《江蘇省邳州市第二中學(xué)高中化學(xué) 第四節(jié) 離子晶體課件 新人教版選修3》由會員分享，可在線閱讀，更多相關(guān)《江蘇省邳州市第二中學(xué)高中化學(xué) 第四節(jié) 離子晶體課件 新人教版選修3（46頁珍藏版）》請在裝配圖網(wǎng)上搜索。

1、第四節(jié)第四節(jié)離子晶體離子晶體課程標準導(dǎo)航課程標準導(dǎo)航1.了解典型離子晶體的結(jié)構(gòu)特征，了解離子了解典型離子晶體的結(jié)構(gòu)特征，了解離子晶體配位數(shù)及其影響因素。晶體配位數(shù)及其影響因素。2.能說明離子鍵的形成，能根據(jù)離子晶體的能說明離子鍵的形成，能根據(jù)離子晶體的結(jié)構(gòu)特征解釋其物理性質(zhì)。結(jié)構(gòu)特征解釋其物理性質(zhì)。3.了解晶格能的應(yīng)用，知道晶格能的大小可了解晶格能的應(yīng)用，知道晶格能的大小可以衡量離子晶體中離子鍵的強弱。以衡量離子晶體中離子鍵的強弱。新知初探自學(xué)導(dǎo)引新知初探自學(xué)導(dǎo)引自主學(xué)習(xí)自主學(xué)習(xí)一、離子晶體一、離子晶體1.概念概念離子晶體是由離子晶體是由_和和_通過通過_結(jié)合而成的晶體。結(jié)合而成的晶體。2.決

2、定晶體結(jié)構(gòu)的因素決定晶體結(jié)構(gòu)的因素(1)幾何因素：晶體中正負離子的幾何因素：晶體中正負離子的_。陽離子陽離子陰離子陰離子離子鍵離子鍵半徑比半徑比(2)電荷因素：晶體中正負離子的電荷因素：晶體中正負離子的_。(3)鍵性因素：離子鍵的純粹程度。鍵性因素：離子鍵的純粹程度。3.物理性質(zhì)物理性質(zhì)在離子晶體中，由于離子間存在著較強的離在離子晶體中，由于離子間存在著較強的離子鍵，使離子晶體的硬度子鍵，使離子晶體的硬度_、難于壓縮、難于壓縮;具有具有_的熔點和沸點的熔點和沸點,難溶于有機溶劑。難溶于有機溶劑。電荷比電荷比較大較大較高較高想一想想一想1離子晶體中存在共價鍵嗎？離子晶體中存在共價鍵嗎？提示：提示

3、：有些離子晶體中存在共價鍵，如有些離子晶體中存在共價鍵，如NH4Cl等；有些離子晶體中不存在共價鍵，等；有些離子晶體中不存在共價鍵，如如NaCl等。等。二、晶格能二、晶格能1.概念：離子晶體的晶格能是指概念：離子晶體的晶格能是指_形成形成1摩離子晶體摩離子晶體_的能量的能量,通常取通常取_,單位為單位為 _。2.晶格能對離子晶體性質(zhì)的影響：晶格能是晶格能對離子晶體性質(zhì)的影響：晶格能是最能反映離子晶體最能反映離子晶體_的數(shù)據(jù)。晶格能的數(shù)據(jù)。晶格能越大，形成的離子晶體越越大，形成的離子晶體越_，而且熔點，而且熔點_，硬度，硬度_。氣態(tài)離子氣態(tài)離子釋放釋放正值正值kJmol1穩(wěn)定性穩(wěn)定性穩(wěn)定穩(wěn)定越高

4、越高越大越大想一想想一想2NaCl與與KCl，NaCl與與MgCl2哪一個晶格能哪一個晶格能更大？更大？提示：提示：晶格能：晶格能：NaClKCl；MgCl2NaCl。自主體驗自主體驗1.(2012哈爾濱高二質(zhì)檢哈爾濱高二質(zhì)檢)離子晶體不可能具離子晶體不可能具有的性質(zhì)是有的性質(zhì)是()A較高的熔、沸點較高的熔、沸點B良好的導(dǎo)電性良好的導(dǎo)電性C硬度大硬度大 D溶于四氯化碳溶于四氯化碳解析：選解析：選D。離子晶體都不溶于四氯化碳，有。離子晶體都不溶于四氯化碳，有的離子晶體能溶于水。的離子晶體能溶于水。2.下列物質(zhì)中，含有共價鍵的離子晶體是下列物質(zhì)中，含有共價鍵的離子晶體是()ANaCl BSiO2C

5、KOH DI2解析：選解析：選C。I2為分子晶體；為分子晶體；NaCl和和KOH都是離子晶體都是離子晶體,但但KOH含有含有OH共價鍵；共價鍵；SiO2是原子晶體。是原子晶體。3.下列有關(guān)晶格能的敘述中下列有關(guān)晶格能的敘述中,不正確的是不正確的是()A最能反映離子晶體穩(wěn)定性的數(shù)據(jù)是晶格能最能反映離子晶體穩(wěn)定性的數(shù)據(jù)是晶格能B晶格能越大，則離子晶體越穩(wěn)定晶格能越大，則離子晶體越穩(wěn)定 C晶格能越大，則離子晶體的硬度越小晶格能越大，則離子晶體的硬度越小D晶格能越大，則離子晶體的熔點越高晶格能越大，則離子晶體的熔點越高解析：選解析：選C。晶格能越大，離子鍵越強，則離。晶格能越大，離子鍵越強，則離子晶體

6、的硬度越大。子晶體的硬度越大。要點突破講練互動要點突破講練互動要點要點1離子晶體及其常見類型離子晶體及其常見類型探究導(dǎo)引探究導(dǎo)引1離子晶體的構(gòu)成粒子是什么？粒離子晶體的構(gòu)成粒子是什么？粒子之間是靠什么作用力形成離子晶體的？子之間是靠什么作用力形成離子晶體的？提示：提示：離子晶體的構(gòu)成粒子是陽離子和陰離離子晶體的構(gòu)成粒子是陽離子和陰離子；陽離子和陰離子之間靠離子鍵形成離子子；陽離子和陰離子之間靠離子鍵形成離子晶體。晶體。探究導(dǎo)引探究導(dǎo)引2NaCl和和CsCl都是都是AB型離子晶型離子晶體，它們的結(jié)構(gòu)特征相同嗎？體，它們的結(jié)構(gòu)特征相同嗎？提示：提示： NaCl和和CsCl結(jié)構(gòu)特征不同。結(jié)構(gòu)特征不同

7、。NaCl晶體中晶體中Na和和Cl的配位數(shù)都是的配位數(shù)都是6，CsCl晶晶體中體中Cs和和Cl的配位數(shù)都是的配位數(shù)都是8。要點歸納要點歸納1.離子鍵離子鍵(1)定義：陰、陽離子間通過靜電作用所形成定義：陰、陽離子間通過靜電作用所形成的化學(xué)鍵叫做離子鍵。的化學(xué)鍵叫做離子鍵。(2)成鍵元素：活潑金屬元素成鍵元素：活潑金屬元素(如如K、Na、Ca、Ba等，主要是第等，主要是第A族和第族和第A族元素族元素)和活潑和活潑非金屬元素非金屬元素(如如F、Cl、Br、O等等,主要是第主要是第A族和第族和第A族元素族元素)相互結(jié)合時多形成離子鍵。相互結(jié)合時多形成離子鍵。(3)成鍵原因：當活潑金屬遇到活潑非金屬時

8、成鍵原因：當活潑金屬遇到活潑非金屬時,活潑金屬原子容易失去電子而形成結(jié)構(gòu)穩(wěn)定活潑金屬原子容易失去電子而形成結(jié)構(gòu)穩(wěn)定陽離子，活潑非金屬原子容易得到電子形成陽離子，活潑非金屬原子容易得到電子形成結(jié)構(gòu)穩(wěn)定的陰離子，陽、陰離子再通過靜電結(jié)構(gòu)穩(wěn)定的陰離子，陽、陰離子再通過靜電作用形成離子鍵。作用形成離子鍵。(4)存在：離子鍵只存在于離子化合物中。強存在：離子鍵只存在于離子化合物中。強堿、活潑金屬氧化物、大多數(shù)鹽類是離子化堿、活潑金屬氧化物、大多數(shù)鹽類是離子化合物。合物。2.幾種離子晶體模型幾種離子晶體模型(1)NaCl型晶體結(jié)構(gòu)模型型晶體結(jié)構(gòu)模型Na的配位數(shù)是的配位數(shù)是6：每個：每個Na周圍同時吸周圍同

9、時吸引著最近且等距離的引著最近且等距離的Cl是是6個個(上、下、左、上、下、左、右、前、后右、前、后)，構(gòu)成正八面體；同樣，構(gòu)成正八面體；同樣，Cl的的配位數(shù)也是配位數(shù)也是6：每個：每個Cl周圍同時吸引著最近周圍同時吸引著最近且等距離的且等距離的Na是是6個，構(gòu)成正八面體。由個，構(gòu)成正八面體。由此可推知該晶體的化學(xué)式為此可推知該晶體的化學(xué)式為NaCl。每個每個Na周圍與它最近且等距離的周圍與它最近且等距離的Na有有12個個(上層上層4個，同層個，同層4個，下層個，下層4個個),同樣同樣,每每個個Cl周圍與它最近且等距離的周圍與它最近且等距離的Cl也有也有12個。個。每個晶胞中平均含有每個晶胞中

10、平均含有Na的數(shù)目是的數(shù)目是1121/44,Cl的數(shù)目是的數(shù)目是81/861/24,由此亦可推知該晶體的化學(xué)式為由此亦可推知該晶體的化學(xué)式為NaCl。(2)CsCl型晶體結(jié)構(gòu)模型型晶體結(jié)構(gòu)模型Cs的配位數(shù)是的配位數(shù)是8：每個：每個Cs周圍同時吸引著周圍同時吸引著最近且等距離的最近且等距離的Cl是是8個，構(gòu)成正六面體；同個，構(gòu)成正六面體；同樣樣,Cl的配位數(shù)也是的配位數(shù)也是8：每個：每個Cl周圍同時吸引周圍同時吸引著最近且等距離的著最近且等距離的Cs是是8個，構(gòu)成正六面體。個，構(gòu)成正六面體。由此可推知該晶體的化學(xué)式為由此可推知該晶體的化學(xué)式為CsCl。每個。每個Cs 周圍與它最近且等距離的周圍與

11、它最近且等距離的Cs有有6個個(上、上、下、左、右、前、后下、左、右、前、后)，構(gòu)成正八面體；同樣，構(gòu)成正八面體；同樣，每個每個Cl周圍與它最近且等距離的周圍與它最近且等距離的Cl也有也有6個，個，構(gòu)成正八面體。構(gòu)成正八面體。每個晶胞中平均含有每個晶胞中平均含有Cs的數(shù)目是的數(shù)目是81/81，Cl的數(shù)目也是的數(shù)目也是1，由此亦可推知該晶，由此亦可推知該晶體的化學(xué)式為體的化學(xué)式為CsCl。(3)CaF2型晶體結(jié)構(gòu)模型型晶體結(jié)構(gòu)模型Ca2的配位數(shù)是的配位數(shù)是8：每個：每個Ca2周圍同時周圍同時吸引著最近且等距離的吸引著最近且等距離的F是是8個，構(gòu)成正六個，構(gòu)成正六面體；面體；F的配位數(shù)也是的配位數(shù)

12、也是4：每個：每個F周圍同時周圍同時吸引著最近且等距離的吸引著最近且等距離的Ca2是是4個，構(gòu)成正個，構(gòu)成正四面體。由此可推知該晶體的化學(xué)式為四面體。由此可推知該晶體的化學(xué)式為CaF2。每個每個 Ca2周圍與它最近且等距離的周圍與它最近且等距離的Ca2有有12個個,每個每個F周圍與它最近且等距離的周圍與它最近且等距離的F有有6個。個。 Ca2處于晶胞的頂點和面上，處于晶胞的頂點和面上，F(xiàn)處于晶胞處于晶胞體內(nèi)。每個晶胞中平均含有體內(nèi)。每個晶胞中平均含有Ca2的數(shù)目是的數(shù)目是81/861/24，F(xiàn)的的數(shù)目是數(shù)目是188，此亦可推，此亦可推知該晶體的化學(xué)式為知該晶體的化學(xué)式為CaF2。特別提醒特別提

13、醒1. 離子晶體中不存在分子，化學(xué)式僅表示晶離子晶體中不存在分子，化學(xué)式僅表示晶體中陰、陽離子個數(shù)比的最簡式。如：在體中陰、陽離子個數(shù)比的最簡式。如：在NaCl和和CsCl晶體中，都不存在單個的晶體中，都不存在單個的NaCl和和CsCl分子。而分子。而Na2O2的陰離子為的陰離子為 ，陽離子為陽離子為Na+，故晶體中陰、陽離子的個數(shù)，故晶體中陰、陽離子的個數(shù)比為比為1 2，而不是，而不是1 1。2. 屬于屬于NaCl型的離子晶體還有型的離子晶體還有KCl、NaBr、LiF、CaO、MgO、CaS等；屬于等；屬于CsCl型的型的離子晶體還有離子晶體還有CsBr 、CsI、 NH4Cl等。等。即時

14、應(yīng)用即時應(yīng)用1.下列關(guān)于氯化銫晶體的敘述中，不正確的是下列關(guān)于氯化銫晶體的敘述中，不正確的是( )A.1 mol氯化銫中有氯化銫中有NA個個CsCl分子分子B.氯化銫晶體中，每個氯化銫晶體中，每個Cs 周圍與它最近且周圍與它最近且等距離的等距離的Cs有有6個個C.氯化銫晶體中，氯化銫晶體中，Cs+和和Cl-的配位數(shù)都是的配位數(shù)都是8D.每個晶胞中平均含有每個晶胞中平均含有1個個Cs+和和1個個Cl-解析：選解析：選A。在氯化銫晶體中不存在。在氯化銫晶體中不存在CsCl分分子，只存在子，只存在Cs+和和Cl-，化學(xué)式，化學(xué)式CsCl表示氯化表示氯化銫晶體中銫晶體中Cs+和和Cl-的個數(shù)比為的個數(shù)

15、比為1 1。要點要點2 離子晶體的物理性質(zhì)離子晶體的物理性質(zhì)探究導(dǎo)引探究導(dǎo)引3 影響離子鍵強弱的因素有哪些影響離子鍵強弱的因素有哪些?提示：提示：離子半徑和離子所帶電荷數(shù)。一般地，離子半徑和離子所帶電荷數(shù)。一般地，陰、陽離子半徑越小，所帶電荷數(shù)越多，則離陰、陽離子半徑越小，所帶電荷數(shù)越多，則離子鍵就越強。子鍵就越強。要點歸納要點歸納1.熔、沸點熔、沸點具有較高的熔、沸點，難揮發(fā)。因為在離子具有較高的熔、沸點，難揮發(fā)。因為在離子晶體中，陰、陽離子間有較強的離子鍵，要晶體中，陰、陽離子間有較強的離子鍵，要克服離子間的相互作用使物質(zhì)熔化和沸騰，克服離子間的相互作用使物質(zhì)熔化和沸騰，就需要較多的能量。

16、就需要較多的能量。2. 硬度硬度硬而脆。因為在離子晶體中，陰、陽離子間硬而脆。因為在離子晶體中，陰、陽離子間有較強的離子鍵，離子晶體表現(xiàn)出較高的硬有較強的離子鍵，離子晶體表現(xiàn)出較高的硬度；當晶體受到?jīng)_擊力作用時，部分離子鍵度；當晶體受到?jīng)_擊力作用時，部分離子鍵發(fā)生斷裂，導(dǎo)致晶體破碎。發(fā)生斷裂，導(dǎo)致晶體破碎。3.導(dǎo)電性導(dǎo)電性不導(dǎo)電，但熔化或溶于水后能導(dǎo)電。因為離不導(dǎo)電，但熔化或溶于水后能導(dǎo)電。因為離子晶體中，離子鍵較強，陰、陽離子不能自子晶體中，離子鍵較強，陰、陽離子不能自由移動，即晶體中無自由移動的離子，因此由移動，即晶體中無自由移動的離子，因此離子晶體不導(dǎo)電。當升高溫度時，陰、陽離離子晶體不

17、導(dǎo)電。當升高溫度時，陰、陽離子獲得足夠的能量克服了離子間的相互作用子獲得足夠的能量克服了離子間的相互作用力，成為自由移動的離子，在外加電場的作力，成為自由移動的離子，在外加電場的作用下，離子定向移動而導(dǎo)電。用下，離子定向移動而導(dǎo)電。離子晶體溶于水時，陰、陽離子受到水分子離子晶體溶于水時，陰、陽離子受到水分子的作用成了自由移動的離子的作用成了自由移動的離子(或水合離子或水合離子)，在外加電場的作用下，陰、陽離子定向移動在外加電場的作用下，陰、陽離子定向移動而導(dǎo)電。而導(dǎo)電。4.溶解性溶解性大多數(shù)離子晶體易溶于極性溶劑大多數(shù)離子晶體易溶于極性溶劑(如水如水)中，中，難溶于非極性溶劑難溶于非極性溶劑(

18、如汽油、苯、如汽油、苯、CCl4)中。中。因為當把離子晶體放入水中時，水分子對離因為當把離子晶體放入水中時，水分子對離子晶體中的離子產(chǎn)生吸引，使離子晶體中的子晶體中的離子產(chǎn)生吸引，使離子晶體中的離子克服離子間的相互作用力而離開晶體，離子克服離子間的相互作用力而離開晶體，變成在水中自由移動的離子。變成在水中自由移動的離子。特別提醒特別提醒化學(xué)變化過程一定發(fā)生舊化學(xué)鍵的斷裂和新化學(xué)變化過程一定發(fā)生舊化學(xué)鍵的斷裂和新化學(xué)鍵的形成，但破壞化學(xué)鍵或形成化學(xué)鍵化學(xué)鍵的形成，但破壞化學(xué)鍵或形成化學(xué)鍵的過程卻不一定發(fā)生化學(xué)變化，如食鹽熔化的過程卻不一定發(fā)生化學(xué)變化，如食鹽熔化會破壞離子鍵會破壞離子鍵,食鹽結(jié)晶

19、過程會形成離子鍵，食鹽結(jié)晶過程會形成離子鍵，但均不是化學(xué)變化過程。但均不是化學(xué)變化過程。即時應(yīng)用即時應(yīng)用2.(2012阜陽一中高二質(zhì)檢阜陽一中高二質(zhì)檢)堿金屬與鹵素堿金屬與鹵素所形成的化合物大都具有的性質(zhì)是所形成的化合物大都具有的性質(zhì)是 ( )高沸點高沸點 能溶于水能溶于水 水溶液能導(dǎo)電水溶液能導(dǎo)電 低低熔點熔融狀態(tài)不導(dǎo)電熔點熔融狀態(tài)不導(dǎo)電A. B.C. D.解析：選解析：選A。堿金屬與鹵素形成的化合物為。堿金屬與鹵素形成的化合物為離子化合物。離子化合物。題型探究技法歸納題型探究技法歸納題型題型1離子晶體的常見類型離子晶體的常見類型 (2012合肥高二質(zhì)檢合肥高二質(zhì)檢)如圖是從如圖是從NaCl

20、或或CsCl晶體結(jié)構(gòu)中分割出來的部分結(jié)構(gòu)圖晶體結(jié)構(gòu)中分割出來的部分結(jié)構(gòu)圖,其其中屬于從中屬于從NaCl晶體中分割出來的結(jié)構(gòu)圖是晶體中分割出來的結(jié)構(gòu)圖是()例例1A(1)和和(3)B(2)和和(3)C(1)和和(4) D只有只有(4)【思路點撥思路點撥】解答此題注意以下兩點：解答此題注意以下兩點：(1)對比理解對比理解NaCl和和CsCl兩種典型離子晶體兩種典型離子晶體的結(jié)構(gòu)特點。的結(jié)構(gòu)特點。(2)準確判斷題給結(jié)構(gòu)圖是否表示晶胞。準確判斷題給結(jié)構(gòu)圖是否表示晶胞。【解析解析】根據(jù)根據(jù)NaCl和和CsCl兩種典型離子兩種典型離子晶體的結(jié)構(gòu)特點分析圖示。圖晶體的結(jié)構(gòu)特點分析圖示。圖(1)中黑球的配中黑

21、球的配位數(shù)為位數(shù)為6，圖，圖(4)應(yīng)為簡單立方結(jié)構(gòu)，故應(yīng)為簡單立方結(jié)構(gòu)，故(1)和和(4)應(yīng)表示應(yīng)表示NaCl的晶體結(jié)構(gòu)。圖的晶體結(jié)構(gòu)。圖(2)中黑球的中黑球的配位數(shù)為配位數(shù)為8，圖，圖(3)為體心立方結(jié)構(gòu)，故為體心立方結(jié)構(gòu)，故(2)和和(3)應(yīng)表示應(yīng)表示CsCl的晶體結(jié)構(gòu)。的晶體結(jié)構(gòu)。【答案答案】C【規(guī)律方法規(guī)律方法】如何判斷題中的結(jié)構(gòu)圖是否表如何判斷題中的結(jié)構(gòu)圖是否表示晶胞：示晶胞：整塊晶體是由完全相同的晶胞無隙并置地堆積整塊晶體是由完全相同的晶胞無隙并置地堆積而成的。而成的?！巴耆嗤耆嗤卑òā盎瘜W(xué)上等同化學(xué)上等同”晶胞里原子的數(shù)目和種類完全等同；還包括晶胞里原子的數(shù)目和種類完

22、全等同；還包括“幾何上等同幾何上等同”晶胞的形狀、取向、大小晶胞的形狀、取向、大小等同，而且原子的排列完全等同。等同，而且原子的排列完全等同?！盁o隙并置無隙并置”即一個晶胞與它的相鄰晶胞即一個晶胞與它的相鄰晶胞完全共頂角、共面、共棱。晶胞的這種本完全共頂角、共面、共棱。晶胞的這種本質(zhì)屬性可歸納為晶胞具有平移性。因此可質(zhì)屬性可歸納為晶胞具有平移性。因此可根據(jù)結(jié)構(gòu)圖在晶體中是否具有平移性來判根據(jù)結(jié)構(gòu)圖在晶體中是否具有平移性來判斷是否表示晶胞。斷是否表示晶胞。題型題型2離子晶體的物理性質(zhì)離子晶體的物理性質(zhì) 下列性質(zhì)適合于離子晶體的是下列性質(zhì)適合于離子晶體的是()熔點熔點1070 ，易溶于水，水溶液能

23、導(dǎo)電，易溶于水，水溶液能導(dǎo)電熔點熔點10.31 ，液態(tài)不導(dǎo)電，水溶液導(dǎo)電，液態(tài)不導(dǎo)電，水溶液導(dǎo)電熔點熔點112.8 ，沸點，沸點444.6 ，能溶于，能溶于CS2熔點熔點97.81 ,質(zhì)軟，導(dǎo)電，密度質(zhì)軟，導(dǎo)電，密度0.97 gcm3熔點熔點218 ，難溶于水，難溶于水例例2熔點熔點3900 ，硬度很大，不導(dǎo)電，硬度很大，不導(dǎo)電難溶于水，固態(tài)時導(dǎo)電，升溫時導(dǎo)電能力難溶于水，固態(tài)時導(dǎo)電，升溫時導(dǎo)電能力減弱減弱難溶于水，熔點高，固體不導(dǎo)電，熔化時難溶于水，熔點高，固體不導(dǎo)電，熔化時導(dǎo)電導(dǎo)電A BC D【思路點撥思路點撥】解答此題的關(guān)鍵是熟練掌握解答此題的關(guān)鍵是熟練掌握四種晶體的物理特性。四種晶體的

24、物理特性。【解析解析】離子晶體熔融態(tài)時能導(dǎo)電，易溶離子晶體熔融態(tài)時能導(dǎo)電，易溶于水的離子晶體的水溶液能導(dǎo)電，但固態(tài)的于水的離子晶體的水溶液能導(dǎo)電，但固態(tài)的離子晶體不導(dǎo)電；離子晶體難溶于非極性溶離子晶體不導(dǎo)電；離子晶體難溶于非極性溶劑，熔點高，質(zhì)硬而脆。故劑，熔點高，質(zhì)硬而脆。故不符不符合離子晶體的物理特點；合離子晶體的物理特點；物質(zhì)的熔點高達物質(zhì)的熔點高達3900 ，硬度很大，不導(dǎo)電，故應(yīng)是原子，硬度很大，不導(dǎo)電，故應(yīng)是原子晶體；只有晶體；只有符合離子晶體的物理特點。符合離子晶體的物理特點。【答案答案】A【名師點睛名師點睛】(1)離子晶體不一定都含有金離子晶體不一定都含有金屬元素，如屬元素，如

25、NH4Cl ；(2)金屬元素與非金屬元素構(gòu)成的晶體不一定金屬元素與非金屬元素構(gòu)成的晶體不一定是離子晶體，如是離子晶體，如AlCl3是分子晶體；是分子晶體；(3)溶于水能導(dǎo)電的不一定是離子晶體溶于水能導(dǎo)電的不一定是離子晶體,如如HCl;熔化后能導(dǎo)電的也不一定是離子晶體熔化后能導(dǎo)電的也不一定是離子晶體,如金屬如金屬;(4)鑒定離子晶體的實驗方法是固體不導(dǎo)電，鑒定離子晶體的實驗方法是固體不導(dǎo)電，熔融態(tài)能導(dǎo)電。熔融態(tài)能導(dǎo)電。離子晶體中離子的配位數(shù)離子晶體中離子的配位數(shù)1.配位離子和離子的配位數(shù)配位離子和離子的配位數(shù)與中心離子與中心離子(或原子或原子)直接成鍵的離子直接成鍵的離子(或原子或原子)稱為配位

26、離子稱為配位離子(或原子或原子)。配位離子。配位離子(或原子或原子)的的數(shù)目稱為配位數(shù)。在離子晶體中離子的配位數(shù)目稱為配位數(shù)。在離子晶體中離子的配位數(shù)是指中心離子周圍最鄰近的異電性離子的數(shù)是指中心離子周圍最鄰近的異電性離子的數(shù)目，如在氯化鈉晶體中，數(shù)目，如在氯化鈉晶體中，Na和和Cl的配的配位數(shù)都是位數(shù)都是6。熱點示例思維拓展熱點示例思維拓展2.影響離子晶體中離子配位數(shù)的因素影響離子晶體中離子配位數(shù)的因素離子鍵的特點之一是沒有方向性，離子是一離子鍵的特點之一是沒有方向性，離子是一個帶電的質(zhì)點個帶電的質(zhì)點(近似地認為是球體近似地認為是球體)，根據(jù)靜，根據(jù)靜電學(xué)理論，它在各個方向上的靜電效應(yīng)是等電

27、學(xué)理論，它在各個方向上的靜電效應(yīng)是等同的，所以離子的電荷不影響配位數(shù)。離子同的，所以離子的電荷不影響配位數(shù)。離子鍵的特點之二是沒有飽和性，只要離子附近鍵的特點之二是沒有飽和性，只要離子附近空間條件許可，每一個離子就有可能吸引盡空間條件許可，每一個離子就有可能吸引盡量多的帶相反電荷的離子；雖然離子鍵沒有量多的帶相反電荷的離子；雖然離子鍵沒有飽和性，但是離子的配位數(shù)并不是任意的，飽和性，但是離子的配位數(shù)并不是任意的，事實上，離子晶體中每種離子都有一定的配事實上，離子晶體中每種離子都有一定的配位數(shù)。陰、陽離子的半徑比值位數(shù)。陰、陽離子的半徑比值(r/r)影響配影響配位數(shù)的多少位數(shù)的多少,半徑比值越大，配位數(shù)就越大。半徑比值越大，配位數(shù)就越大。組成比為組成比為1: :1的離子晶體稱為的離子晶體稱為AB型離子晶體型離子晶體,它是離子晶體中最簡單的一類，最常見的基它是離子晶體中最簡單的一類，最常見的基本結(jié)構(gòu)有本結(jié)構(gòu)有NaCl型、型、CsCl型、型、ZnS型三種。型三種。此外，化合物的組成比，也是影響配位數(shù)的此外，化合物的組成比，也是影響配位數(shù)的一個重要因素。一個重要因素。配位數(shù)配位數(shù)468陰、陽離子的陰、陽離子的半徑比值半徑比值r/r0.20.40.40.70.71.0空間結(jié)構(gòu)類型空間結(jié)構(gòu)類型ZnSNaClCsCl