一、選擇題1關(guān)于晶體的下列說法正確的是()A只要含有金屬陽離子的晶體就一定是離子晶體B離子晶體中一定含金屬陽離子C共價化合物分子中各原子都形成8電子結(jié)構(gòu)D分子晶體的熔點不一定比金屬晶體熔點低解析：選D。金屬晶體由金屬陽離子和自由電子構(gòu)成，所以含有金屬陽離子的晶體不一定是離子晶體，故A錯誤；離子晶體不一定由金屬元素組成，如銨鹽等，故B錯誤；共價化合物分子中各原子不一定都形成8電子結(jié)構(gòu)，如HCl等，故C錯誤；Hg為金屬，常溫下為液體，而S為非金屬，常溫下為固體，故D正確。2下列物質(zhì)的熔、沸點高低順序中，正確的是()A金剛石晶體硅二氧化硅碳化硅CMgOH2OO2Br2D金剛石生鐵純鐵鈉解析：選B。A項，同屬于原子晶體，熔、沸點高低主要看共價鍵的強弱，鍵能：晶體硅<碳化硅<二氧化硅，錯誤；B項，形成分子間氫鍵的物質(zhì)的熔、沸點要大于形成分子內(nèi)氫鍵的物質(zhì)的熔、沸點，正確；C項，對于不同類型晶體，其熔、沸點高低一般為原子晶體>離子晶體>分子晶體，常溫下Br2為液體，O2為氣體，故MgO>H2O>Br2>O2，錯誤；D項，生鐵為鐵合金，熔點要低于純鐵，錯誤。3(2019·濰坊高三模擬)如圖為碘晶體晶胞結(jié)構(gòu)。下列有關(guān)說法中正確的是()A碘分子的排列有2種不同的取向，2種取向不同的碘分子以4配位數(shù)交替配位形成層結(jié)構(gòu)B用均攤法可知平均每個晶胞中有4個碘原子C碘晶體為無限延伸的空間結(jié)構(gòu)，是原子晶體D碘晶體中的碘原子間存在非極性鍵和范德華力解析：選A。在立方體的頂面上，有5個I2，4個方向相同，結(jié)合其他面考慮可知A選項正確；每個晶胞中有4個碘分子，B選項錯誤；此晶體是分子晶體，C選項錯誤；碘原子間只存在非極性鍵，范德華力存在于分子與分子之間，D選項錯誤。4下列數(shù)據(jù)是對應物質(zhì)的熔點()：BCl3Al2O3Na2ONaClAlF3AlCl3干冰SiO21072 0739208011 291190571 723據(jù)此做出的下列判斷中錯誤的是()A鋁的化合物的晶體中有的是離子晶體B表中只有BCl3和干冰是分子晶體C同族元素的氧化物可形成不同類型的晶體D不同族元素的氧化物可形成相同類型的晶體解析：選B。A項，氧化鋁的熔點高，屬于離子晶體，則鋁的化合物的晶體中有的是離子晶體，正確；B項，表中只有BCl3、AlCl3和干冰是分子晶體，錯誤；C項，同族元素的氧化物可形成不同類型的晶體，如CO2是分子晶體，二氧化硅是原子晶體，正確。5有下列離子晶體空間結(jié)構(gòu)示意圖，為陽離子，為陰離子。以M代表陽離子，N代表陰離子，化學式為MN2的晶體結(jié)構(gòu)為()解析：選B。根據(jù)均攤法計算，A結(jié)構(gòu)中陽離子為4個，陰離子為1個，化學式為M4N；B結(jié)構(gòu)中陽離子為1/2個，陰離子為1個，化學式為MN2；C結(jié)構(gòu)中陽離子為3/8個，陰離子為1個，化學式為M3N8；D結(jié)構(gòu)中陽離子為1個，陰離子為1個，化學式為MN。6下面有關(guān)晶體的敘述中，錯誤的是()A白磷晶體中，分子之間通過共價鍵結(jié)合B金剛石的網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)中，由共價鍵形成的最小碳環(huán)上有6個碳原子C在NaCl晶體中每個Na(或Cl)周圍都緊鄰6個Cl(或Na)D離子晶體在熔化時，離子鍵被破壞，而分子晶體熔化時，化學鍵不被破壞解析：選A。白磷晶體為分子晶體，分子之間通過范德華力結(jié)合，A錯誤；金剛石的網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)中，由共價鍵形成的最小碳環(huán)上有6個碳原子，B正確；在NaCl晶體中每個Na(或Cl)周圍都緊鄰6個Cl(或Na)，C正確；離子晶體在熔化時，離子鍵被破壞，而分子晶體熔化時，分子間作用力被破壞，化學鍵不被破壞，D正確。7鐵有如下、三種晶體結(jié)構(gòu)，三種晶體在不同溫度下能發(fā)生轉(zhuǎn)化。下列說法不正確的是()A、三種晶體互為同分異構(gòu)體B­Fe晶體中與每個鐵原子等距離且最近的鐵原子有6個C將鐵加熱到1 500 分別急速冷卻和緩慢冷卻，得到的晶體類型不同，化學性質(zhì)相同D­Fe晶體為面心立方最密堆積解析：選A。Fe的、三種晶體結(jié)構(gòu)不同，屬于同素異形體，不是同分異構(gòu)體，故A不正確；­Fe晶體中與每個鐵原子距離相等且最近的鐵原子是相鄰頂點上的鐵原子，與每個鐵原子等距離且最近的鐵原子同層原子有4個，上、下層各1個，故共有6個，故B正確；急速冷卻和緩慢冷卻，得到的晶體類型不同，結(jié)構(gòu)不同，物理性質(zhì)不同，但化學性質(zhì)相同，故C正確；­Fe晶體中Fe原子處于頂點與面心，屬于面心立方最密堆積，故D正確。二、非選擇題8(1)SiC的晶體結(jié)構(gòu)與晶體硅的相似，其中C原子的雜化方式為_，微粒間存在的作用力是_，SiC和晶體Si的熔、沸點高低順序是_。(2)氧化物MO的電子總數(shù)與SiC的相等，則M為_(填元素符號)。MO是優(yōu)良的耐高溫材料，其晶體結(jié)構(gòu)與NaCl晶體相似。MO的熔點比CaO的高，其原因是_。(3)C、Si為同一主族的元素，CO2和SiO2的化學式相似，但結(jié)構(gòu)和性質(zhì)有很大的不同。CO2中C與O原子間形成鍵和鍵，SiO2中Si與O原子間不形成鍵。從原子半徑大小的角度分析，C、O原子間能形成鍵，而Si、O原子間不能形成鍵的原因是_。SiO2屬于_晶體，CO2屬于_晶體，所以熔點：CO2_SiO2(填“<”“”或“>”)。(4)金剛石、晶體硅、二氧化硅、CO2 4種晶體的構(gòu)成微粒種類分別是_，熔化時克服的微粒間的作用力分別是_。解析：(1)SiC與晶體硅結(jié)構(gòu)相似，晶體硅中一個硅原子與周圍四個硅原子相連，呈正四面體結(jié)構(gòu)，所以雜化方式是sp3，則SiC晶體中C原子雜化方式為sp3；因為SiC的鍵長小于SiSi，所以熔、沸點高低順序：SiC>Si。(2)SiC電子總數(shù)是20個，則該氧化物為MgO；晶格能與所構(gòu)成離子所帶電荷成正比，與離子半徑成反比，MgO與CaO的離子電荷數(shù)相同，Mg2半徑比Ca2小，MgO晶格能大，熔點高。(3)Si的原子半徑較大，Si、O原子間距離較大，p­p軌道肩并肩重疊程度較小，不能形成穩(wěn)定的鍵。SiO2為原子晶體，CO2為分子晶體，所以熔點：SiO2>CO2。(4)金剛石、晶體硅、二氧化硅均為原子晶體，構(gòu)成微粒為原子，熔化時破壞共價鍵；CO2為分子晶體，由分子構(gòu)成，以分子間作用力結(jié)合。答案：(1)sp3共價鍵SiC>Si(2)MgMg2半徑比Ca2小，MgO晶格能大(3)Si的原子半徑較大，Si、O原子間距離較大，p­p軌道肩并肩重疊程度較小，不能形成穩(wěn)定的鍵原子分子<(4)原子、原子、原子、分子共價鍵、共價鍵、共價鍵、分子間作用力9(2019·福州一中質(zhì)檢)(1)鈉、鉀、鉻、鉬、鎢等金屬晶體的晶胞屬于體心立方，則該晶胞中屬于1個體心立方晶胞的金屬原子數(shù)目是_。氯化銫晶體的晶胞如圖1，則Cs位于該晶胞的_，而Cl位于該晶胞的_，Cs的配位數(shù)是_。(2)銅的氫化物的晶體結(jié)構(gòu)如圖2所示，寫出此氫化物在氯氣中燃燒的化學方程式：_。(3)圖3為F與Mg2、K形成的某種離子晶體的晶胞，其中“”表示的離子是_(填離子符號)。(4)實驗證明，KCl、MgO、CaO、TiN這4種晶體的結(jié)構(gòu)與NaCl晶體結(jié)構(gòu)相似(如圖4所示)，已知3種離子晶體的晶格能數(shù)據(jù)如下表：離子晶體NaClKClCaO晶格能/(kJ·mol1)7867153 401則這4種離子晶體(不包括NaCl)熔點從高到低的順序是_。MgO晶體中一個Mg2周圍與它最鄰近且等距離的Mg2有_個。解析：(1)體心立方晶胞中，1個原子位于體心，8個原子位于立方體的頂點，故1個晶胞中金屬原子數(shù)為8×12；氯化銫晶胞中，Cs位于體心，Cl位于頂點，Cs的配位數(shù)為8。(2)由晶胞可知，粒子個數(shù)比為11，化學式為CuH，1價的銅與1價的氫均具有較強的還原性，氯氣具有強氧化性，產(chǎn)物為CuCl2和HCl。(3)由晶胞結(jié)構(gòu)可知，黑球有1個，灰球有1個，白球有3個，由電荷守恒可知n(Mg2)n(K)n(F)113，故白球為F。(4)從3種離子晶體的晶格能數(shù)據(jù)知道，離子所帶電荷越多、離子半徑越小，離子晶體的晶格能越大，離子所帶電荷數(shù)：Ti3>Mg2，離子半徑：Mg2Ca2，所以熔點：TiN>MgO>CaO>KCl；MgO晶體中一個Mg2周圍與它最鄰近且等距離的Mg2有12個。答案：(1)2體心頂點8(2)2CuH3Cl22CuCl22HCl(3)F(4)TiN>MgO>CaO>KCl1210(2019·湛江畢業(yè)班調(diào)研)短周期元素X、Y的價電子數(shù)相同，且原子序數(shù)之比等于12；元素Z位于第四周期，其基態(tài)原子的內(nèi)層軌道全部排滿電子，且最外層電子數(shù)為2。(1)Y基態(tài)原子的價電子排布式為_。(2)預測Na2Y、H2Y在乙醇中的溶解度大?。篲。(3)Y與X可形成YX。YX的立體構(gòu)型為_(用文字描述)，Y原子軌道的雜化類型是_雜化。寫出一種由Y的同周期元素Q、V形成的與YX互為等電子體的分子的化學式：_。(4)Y與Z所形成化合物晶體的晶胞如圖所示，該化合物的化學式為_。其晶胞邊長為540.0 pm，密度為_g·cm3(列式并計算)。(5)2 mol配合物Z(NH3)4SO4中含有鍵的數(shù)目為_NA。解析：由題中信息可推知X是O元素，Y是S元素，Z是Zn元素。(2)乙醇是極性溶劑，H2S是極性分子，Na2S是離子化合物，可看成極性很強的“分子”，根據(jù)相似相溶原理，H2S和Na2S在乙醇中都應有一定的溶解度，由于Na2S的“極性”比H2S要強，因此Na2S在乙醇中的溶解度比H2S大。(3)YX是SO，S原子的價層電子對數(shù)是4，孤電子對數(shù)是1，所以SO的立體構(gòu)型是三角錐形，S原子軌道的雜化類型是sp3雜化。等電子體是指原子總數(shù)相等、價電子總數(shù)也相等的微粒，在第三周期的元素中，Cl和P形成的PCl3與SO互為等電子體。(4)晶胞中S的個數(shù)是8×6×4，Zn的個數(shù)是4，因此該化合物的化學式為ZnS。1 pm1010 cm，1個晶胞中有4個“ZnS”，所以晶胞的密度4.1 g·cm3。(5)Zn(NH3)4SO4中Zn2和N原子形成4個鍵(配位鍵)，N和H之間共形成12個鍵，S和O之間形成4個鍵，所以1個Zn(NH3)4SO4中共有20個鍵，2 mol Zn(NH3)4SO4中含有鍵的數(shù)目為40NA。答案：(1)3s23p4(2)Na2S>H2S(3)三角錐形sp3PCl3(4)ZnS4.1(5)4011銅及其化合物具有廣泛的應用?；卮鹣铝袉栴}：(1)CuSO4和Cu(NO3)2中陽離子的基態(tài)核外電子排布式為_，S、O、N三種元素的第一電離能由大到小的順序為_。(2)Cu(NO3)2溶液中通入足量NH3能生成配合物Cu(NH3)4(NO3)2，其中NH3中心原子的雜化軌道類型為_，Cu(NH3)4(NO3)2屬于_晶體。(3)CuSO4溶液中加入過量KCN能生成配離子Cu(CN)42，1 mol CN中含有的鍵數(shù)目為_。與CN互為等電子體的離子有_(寫出一種即可)。(4)CuSO4的熔點為560 ，Cu(NO3)2的熔點為115 ，CuSO4熔點更高的原因可能是_。(5)已知Cu2O晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示，該晶胞原子坐標參數(shù)A為(0，0，0)，B為(1，0，0)，C為(，)。則D原子的坐標參數(shù)為_，它代表_原子(填元素符號)。(6)金屬銅是面心立方最密堆積方式，則晶體中銅原子的配位數(shù)是_，該晶胞中Cu原子的空間利用率是_。解析：(1)CuSO4和Cu(NO3)2中陽離子都是Cu2，其基態(tài)核外電子排布式為1s22s22p63s23p63d9或Ar3d9；一般非金屬性越強，第一電離能越大，但是氮元素的2p軌道電子處于半充滿狀態(tài)，穩(wěn)定性強，則S、O、N三種元素的第一電離能由大到小的順序是N>O>S。(2)氨分子中N原子的價層電子對數(shù)是4，因此中心原子的雜化軌道類型為sp3；Cu(NH3)4(NO3)2屬于離子晶體。(3)CN與氮氣互為等電子體，含有三鍵，則1 mol CN中含有的鍵數(shù)目為2NA。原子總數(shù)和價電子總數(shù)分別相等的微?；榈入娮芋w，與CN互為等電子體的離子有C。(4)由于CuSO4和Cu(NO3)2均為離子晶體，SO所帶電荷數(shù)比NO多，故CuSO4晶格能較大，所以硫酸銅熔點較高。(5)根據(jù)晶胞結(jié)構(gòu)并參照A、B、C原子的坐標參數(shù)可知D原子的坐標參數(shù)為(，)。D代表的原子均位于內(nèi)部，共計4個，而白球表示的原子個數(shù)為18×2，因此D代表Cu原子。(6)已知金屬銅的堆積方式是面心立方最密堆積，則晶體中銅原子的配位數(shù)是12。晶胞中銅原子個數(shù)是8×6×4。設銅原子的半徑是r，則面對角線長是4r，立方體的邊長是2r，則立方體的體積是(2r)3，因此該晶胞中Cu原子的空間利用率是×100%74%。答案：(1)1s22s22p63s23p63d9(或Ar3d9)N>O>S(2)sp3離子(3)2NAC(4)CuSO4和Cu(NO3)2均為離子晶體，SO所帶電荷比NO大，故CuSO4晶格能較大，熔點較高(5)(，)Cu(6)1274%