第二單元離子鍵離子晶體學習目標定位1.正確理解離子鍵、離子晶體的概念，知道離子晶體類型與其性質(zhì)的聯(lián)系。2.認識晶格能的概念和意義，能根據(jù)晶格能的大小，會分析晶體的性質(zhì)。一、離子鍵的形成1形成過程2特征(1)沒有方向性：離子鍵的實質(zhì)是靜電作用，離子的電荷分布通常被看成是球形對稱的，因此一種離子對帶異性電荷離子的吸引作用與其所處的方向無關(guān)。(2)沒有飽和性：在離子化合物中，每個離子周圍最鄰近的帶異性電荷離子數(shù)目的多少，取決于陰、陽離子的相對大小。只要空間條件允許，陽離子將吸引盡可能多的陰離子排列在其周圍，陰離子也將吸引盡可能多的陽離子排列在其周圍，以達到降低體系能量的目的。(1)離子鍵的存在只存在于離子化合物中：大多數(shù)鹽、強堿、活潑金屬氧化物(過氧化物如Na2O2)、氫化物(如NaH和NH4H)等。(2)離子鍵的實質(zhì)是“靜電作用”。這種靜電作用不僅是靜電引力，而是指陰、陽離子之間靜電吸引力與電子與電子之間、原子核與原子核之間的排斥力處于平衡時的總效應。(3)成鍵條件：成鍵元素的原子得、失電子的能力差別很大，電負性差值大于1.7。例1具有下列電子排布的原子中最難形成離子鍵的是()A1s22s22p2B1s22s22p5C1s22s22p63s2D1s22s22p63s1答案A解析形成離子鍵的元素為活潑金屬元素與活潑非金屬元素，A為C元素，B為F元素，C為Mg元素，D為Na元素，則只有A項碳元素既難失電子，又難得電子，不易形成離子鍵。例2下列關(guān)于離子鍵的說法中錯誤的是()A離子鍵沒有方向性和飽和性B非金屬元素組成的物質(zhì)也可以含離子鍵C形成離子鍵時離子間的靜電作用包括靜電吸引和靜電排斥D因為離子鍵無飽和性，故一種離子周圍可以吸引任意多個帶異性電荷的離子答案D解析活潑金屬和活潑非金屬元素原子間易形成離子鍵，但由非金屬元素組成的物質(zhì)也可含離子鍵，如銨鹽，B項正確；離子鍵無飽和性，體現(xiàn)在一種離子周圍可以盡可能多地吸引帶異性電荷的離子，但也不是任意的，因為這個數(shù)目還要受兩種離子的半徑比(即空間條件是否允許)和個數(shù)比的影響，D項錯誤。易錯警示(1)金屬與非金屬形成的化學鍵有可能是共價鍵，如AlCl3。(2)完全由非金屬元素形成的化合物中有可能含離子鍵，如NH4Cl、NH4H，一定有共價鍵。(3) 離子鍵不具有飽和性是相對的，每種離子化合物的組成和結(jié)構(gòu)是一定的，而不是任意的。二、離子晶體1概念及結(jié)構(gòu)特點(1)概念：陰、陽離子通過離子鍵結(jié)合而形成的晶體。(2)結(jié)構(gòu)特點構(gòu)成微粒：陰離子和陽離子，離子晶體中不存在單個分子，其化學式表示的是離子的個數(shù)比。微粒間的作用力：離子鍵。2晶格能(U) (1)概念：拆開1_mol離子晶體形成氣態(tài)陰離子和氣態(tài)陽離子所吸收的能量。(2)影響因素：離子晶體中離子半徑越小，所帶電荷越多，晶格能越大。(3)晶格能與晶體物理性質(zhì)的關(guān)系：晶格能越大，離子鍵穩(wěn)定性越強，離子晶體的熔、沸點越高，硬度越大。3離子晶體的結(jié)構(gòu)(1)配位數(shù)：離子晶體中一個離子周圍最鄰近的異電性離子的數(shù)目，叫做離子的配位數(shù)。(2)觀察分析表中AB型離子晶體的結(jié)構(gòu)模型，填寫下表：晶體結(jié)構(gòu)模型配位數(shù)Cl和Na配位數(shù)都為6Cl和Cs配位數(shù)都為8Zn2和S2配位數(shù)都為4晶胞中微粒數(shù)Na、Cl都為4Cs、Cl都為1Zn2、S2都為4陰、陽離子個數(shù)比111111化學式NaClCsClZnS符合類型Li、Na、K、Rb的鹵化物，AgF、MgO等CsBr、CsI、NH4Cl等BeO、BeS等4.離子晶體的性質(zhì)(1)熔點較高，硬度較大。(2)離子晶體不導電，但熔化或溶于水后能導電。(3)大多數(shù)離子晶體能溶于水，難溶于有機溶劑。影響離子晶體配位數(shù)的因素(1)離子半徑因素：的值不同，晶體中離子的配位數(shù)不同，其晶體結(jié)構(gòu)不同。數(shù)值越大，離子的配位數(shù)越多。(2)電荷因素：AB型離子晶體的陰、陽離子的配位數(shù)相等；ABn型離子晶體的A、B離子的配位數(shù)比值為n1。例3下列性質(zhì)適合于離子晶體的是()A熔點1070，易溶于水，水溶液能導電B熔點10.31，液態(tài)不導電，水溶液能導電C能溶于CS2，熔點112.8，沸點444.6D熔點97.81，質(zhì)軟，導電，密度0.97gcm3答案A解析離子晶體在液態(tài)(即熔融態(tài))導電，B項錯誤；CS2是非極性溶劑，根據(jù)相似相溶規(guī)律，C項錯誤；由于離子晶體質(zhì)硬易碎，且固態(tài)不導電，D項錯誤。方法規(guī)律離子晶體的判斷方法(1)依據(jù)組成晶體的微粒和微粒間的作用力判斷。(2)依據(jù)物質(zhì)類別判斷。活潑金屬氧化物，強堿和絕大多數(shù)鹽類是離子晶體。(3)依據(jù)導電性判斷。離子晶體溶于水和熔融狀態(tài)下均導電。(4)依據(jù)熔、沸點和溶解性判斷。離子晶體熔、沸點較高，多數(shù)能溶于水，難溶于有機溶劑。例4下列關(guān)于晶格能的敘述中正確的是()A晶格能僅與形成晶體中的離子所帶電荷數(shù)有關(guān)B晶格能僅與形成晶體的離子半徑有關(guān)C晶格能是指相鄰的離子間的靜電作用D晶格能越大的離子晶體，其熔點越高答案D解析晶格能與離子所帶電荷數(shù)的乘積成正比，與陰、陽離子半徑的大小成反比，A、B項錯誤；晶格能越大，離子晶體的熔、沸點越高，硬度也越大，D項正確。例5一種離子晶體的晶胞如圖所示。其中陽離子A以表示，陰離子B以表示。關(guān)于該離子晶體的說法正確的是()A陽離子的配位數(shù)為8，化學式為ABB陰離子的配位數(shù)為4，化學式為A2BC每個晶胞中含4個AD每個A周圍有4個與它等距且最近的A答案C解析用均攤法可知，晶胞中含有陽離子數(shù)為864；陰離子顯然是8個，故化學式為AB2，A、B項錯誤；每個A周圍與它等距且最近的A有12個，D項錯誤。離子晶體1僅由下列各組元素所構(gòu)成的化合物，不可能形成離子晶體的是()AH、O、SBNa、H、OCK、Cl、ODH、N、Cl答案A解析強堿、活潑金屬氧化物、絕大多數(shù)鹽等是離子晶體。B項如NaOH、C項如KClO、D項如NH4Cl。2下列性質(zhì)中，可以充分說明某晶體是離子晶體的是()A具有較高的熔點B固態(tài)不導電，水溶液能導電C可溶于水D固態(tài)不導電，熔融狀態(tài)能導電答案D解析從熔點來看，離子晶體一般具有較高的熔點，但金剛石、石英等原子晶體也有很高的熔點，A項錯誤；某些共價化合物也能溶于水，溶于水后也能導電，例如HCl等，B項錯誤；從溶解性上看，蔗糖、葡萄糖等分子晶體也可溶于水，C項錯誤；固態(tài)不導電，熔融狀態(tài)能導電說明固態(tài)中原本有陰、陽離子，只是不能自由移動，而由陰、陽離子構(gòu)成的晶體一定是離子晶體。3下列關(guān)于NaCl晶體結(jié)構(gòu)的說法中正確的是()ANaCl晶體中，陰、陽離子的配位數(shù)相等BNaCl晶體中，每個Na周圍吸引1個ClCNaCl晶胞中的質(zhì)點代表一個NaClDNaCl晶體中存在單個的NaCl分子答案A解析氯化鈉晶體中，每個Na周圍結(jié)合6個Cl，而每個Cl周圍結(jié)合6個Na；NaCl只表示Na和Cl個數(shù)比為11。4下列熱化學方程式中，能直接表示出氯化鈉晶體晶格能的是()ANa(g)Cl(g)=NaCl(s)HBNa(s)Cl2(g)=NaCl(s)H1CNa(g)e=Na(g)H2DCl(g)e=Cl(g)H3答案A解析1mol氣態(tài)鈉離子和1mol氣態(tài)氯離子結(jié)合生成1mol氯化鈉晶體釋放出的熱能為氯化鈉晶體的晶格能，所以熱化學方程式中，能直接表示出氯化鈉晶體晶格能的是Na(g)Cl(g)=NaCl(s)H，故選A。5氧化鈣在2973K時熔化，而氯化鈉在1074K時熔化，兩者的離子間距離和晶體結(jié)構(gòu)都類似，有關(guān)它們?nèi)埸c差別較大的原因敘述不正確的是()A氧化鈣晶體中陰、陽離子所帶的電荷數(shù)多B氧化鈣的晶格能比氯化鈉的晶格能大C氧化鈣晶體的結(jié)構(gòu)類型與氯化鈉晶體的結(jié)構(gòu)類型不同D在氧化鈣與氯化鈉的離子間距離類似的情況下，晶格能主要由陰、陽離子所帶電荷的多少決定答案C解析CaO和NaCl都屬于離子晶體，熔點的高低可根據(jù)晶格能的大小判斷。晶格能的大小與離子所帶電荷多少、離子間距離、晶體結(jié)構(gòu)類型等因素有關(guān)。CaO和NaCl的離子間距離和晶體結(jié)構(gòu)都類似，故晶格能主要由陰、陽離子所帶電荷的多少決定。6同類晶體物質(zhì)熔、沸點的變化是有規(guī)律的，試分析下列兩組物質(zhì)熔點規(guī)律性變化的原因：物質(zhì)ANaClKClCsCl熔點/K10741049918物質(zhì)BNaMgAl熔點/K317923933晶體熔、沸點的高低，決定于組成晶體微粒間的作用力的大小。A組是_晶體，晶體微粒之間通過_相連，粒子之間的作用力由大到小的順序是_。B組晶體屬于_晶體，外圍電子數(shù)由少到多的順序是_，離子半徑由大到小的順序是_，金屬鍵由弱到強的順序為_。答案離子離子鍵NaCl>KCl>CsCl金屬Na<Mg<AlNa>Mg2>Al3Na<Mg<Al解析A組NaCl、KCl、CsCl為同一主族的鹵化物且為離子化合物，故熔點與離子鍵的強弱有關(guān)，離子鍵越弱，熔點越低。而Na、K、Cs的離子半徑逐漸增大，故Na與Cl、K與Cl、Cs與Cl的離子鍵逐漸減弱，NaCl、KCl、CsCl的熔點依次降低；而B組中Na、Mg、Al是金屬晶體且外圍電子數(shù)依次增多，離子半徑逐漸減小，因此金屬原子核對外層電子束縛能力越來越大，形成的金屬鍵越來越牢固，故熔點依次升高。對點訓練題組一正確理解離子鍵的概念1下列說法不正確的是()A靜電作用只有引力B離子鍵的實質(zhì)是靜電作用C離子鍵沒有方向性和飽和性D離子鍵雖然沒有飽和性，但離子晶體中陰、陽離子的個數(shù)比并不是任意的答案A2下列敘述正確的是()A帶相反電荷離子之間的相互吸引稱為離子鍵B金屬元素和非金屬元素化合時不一定形成離子鍵C原子最外層只有1個電子的主族元素與鹵素所形成的化學鍵一定是離子鍵D非金屬元素形成的化合物中不可能含有離子鍵答案B解析離子鍵的本質(zhì)是陰、陽離子之間的靜電作用，靜電作用包括靜電引力和靜電斥力，A項不正確；活潑金屬與活潑非金屬容易形成離子鍵，一般當成鍵原子所屬元素的電負性差值小于1.7時，原子間不易形成離子鍵，如AlCl3和BeCl2中金屬與非金屬原子形成共價鍵，B項正確；原子最外層只有1個電子的主族元素包括H元素和堿金屬元素，H元素與鹵素形成共價鍵，C項不正確；由非金屬元素形成的化合物中可能含有離子鍵，如銨鹽中NH與陰離子形成離子鍵。3離子鍵的強弱主要決定于離子的半徑和離子所帶電荷數(shù)。一般規(guī)律是：離子半徑越小，離子電荷值越大，則離子鍵越強。K2O、MgO、CaO三種物質(zhì)中離子鍵由強到弱的順序是()AK2O、MgO、CaOBMgO、K2O、CaOCMgO、CaO、K2ODCaO、MgO、K2O答案C解析離子鍵的強弱主要決定于離子的半徑和離子所帶電荷數(shù)。一般規(guī)律是：離子半徑越小，離子電荷數(shù)越大，則離子鍵越強。離子半徑：KCa2Mg2，離子所帶電荷：Ca2Mg2K，所以離子鍵由強到弱的順序為MgO、CaO、K2O，故選C。題組二離子晶體的主要性質(zhì)與晶格能4根據(jù)下列實驗事實，能確定某晶體一定是離子晶體的是()A晶體熔點達2500B晶體固態(tài)不導電，溶于水導電C晶體固態(tài)不導電，熔融能導電D溫度越高，溶解度越大答案C5下列關(guān)于晶格能的說法中正確的是()A晶格能指形成1mol離子鍵所放出的能量B晶格能指破壞1mol離子鍵所吸收的能量C晶格能指1mol離子化合物中的陰、陽離子由相互遠離的氣態(tài)離子結(jié)合成離子晶體時所放出的能量D晶格能的大小與晶體的熔點、硬度都無關(guān)答案C6堿金屬鹵化物是典型的離子晶體，它的晶格能與成正比(d0是晶體中最鄰近的導電性離子的核間距)。下面說法錯誤的是()晶格能/kJmol1離子半徑/pmLiFLiClLiBrLiI1031845807752LiNaK6095133NaFNaClNaBrNaI915777740693FClBrI136181195216KFKClKBrKI812708676641A.晶格能的大小與離子半徑成反比B陽離子相同陰離子不同的離子晶體，陰離子半徑越大，晶格能越小C陽離子不同陰離子相同的離子晶體，陽離子半徑越小，晶格能越大D金屬鹵化物晶體中，晶格能越小，氧化性越強答案D解析由表中數(shù)據(jù)可知晶格能的大小與離子半徑成反比，A項正確；由NaF、NaCl、NaBr、NaI晶格能的大小即可確定B項正確；由LiF、NaF、KF晶格能的大小即可確定C項正確；表中晶格能最小的碘化物，因還原性F<Cl<Br<I，可知D項錯誤。7下列有關(guān)離子晶體的數(shù)據(jù)大小比較不正確的是()A熔點：NaF>MgF2>AlF3B晶格能：NaF>NaCl>NaBrC陰離子的配位數(shù)：CsCl>NaCl>CaF2D硬度：MgO>CaO>BaO答案A解析掌握好離子半徑的大小變化規(guī)律是分析離子晶體性質(zhì)的一個關(guān)鍵點。由于r(Na)>r(Mg2)>r(Al3)，且Na、Mg2、Al3所帶電荷數(shù)依次增大，所以NaF、MgF2、AlF3的離子鍵依次增強，晶格能依次增大，故熔點依次升高。r(F)<r(Cl)<r(Br)，故NaF、NaCl、NaBr的晶格能依次減小。在CsCl、NaCl、CaF2中陰離子的配位數(shù)分別為8、6、4。r(Mg2)<r(Ca2)<r(Ba2)，故MgO、CaO、BaO中離子鍵依次減弱，晶格能依次減小，硬度依次減小。8已知金屬鈉能與兩種鹵族元素形成化合物Q、P，它們的晶格能分別為923 kJmol1、786kJmol1，下列有關(guān)說法中不正確的是()AQ的熔點比P的高B若P是NaCl，則Q一定是NaFCQ中成鍵離子核間距較小D若P是NaCl，則Q可能是NaBr答案D解析Q的晶格能大于P的晶格能，故Q的熔點比P高，A項正確；因F的半徑比Cl的小(其他鹵素離子的半徑比Cl的大)，故NaF的晶格能大于NaCl的，故B項正確，D項錯誤；因Q、P中成鍵離子均為一價離子，電荷數(shù)相同，故晶格能的差異是由成鍵離子核間距決定的，晶格能越大，表明核間距越小，C項正確。題組三離子晶體的結(jié)構(gòu)及其特征9下列關(guān)于CaF2的表述正確的是()ACa2與F間僅存在靜電吸引作用BF的離子半徑小于Cl，則CaF2的熔點低于CaCl2C陰、陽離子比為21的物質(zhì)，均與CaF2晶體構(gòu)型相同DCaF2中的化學鍵為離子鍵，因此CaF2在熔融狀態(tài)下能導電答案D解析Ca2與F間既有靜電引力作用，也有靜電排斥作用，A錯誤；離子所帶電荷相同，F(xiàn)的離子半徑小于Cl，所以CaF2晶體的晶格能大，則CaF2的熔點高于CaCl2，B錯誤；晶體構(gòu)型還與離子的大小有關(guān)，所以陰、陽離子比為21的物質(zhì)，不一定與CaF2晶體構(gòu)型相同，C錯誤；CaF2中的化學鍵為離子鍵，CaF2在熔融狀態(tài)下發(fā)生電離，因此CaF2在熔融狀態(tài)下能導電，D正確。10元素X的某價態(tài)離子Xn中所有電子正好充滿K、L、M三個電子層，它與N3形成的晶體結(jié)構(gòu)如圖所示。下列說法中錯誤的是()AXn的核外電子數(shù)為19B該晶體中陽離子與陰離子個數(shù)比為31CXn中n1D晶體中每個Xn周圍有2個等距離且最近的N3答案A解析本題主要考查晶體的結(jié)構(gòu)。利用切割法可確定該晶體的化學式，N3的個數(shù)為81個，Xn的個數(shù)為123個，即晶體的化學式為X3N，根據(jù)電荷守恒可以確定Xn中n1，由Xn中所有電子正好充滿K、L、M三個電子層，知Xn為Cu，其核外電子數(shù)為28，晶體中與Cu等距離且最近的N3有2個。綜上分析可知A項錯誤。11如圖是NaCl晶體的一個晶胞的結(jié)構(gòu)模型。KO2的晶體結(jié)構(gòu)與NaCl相似，KO2可以看作是Na的位置用K代替，Cl的位置用O代替，則下列對于KO2晶體結(jié)構(gòu)的描述不正確的是()A與K距離相等且最近的K有8個B與K距離相等且最近的O共有6個C一個KO2晶胞中的K和O粒子數(shù)均為4個D與K距離相等且最近的O構(gòu)成的多面體是正八面體答案A解析A項，K位于晶胞棱心，則被橫平面、豎平面和正平面共有，且每一個平面有4個K距離最近，共4312個，錯誤；B項，K位于晶胞棱心，與K距離相等且最近的O位于頂點和面心，共有6個，正確；C項，K位于晶胞棱心和體心，數(shù)目為1214，O位于頂點和面心，數(shù)目為864，即一個KO2晶胞中攤得的K和O粒子數(shù)均為4個，正確；D項，與K距離相等且最近的O共有6個，構(gòu)成正八面體，K位于正八面體中心，正確。12.如圖是氯化銫晶體的晶胞(晶體中最小的重復結(jié)構(gòu)單元)示意圖，已知晶體中2個最近的Cs核間距為acm，氯化銫(CsCl)的相對分子質(zhì)量為M，NA為阿伏加德羅常數(shù)，則氯化銫晶體的密度為()A.gcm3B.gcm3C.gcm3D.gcm3答案C解析gcm3gcm3。綜合強化13金屬鎳及其化合物在合金材料以及催化劑等方面應用廣泛。請回答下列問題：(1)Ni原子的核外電子排布式為_。(2)NiO、FeO的晶體結(jié)構(gòu)類型均與氯化鈉的相同：Ni2和Fe2的離子半徑分別為69 pm和78pm，則熔點NiO_FeO(填“<”或“>”)。(3)NiO晶胞中Ni和O的配位數(shù)分別為_、_。(4)金屬鎳與鑭(La)形成的合金是一種良好的儲氫材料，其晶胞結(jié)構(gòu)示意圖如圖所示。該合金的化學式為_。答案(1)1s22s22p63s23p63d84s2或Ar3d84s2(2)>(3)66(4)LaNi5解析(1)核外電子排布式與價電子排布式要區(qū)別開。(2)NiO、FeO都屬于離子晶體，熔點高低受離子鍵強弱影響，離子半徑越小，離子鍵越強，熔點越高。(3)因為NiO晶體結(jié)構(gòu)與NaCl的相同，而NaCl晶體中Na、Cl的配位數(shù)都是6，所以，NiO晶體中Ni2、O2的配位數(shù)也均是6。(4)根據(jù)晶胞結(jié)構(gòu)可計算，一個合金晶胞中，La原子數(shù)81，Ni原子數(shù)185。所以該合金的化學式為LaNi5。14已知有關(guān)物質(zhì)的熔、沸點數(shù)據(jù)如下表：物質(zhì)MgOAl2O3MgCl2AlCl3熔點/28522072714190(2.6105Pa)沸點/360029801412182.7(1)MgCl2的熔點遠高于AlCl3熔點的原因是_。(2)工業(yè)上常用電解熔融MgCl2的方法生產(chǎn)金屬鎂，用電解Al2O3與冰晶石熔融混合物的方法生產(chǎn)鋁。為什么不用電解MgO的方法生產(chǎn)鎂，也不用電解AlCl3的方法生產(chǎn)鋁？_。(3)MgO的熔點比BaO的熔點_(填“高”或“低”)。(4)設計可靠的實驗證明MgCl2、AlCl3所屬的晶體類型，其實驗方法是_。答案(1)MgCl2是離子晶體，AlCl3是分子晶體，離子鍵的強度遠大于分子間作用力(2)氧化鎂晶體比氯化鎂晶體晶格能大，熔點高，電解時消耗電能大。AlCl3不是離子晶體，熔融時不能導電，因而不能用電解AlCl3的方法生產(chǎn)鋁(3)高(4)將兩晶體加熱到熔融狀態(tài)，MgCl2能導電，AlCl3不能導電，證明AlCl3為分子晶體，MgCl2為離子晶體解析(1)MgCl2是離子晶體，陰、陽離子間以離子鍵結(jié)合，離子間作用力強；AlCl3為共價化合物，分子間作用力弱，所以MgCl2熔點遠高于AlCl3熔點。(2)因為MgO的熔點遠高于MgCl2，故電解熔融MgO將需要更高的溫度，消耗更多的能量，因而不用電解MgO的方法生產(chǎn)鎂。AlCl3不是離子晶體，熔融時不能導電，因而不能用電解AlCl3的方法生產(chǎn)鋁。(3)MgO和BaO都是離子化合物，Mg2的半徑比Ba2小，所以MgO的熔點比BaO的熔點高。(4)將兩種晶體加熱到熔融狀態(tài)，MgCl2能導電，而AlCl3不能導電，即可證明MgCl2為離子晶體，AlCl3為分子晶體。15回答下列問題：(1)CaC2晶體的晶胞結(jié)構(gòu)如圖1所示，CaC2晶體中含有啞鈴形C，使晶胞沿一個方向拉長。CaC2晶體中1個Ca2周圍距離最近的C數(shù)目為_。 (2)已知CaO、MgO具有NaCl型結(jié)構(gòu)，如圖2。CaO晶體密度為agcm3，NA表示阿伏加德羅常數(shù)，則CaO晶胞體積為_cm3。X射線衍射實驗測得MgO的晶胞參數(shù)為a0.420nm，則r(O2)為_nm。MnO也屬于NaCl型結(jié)構(gòu)，晶胞參數(shù)為a0.448nm，則r(Mn2)為_nm。答案(1)4(2)0.1480.076解析(1)一個Ca2吸引6個C，由于晶胞沿一個方向拉長，1個Ca2周圍距離最近的C為4個。(2)由于CaO與NaCl的晶胞同為面心立方結(jié)構(gòu)，所以CaO晶胞中也含有4個鈣離子和4個氧離子，因此CaO晶胞體積為 cm3 cm3。因為O2采用面心立方最密堆積方式，所以面對角線長度是O2半徑的4倍，則有4r(O2)22a2，解得r(O2)0.420 nm0.148 nm；MnO也屬于NaCl型結(jié)構(gòu)，根據(jù)晶胞的結(jié)構(gòu)可得2r(Mn2)2r(O2)a，代入數(shù)據(jù)解得r(Mn2)0.076 nm。