中每個(gè)離子周圍均吸引著6個(gè)帶相反電荷的離子B金屬導(dǎo)電的原因是在外電場作用下金屬產(chǎn)生自由電子,電子定向運(yùn)動(dòng)C分子晶體的熔、沸點(diǎn)很低,常溫下都呈液態(tài)或氣態(tài)D原子晶體中的各相鄰原子都以共價(jià)鍵相結(jié)合解析:選DA項(xiàng),離子晶體中每個(gè)離子周圍不一定吸引6個(gè)帶相反電荷的離子,如CsCl晶體中,每個(gè)Cs吸引8個(gè)Cl;B項(xiàng),金屬晶體中的自由電子不是因?yàn)橥怆妶鲎饔卯a(chǎn)生的;C項(xiàng),分子晶體在常溫下不一定是液態(tài)或氣態(tài),可能為固態(tài),如I2、S8等。5下列物質(zhì)的熔、沸點(diǎn)高低順序中,正確的是()A金剛石晶體硅二氧化硅碳化硅BCMgOH2OO2Br2D金剛石生鐵純鐵鈉解析:選BA項(xiàng),同屬于原子晶體,熔、沸點(diǎn)高低由共價(jià)鍵的強(qiáng)弱即鍵能大小決定,鍵能由小到大也是熔、沸點(diǎn)由低到高的順序?yàn)榫w硅碳化硅二氧化硅<金剛石,錯(cuò)誤;B項(xiàng),形成分子間氫鍵的物質(zhì)的熔、沸點(diǎn)高于形成分子內(nèi)氫鍵的物質(zhì)的熔、沸點(diǎn),正確;C項(xiàng),熔、沸點(diǎn)高低順序?yàn)镸gOH2OBr2O2,錯(cuò)誤;D項(xiàng),生鐵為鐵合金,熔點(diǎn)低于純鐵,錯(cuò)誤。6下列數(shù)據(jù)是對應(yīng)物質(zhì)的熔點(diǎn)():BCl3Al2O3Na2ONaClAlF3AlCl3干冰SiO21072 0739208011 291190571 723據(jù)此做出的下列判斷中錯(cuò)誤的是()A鋁的化合物的晶體中有的是離子晶體B表中只有BCl3和干冰是分子晶體C同族元素的氧化物可形成不同類型的晶體D不同族元素的氧化物可形成相同類型的晶體解析:選BA項(xiàng),氧化鋁的熔點(diǎn)高,屬于離子晶體,則鋁的化合物的晶體中有的是離子晶體,正確;B項(xiàng),表中BCl3、AlCl3和干冰均是分子晶體,錯(cuò)誤;C項(xiàng),同族元素的氧化物可形成不同類型的晶體,如CO2是分子晶體,SiO2是原子晶體,正確。7下列關(guān)于CaF2的表述正確的是()ACa2與F間僅存在靜電吸引作用BF的離子半徑小于Cl,則CaF2的熔點(diǎn)低于CaCl2C陰、陽離子數(shù)之比為21的物質(zhì),均與CaF2晶體構(gòu)型相同DCaF2中的化學(xué)鍵為離子鍵,因此CaF2在熔融狀態(tài)下能導(dǎo)電解析:選DCa2與F之間既有靜電吸引作用,也有靜電排斥作用,A錯(cuò)誤;離子所帶電荷相同,F(xiàn)的離子半徑小于Cl,所以CaF2晶體的晶格能大,熔點(diǎn)高,B錯(cuò)誤;晶體構(gòu)型還與離子半徑的相對大小有關(guān),所以陰、陽離子數(shù)之比為21的物質(zhì),不一定與CaF2晶體構(gòu)型相同,C錯(cuò)誤;CaF2中的化學(xué)鍵為離子鍵,在熔融狀態(tài)下發(fā)生電離,因此CaF2在熔融狀態(tài)下能導(dǎo)電,D正確。8有一種藍(lán)色晶體可表示為MxFey(CN)6,經(jīng)X射線研究發(fā)現(xiàn),它的結(jié)構(gòu)特征是Fe3和Fe2互相占據(jù)立方體互不相鄰的頂點(diǎn),而CN位于立方體的棱上。其晶體中陰離子的最小結(jié)構(gòu)單元如圖所示。下列說法不正確的是()A該晶體的化學(xué)式為MFe2(CN)6B該晶體屬于離子晶體,M呈1價(jià)C該晶體屬于離子晶體,M呈2價(jià)D晶體中與每個(gè)Fe3距離最近且等距離的CN為6個(gè)解析:選C由題圖可推出晶體中陰離子的最小結(jié)構(gòu)單元中含F(xiàn)e2個(gè)數(shù):4,含F(xiàn)e3個(gè)數(shù):4,含CN個(gè)數(shù):123,因此陰離子為Fe2(CN)6,則該晶體的化學(xué)式只能為MFe2(CN)6,由陰、陽離子形成的晶體為離子晶體,M的化合價(jià)為1價(jià),故A、B兩項(xiàng)正確,C項(xiàng)錯(cuò)誤。由圖可看出與每個(gè)Fe3距離最近且等距離的CN為6個(gè),故D項(xiàng)正確。9(1)鈉、鉀、鉻、鉬、鎢等金屬晶體的晶胞屬于體心立方,則該晶胞中屬于1個(gè)體心立方晶胞的金屬原子數(shù)目是_。氯化銫晶體的晶胞如圖1,則Cs位于該晶胞的_,而Cl位于該晶胞的_,Cs的配位數(shù)是_。(2)銅的氫化物的晶體結(jié)構(gòu)如圖2所示,寫出此氫化物在氯氣中燃燒的化學(xué)方程式:_。(3)圖3為F與Mg2、K形成的某種離子晶體的晶胞,其中“”表示的離子是_(填離子符號)。(4)實(shí)驗(yàn)證明:KCl、MgO、CaO、TiN這4種晶體的結(jié)構(gòu)與NaCl晶體結(jié)構(gòu)相似(如圖4所示),已知3種離子晶體的晶格能數(shù)據(jù)如下表:離子晶體NaClKClCaO晶格能/(kJmol1)7867153 401則這4種離子晶體(不包括NaCl)熔點(diǎn)從高到低的順序是_。其中MgO晶體中一個(gè)Mg2周圍和它最鄰近且等距離的Mg2有_個(gè)。解析:(1)體心立方晶胞中,1個(gè)原子位于體心,8個(gè)原子位于立方體的頂點(diǎn),故1個(gè)晶胞中金屬原子數(shù)為812;氯化銫晶胞中,Cs位于體心,Cl位于頂點(diǎn),Cs的配位數(shù)為8。(2)由晶胞可知,粒子個(gè)數(shù)比為11,化學(xué)式為CuH,CuH與Cl2反應(yīng),產(chǎn)物為CuCl2和HCl,化學(xué)方程式為2CuH3Cl22CuCl22HCl。(3)由晶胞結(jié)構(gòu)可知,黑球有1個(gè),灰球有1個(gè),白球有3個(gè),由電荷守恒可知n(Mg2)n(K)n(F)113,故白球?yàn)镕。(4)從3種離子晶體的晶格能數(shù)據(jù)知道,離子所帶電荷越多、離子半徑越小,離子晶體的晶格能越大,離子所帶電荷數(shù):Ti3>Mg2,離子半徑:Mg2Ca2,所以熔點(diǎn):TiN>MgO>CaO>KCl;MgO晶體中一個(gè)Mg2周圍和它最鄰近且等距離的Mg2有12個(gè)。答案:(1)2體心頂點(diǎn)8(2)2CuH3Cl22CuCl22HCl(3)F(4)TiN>MgO>CaO>KCl1210(2017海南高考)A族元素及其化合物在材料等方面有重要用途?;卮鹣铝袉栴}:(1)碳的一種單質(zhì)的結(jié)構(gòu)如圖(a)所示。該單質(zhì)的晶體類型為_,原子間存在的共價(jià)鍵類型有_,碳原子的雜化軌道類型為_。(2)SiCl4分子的中心原子的價(jià)層電子對數(shù)為_,分子的立體構(gòu)型為_,屬于_分子(填“極性”或“非極性”)。(3)四鹵化硅SiX4的沸點(diǎn)和二鹵化鉛PbX2的熔點(diǎn)如圖(b)所示。SiX4的沸點(diǎn)依F、Cl、Br、I次序升高的原因是_。結(jié)合SiX4的沸點(diǎn)和PbX2的熔點(diǎn)的變化規(guī)律,可推斷:依F、Cl、Br、I次序,PbX2中的化學(xué)鍵的離子性_、共價(jià)性_。(填“增強(qiáng)”“不變”或“減弱”)解析:(1)該單質(zhì)為石墨,石墨屬于混合型晶體,層內(nèi)碳原子之間形成鍵和鍵;石墨中碳原子有3個(gè)鍵,無孤電子對,因此雜化類型為sp2;(2)SiCl4中心原子是Si,有4個(gè)鍵,孤電子對數(shù)為0,價(jià)層電子對數(shù)為4,空間構(gòu)型為正四面體;屬于非極性分子;(3)SiX4屬于分子晶體,不含分子間氫鍵,范德華力越大,熔沸點(diǎn)越高,范德華力隨著相對分子質(zhì)量的增大而增大,即熔沸點(diǎn)增高;同主族從上到下非金屬性減弱,得電子能力減弱,因此PbX2中化學(xué)鍵的離子性減弱,共價(jià)性增強(qiáng)。答案:(1)混合型晶體鍵、鍵sp2(2)4正四面體非極性(3)均為分子晶體,范德華力隨相對分子質(zhì)量增大而增大減弱增強(qiáng)

注意事項(xiàng)

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