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1、解釋基本概念：集成電路，集成度，特征尺寸 參考答案： A、集成電路（IC：integrated circuit）是指通過一系列特定的加工工藝，將晶體管、二極管等有源器件和電阻、電容等無源器件，按照一定的電路互連，“集成”在一塊半導體晶片（如硅或砷化鎵）上，封裝在一個外殼內，執(zhí)行特定電路或系統(tǒng)功能的集成塊。 B、集成度是指在每個芯片中包含的元器件的數目。 C、特征尺寸是代表工藝光刻條件所能達到的最小柵長（L）尺寸。 2、寫出下列英文縮寫的全稱：IC，MOS，VLSI，SOC，DRC，ERC，LVS，LPE 參考答案： IC：integrated circuit；MOS：metal oxide semiconductor；VLSI：very large scale integration；SOC：system on chip；DRC：design rule check；ERC：electrical rule check；LVS：layout versus schematic；LPE：layout parameter extraction 3、試述集成電路的幾種主要分類方法 參考答案： 集成電路的分類方法大致有五種：器件結構類型、集成規(guī)模、使用的基片材料、電路功能以及應用領域。根據器件的結構類型，通常將其分為雙極集成電路、MOS集成電路和Bi-MOS集成電路。按集成規(guī)?？煞譃椋盒∫?guī)模集成電路、中規(guī)模集成電路、大規(guī)模集成電路、超大規(guī)模集成電路、特大規(guī)模集成電路和巨大規(guī)模集成電路。按基片結構形式，可分為單片集成電路和混合集成電路兩大類。按電路的功能將其分為數字集成電路、模擬集成電路和數?；旌霞呻娐?。按應用領域劃分，集成電路又可分為標準通用集成電路和專用集成電路。 4、試述“自頂向下”集成電路設計步驟。 參考答案： “自頂向下”的設計步驟中，設計者首先需要進行行為設計以確定芯片的功能；其次進行結構設計；接著是把各子單元轉換成邏輯圖或電路圖；最后將電路圖轉換成版圖，并經各種驗證后以標準版圖數據格式輸出。 5、比較標準單元法和門陣列法的差異。 參考答案： 標準單元方法設計與門陣列法基本的不同點有：(1) 在門陣列法中邏輯圖是轉換成門陣列所具有的單元或宏單元，而標準單元法則轉換成標準單元庫中所具有的標準單元。(2) 門陣列設計時首先要選定某一種門復雜度的基片，因而門陣列的布局和布線是在最大的門數目、最大的壓焊塊數目、布線通道的間距都確定的前提下進行的。標準單元法則不同，它的單元數、壓焊塊數取決于具體設計的要求，而且布線通道的間距是可變的，當市線發(fā)生困難時，通道間距可以隨時加大，因而布局和布線是在一種不太受約束的條件下進行的。(3) 門陣列設計時只需要定制部分掩膜版，而標準單元設計后需要定制所有的各層掩膜版。 6、按規(guī)模劃分，集成電路的發(fā)展已經歷了哪幾代？ 參考答案： 按規(guī)模，集成電路的發(fā)展已經經歷了：SSI、MSI、LSI、VLSI、ULSI及GSI。 7、試述集成電路制造中，導體、半導體和絕緣體各起什么作用。 參考答案： 導體：（1）構成低值電阻；（2）構成電容元件的極板；（3）構成電感元件的繞線； （4）構成傳輸線（微帶線和共面波導）的導體結構；（5）與輕摻雜半導體構成肖特基結接觸；（6）與重摻雜半導體構成半導體器件的電極的歐姆接觸；（7）構成元器件之間的互連；（8）構成與外界焊接用的焊盤。 半導體：（1）制作襯底材料；（2）構成MOS管的源漏區(qū)，集成電路中的基本元件就是依據半導體的特性構成。 絕緣體：（1）構成電容的介質；（2）構成MOS（金屬-氧化物-半導體）器件的柵絕緣層； （3）構成元件和互連線之間的橫向隔離；（4）構成工藝層面之間的垂直向隔離；（5）構成防止表面機械損傷和化學污染的鈍化層。 8、試述半導體特性及其應用。 參考答案： 半導體的電導率在10-22 Scm-1~10-14 Scm-1之間，導電性能介于導體與絕緣體之間，半導體的特點是其電導率隨外界條件的變化而急劇變化。溫度變化、光照，摻入雜質等都能顯著改變半導體的導電性能。 半導體的廣泛應用：熱敏電阻（測溫度和自動控制）；光敏電阻（自動控制）；晶體管；集成電路和超大規(guī)模集成電路等。 9、列舉兩種典型的金屬與半導體接觸。 參考答案： 一種是整流接觸，即制成肖特基勢壘二極管；另一種是非整流接觸，即歐姆接觸。 10、解釋歐姆型接觸和肖特基型接觸。 參考答案： 半導體表面制作了金屬層后，根據金屬的種類及半導體摻雜濃度的不同，可形成歐姆型接觸或肖特基型接觸。 如果摻雜濃度比較低，金屬和半導體結合面形成肖特基型接觸。 如果摻雜濃度足夠高，金屬和半導體結合面形成歐姆型接觸。 11、試比較p-n結和肖特基結的主要異同點。 參考答案： 共同點：由載流子進行電流傳導。 不同點：p-n結由少數載流子來進行電流傳導；肖特基結的主要傳導機制是半導體中多數載流子的熱電子發(fā)射越過電勢勢壘而進入金屬中。 12、試述PN結的空間電荷區(qū)是如何形成的。 參考答案： 在PN結中，由于N區(qū)中有大量的自由電子，由P區(qū)擴散到N區(qū)的空穴將逐漸與N區(qū)的自由電子復合。同樣，由N區(qū)擴散到P區(qū)的自由電子也將逐漸與P區(qū)內的空穴復合。于是在緊靠接觸面兩邊形成了數值相等、符號相反的一層很薄的空間電荷區(qū)，稱為耗盡層。 13、MOS器件結構的對稱性使其源漏區(qū)可以互換，雙極型器件是否也具有同樣的特點？若沒有，請說明原因。 參考答案： 雙極型器件的集電極與發(fā)射極不具有對稱性，不能互換。雖然雙極型器件原理圖顯示兩個PN結是對稱的，但實際制造時發(fā)射區(qū)的摻雜濃度遠遠高于集電區(qū)，而集電結的面積大于發(fā)射結的面積。 14、什么是MOS管的閾值電壓。 參考答案： 引起溝道區(qū)產生強表面反型的最小柵電壓，稱為閾值電壓VT。 15、討論MOS器件源漏電流與其幾何尺寸的關系。 參考答案： 根據本章給出的式（2.3）可知，MOS器件的柵長L減小，源漏電流增大；柵寬W減小，源漏電流減小。但同時減小L和W，理論上可保持源漏電流不變。 16、MOS管的跨導系數與哪些參數有關？ 參考答案： β是MOS晶體管的跨導系數，β與工藝參數及器件的幾何尺寸有關，其關系為： 17、試畫出MOS器件跨導與源漏電壓的函數曲線。 參考答案： 18、根據式（2.3），試推導PMOS器件在不同工作區(qū)域的理想表達式。 參考答案： 0 (a) 截止區(qū) 　Ids＝　 （b）線性區(qū) （c）飽和區(qū) 18、集成電路主要有哪些基本制造工藝。 參考答案： 集成電路基本制造工藝包括：外延生長，掩模制造，光刻，刻蝕，摻雜，絕緣層形成，金屬層形成等。 19、什么叫硅的熱氧化？有哪幾種熱氧化技術？ 參考答案： 硅的熱氧化法是指硅與氧或水汽，在高溫下經化學反應生成SiO2。根據氧化劑的不同，熱氧化可分為干氧氧化、水汽氧化和濕氧氧化。 20、試述晶體外延的意義，列出三種外延方法。 參數答案： 晶體外延的意義是：用同質材料形成具有不同摻雜種類及濃度，因而具有不同性質的晶體層。 晶體外延的方法主要有：氣相外延生長、金屬有機物氣相外延生長、分子束外延生長。 21、解釋：同質外延、異質外延。 參考答案： 外延生長時，當襯底與外延層為同種材料時稱為同質外延，同質外延的目的是形成具有不同摻雜種類及濃度的晶體層，因而它可以具有不同性能。當兩者材料相異時稱異質外延，異質外延用來形成各種異質結構的器件，如異質結晶體管（HBT）。 22、掩模在IC制造過程中有什么作用？ 參考答案： 任何半導體器件及IC都是一系列相聯系的基本單元的組合，如導體、半導體及在基片不同層上形成的不同尺寸的隔離材料等。要制作出這些結構需要一套掩模。因此掩模是IC制造過程中必須要經過的一個重要環(huán)節(jié)。 23、比較整版掩模和單片掩模的區(qū)別，并列舉三種掩模的制造方法。 參考答案： 整版按統(tǒng)一的放大率印制，因此稱為1X掩模。這種掩模在一次曝光中，對應著一個芯片陣列的所有電路的圖形都被映射到基片的光刻膠上。 單片版通常把實際電路放大5或10倍，故稱作5X或10X掩模。這樣的掩模上的圖案僅對應著基片上芯片陣列中的一個單元。上面的圖案可通過步進曝光機映射到整個基片上。 掩模的制造方法：a、圖案發(fā)生器法；b、x射線制版；c、電子束描述法。 24、光刻的作用是什么？列舉兩種常用曝光方式。 參考答案： 光刻是集成電路加工過程中的重要工序，作用是把掩模版上的圖形轉換成晶圓上的器件結構。 曝光方式：接觸式和非接觸式 25、簡述光刻工藝步驟。 參考答案： 涂光刻膠，曝光，顯影，腐蝕，去光刻膠。 26、光刻膠正膠和負膠的區(qū)別是什么？ 參考答案： 正性光刻膠受光或紫外線照射后感光的部分發(fā)生光分解反應，可溶于顯影液，未感光的部分顯影后仍然留在晶圓的表面，它一般適合做長條形狀；負性光刻膠的未感光部分溶于顯影液中，而感光部分顯影后仍然留在基片表面，它一般適合做窗口結構，如接觸孔、焊盤等。 27、試述曝光時間對設計的圖形的影響。 參考答案： 曝光時間對設計圖形的影響主要是：若曝光時間較長，對于正性光刻膠則得到的圖形實際尺寸比預先設計的可能要?。粚τ谪撔怨饪棠z情況正相反。 28、摻雜的目的是什么？舉出兩種摻雜方法并比較其優(yōu)缺點。 參考答案： 摻雜的目的是形成特定導電能力的材料區(qū)域，包括N型或P型半導體區(qū)域和絕緣層，以構成各種器件結構。 摻雜的方法有：熱擴散法摻雜和離子注入法摻雜。與熱擴散法相比，離子注入法摻雜的優(yōu)點是：可精確控制雜質分布，摻雜純度高、均勻性好，容易實現化合物半導體的摻雜等；缺點是：雜質離子對半導體晶格有損傷，這些損傷在某些場合完全消除是無法實現的；很淺的和很深的注入分布都難以得到；對高劑量的注入，離子注入的產率要受到限制；一般離子注入的設備相當昂貴， 29、IC制造中常采用什么方法形成金屬層？它的作用是什么？ 參考答案： 金屬層的形成主要采用物理汽相沉積(Pysical Vapor Deposition，簡稱PVD)技術。在半導體工藝發(fā)展過程中，主要的PVD技術有蒸鍍和濺鍍兩種。 金屬層的作用有：（1）形成器件本身的接觸線；（2）形成器件間的互連線；（3）形成焊盤。 30、列舉兩種集成電路制造中的器件隔離結構，并比較其優(yōu)缺點。 參考答案： 兩種最常用的隔離結構：局部氧化隔離法隔離(LOCOS)和淺溝槽隔離(STI)。 局部氧化隔離法會產生“鳥嘴”效應，影響器件的性能；淺溝槽隔離法能有效地減小“鳥嘴”效應。 31、試述 “鳥嘴”效應是如何產生的？它對MOS器件有什么影響？ 參考答案： 通常，IC器件之間通過氧化去來隔離的，在局部氧化隔離工藝中，由于氧化過程中的滲透作用，造成了氧化區(qū)具有“鳥嘴形”。這種形狀造成了有源區(qū)的變化，器件的寬度不再是版圖上所畫的。這就是所謂的“鳥嘴”效應。當器件尺寸縮小后，它將影響MOS器件的開啟電壓。 32、簡述CMOS工藝的基本工藝流程（以1poly，2metal N阱為例）。 參考答案： 形成N阱區(qū)，確定nMOS和pMOS有源區(qū)，場和柵氧化，形成多晶硅并刻蝕成圖案，P＋擴散，N＋擴散，刻蝕接觸孔，沉淀第一金屬層并刻蝕成圖案，沉淀第二金屬層并刻蝕成圖案，形成鈍化玻璃并刻蝕焊盤。 33、上題所述N阱CMOS工藝需要哪幾層掩模？每層掩模分別有什么作用？ 參考答案： 需要十層掩模，每層掩模及其作用如下： Mask1：形成n阱區(qū) Mask2：確定NMOS和PMOS有源區(qū) Mask3：場和柵氧化 Mask4：形成多晶硅并刻蝕成圖案 Mask5：P＋擴散 Mask6：N＋擴散 Mask7：刻蝕接觸孔 Mask8：沉積第一層金屬并刻蝕成圖案 Mask9：沉積第二金屬并刻蝕成圖案 Mask10：形成鈍化層并刻蝕焊盤 34、為什么在相同工藝條件和相同幾何尺寸下NMOS管速度要高于PMOS管？如果相同柵長的N管和P管要達到相同的速度，理論上N管和P管要滿足什么條件？ 參考答案： 因為NMOS管的導電溝道是由帶負電的電子累積而成，而PMOS管的導電溝道是由帶正電的空穴累積而成，由于電子的遷移率大約是空穴遷移率的2.5倍，因此NMOS管速度要高于PMOS管。 如果相同柵長的N管和P管要達到相同的速度，從理論上講，PMOS管的柵寬應是NMOS管的2.5倍。 35、雙極、CMO和BiCMOS集成電路器件各有何特點。 參考答案： 雙極器件具有速度高、驅動能力強和低噪聲等特性，但功耗大而且集成度低。CMOS器件具有低功耗、集成度高和抗干擾能力強等優(yōu)點，但它的速度較低、驅動能力差，在具有高速要求的環(huán)境下難以適應。所以結合了雙極與CMOS工藝技術的BiCMOS工藝技術應運而生。BiCMOS工藝技術是將雙極與CMOS器件制作在同一芯片上，這樣就結合了雙極器件的高跨導、強驅動和CMOS器件高集成度、低功耗的優(yōu)點，使它們互相取長補短、發(fā)揮各自優(yōu)點，從而實現高速、高集成度、高性能的超大規(guī)模集成電路。 36、常規(guī)雙極型工藝需要幾次光刻？每次光刻分別有什么作用？ 參考答案： 需要六次光刻。第一次光刻--N+隱埋層擴散孔光刻；第二次光刻--P+隔離擴散孔光刻 第三次光刻--P型基區(qū)擴散孔光刻；第四次光刻--N+發(fā)射區(qū)擴散孔光刻；第五次光刻--引線接觸孔光刻；第六次光刻--金屬化內連線光刻 37、BiCMOS工藝技術常分為哪兩類？它們各有什么特點？ 參考答案： BiCMOS工藝技術大致可以分為兩類：分別是以CMOS工藝為基礎的BiCMOS工藝和以雙極工藝為基礎的BiCMOS工藝。一般來說，以CMOS工藝為基礎的BiCMOS工藝對保證CMOS器件的性能比較有利，同樣以雙極工藝為基礎的BiCMOS工藝對提高保證雙極器件的性能有利。影響B(tài)iCMOS器件性能的主要部分是雙極部分，因此以雙極工藝為基礎的BiCMOS工藝用的較多。 38、與以P阱CMOS工藝為基礎的BiCMOS工藝相比，以N阱CMOS工藝為基礎的BiCMOS工藝有什么特點？ 參考答案： 優(yōu)點包括：（1）工藝中添加了基區(qū)摻雜的工藝步驟，這樣就形成了較薄的基區(qū)，提高了NPN晶體管的性能；（2）制作NPN管的N阱將NPN管與襯底自然隔開，這樣就使得NPN晶體管的各極均可以根據需要進行電路連接，增加了NPN晶體管應用的靈活性。它的缺點是：NPN管的集電極串聯電阻還是太大，影響雙極器件的驅動能力。如果以P+-Si為襯底，并在N阱下設置N+隱埋層，然后進行P型外延，可使NPN管的集電極串聯電阻減小5-6倍，還可以使CMOS器件的抗閂鎖性能大大提高。 39、目前GaAs工藝有哪幾類？ 參考答案： GaAs工藝分為三大類：GaAs MESFET，GaAs HEMT，GaAs HBT 40、GaAs HEMT與MESFET的主要區(qū)別是什么？ 參考答案： HEMT也屬于FET的一種，它有與MESFET相似的結構。HEMT與MESFET之間的區(qū)別在于有源層。 41、與CMOS工藝相比，GaAs工藝有什么主要特點？ 參考答案： 與CMOS工藝相比，GaAs工藝具有速度高、噪聲小、驅動能力強的優(yōu)點。但其缺點是價格高、功耗大、成品率低。 42、已知突變PN結零偏勢壘電容為3pF，內建勢壘電壓為0.5V，計算10V反偏電壓時的勢壘電容。 參考答案： 突變結，m＝0.5 43、對于漸變結，上述勢壘電容值是多少？ 參考答案： 漸變結，m＝1/3 44、什么是MOSFET的閾值電壓，它受哪些因素影響？ 參考答案： 閾值電壓Vt是使半導體表面達到強反型所需加的柵極電壓。它受襯底摻雜濃度、體效應、半導體材料的費米勢等的影響。 45、試述MOS管溝道長度L和寬度W與閾值電壓的關系。 參考答案： 當MOS工藝發(fā)展到亞微米、深亞微米水平后，必須考慮二階效應。這時，隨著溝道長度L的減小，閾值電壓將減??；隨著溝道寬度W的減小，閾值電壓將增大。 46、圖a中M1和M2為某CMOS工藝中的兩個NMOS管，M1的W/L＝12μm/6μm，M2的W/L＝4μm/2μm，其它物理參數及偏置均相同。圖b中給出了M1的漏極電流Id1隨Vgs的變化曲線，請畫出Id2的大致變化，并說明Id1和Id2有什么不同，并解釋不同的主要原因。 參考答案： 考慮MOS器件的窄溝道效應，M2的閾值電壓比M1的高，所以電流Id2小于Id1。如圖 47、什么是MOS器件的體效應？ 參考答案： MOS工藝中，N管襯底接最低電位，P管襯底接最高電位；但它們的源極卻未必與襯底電位相同，于是源襯存在電壓差，這個電壓差將影響閾值電壓，這稱為體效應。 48、MOS器件存在哪些二階效應？分別是由什么原因引起的？ 參考答案： 二階效應包括：短溝道效應，窄溝道效應，遷移率退化，溝道長度調制效應，靜電反饋效應等。引起原因見7.4和7.5節(jié)。 畫出一個PMOS管叉指數為2的版圖俯視圖，要求使漏極電容最小。與相同大小的單指NMOS管相比，漏極電容、柵極電阻有什么變化？ 49、說明MOS器件噪聲的來源、成因及減小方法。 參考答案： MOS器件噪聲的來源：a、熱噪聲，由溝道內載流子無規(guī)則運動引起，可通過增加MOS的柵寬和偏置電流來減小。b、閃爍噪聲，溝道處二氧化硅與硅界面上電子的充放電引起，同樣通過增加MOS的柵寬來減小。 50、MOS器件按比例縮小后對器件特性有什么影響？ 參考答案： 若MOS器件按比例因子α縮小后，器件速度得意提高、功耗減小、芯片面積減小集成度提高。 51、什么是電阻率？它的單位是什么（國際標準單位制）？ 參考答案： 電阻率ρ是反映材料導電性能的物理量，與導線的長度、橫截面積無關。ρ數值上等于L=1m、A=1m2時的R值，ρ越小說明材料導電性能越好。材料的電阻率與溫度有關，金屬材料的電阻率隨溫度的升高而增大．一般說溫度升高1℃，電阻率增大約0.4 %。 單位：Ωcm 52、試用電導率為102/（Ωcm），厚1μm的材料設計1kΩ的電阻，設電阻寬1μm，求其長。 參考答案： 因為：，又電導率與電阻率互為倒數，所以： 53、什么是無源電阻？什么是有源電阻？舉例說明。 參考答案： 無源電阻通常是合金材料或采用摻雜半導體制作的電阻，而有源電阻則是將晶體管進行適當的連接和偏置，利用晶體管的不同的工作區(qū)所表現出來的不同的電阻特性來做電阻。 例：無源電阻有：摻雜半導體、多晶硅電阻等；有源電阻有：工作在飽和區(qū)的PMOS器件。 54、集成電容主要有幾種結構？并比較不同結構的優(yōu)缺點。 參考答案： 1）金屬-絕緣體-金屬(MIM)結構；2）多晶硅/金屬-絕緣體-多晶硅結構；3) 金屬的叉指結構4）PN結電容；5）MOS電容。 55、利用2μm6μm的多晶硅柵極覆蓋在4μm12μm薄氧化層的正中間構成一個MOS管，已知Cox＝510－4pF/μm2，估算柵極電容。 參考答案： MOS結構如圖所示： 所以柵極電容：Co＝510－424＝40pF 56、試述兩種傳輸線電感，比較其優(yōu)缺點。 參考答案： 傳輸線電感可以有微帶線（Microstrip）和共面波導（CPW）兩種實現方法。相對于微帶線，CPW的優(yōu)點是： 1）工藝簡單，費用低，因為所有接地線均在上表面而不需接觸孔。 2）在相鄰的CPW之間有更好的屏蔽，因此有更高的集成度和更小的芯片尺寸。 3）比金屬孔有更低的接地電感。 4）低的阻抗和速度色散。 CPW的缺點是： 1）衰減相對高一些，在50GHz時，CPW的衰減大約是0.5dB/mm; 2）由于厚的介質層，導熱能力差，不利于大功率放大器的實現。 57、比較砷化鎵和磷化銦等襯底與硅襯底上的電感等效電路，試分析兩者存在差異的原因。 參考答案： 砷化鎵和磷化銦等襯底為半絕緣體，硅襯底為半導體。因此，硅襯底上電感有襯底損耗電阻和電容。 58、版圖設計的基本前提是什么？ 參考答案： 版圖設計的基本前提條件是：計算機輔助版圖設計工具；版圖設計規(guī)則；與設計相關的工藝文件。 59、規(guī)定版圖幾何設計規(guī)則的意義是什么？ 參考答案： 版圖幾何設計規(guī)則為電路設計師和工藝工程師提供了一種必要的信息聯系。其主要目標是獲得有最佳成品率的電路，而幾何尺寸則盡可能地小，同時又不影響電器電路的可靠性。 60、從設計的觀點出發(fā)，版圖設計規(guī)則應包括哪些部分？ 參考答案： 從設計的觀點出發(fā)，設計規(guī)則可以分為三部分： （a）決定幾何特征和圖形的幾何規(guī)定，這些規(guī)定保證各個圖形被此之間具有正確的關系．對設計人員來說，這方面的重要考慮是，每層掩模上的各個圖形部件應該相切，或者應 該保持互相分開；不同掩模上的各個圖形部件應該套合，或者應該保持互相分開，一切都符合要求。這些幾何關系在確定諸如晶體管縱橫比或電容值等最壞情況設計參數方面也很重 要。 (b)確定掩模制各和芯片制造中都需要的一組基本圖形部件的強制性要求。典型的圖形部件可能包括制造中所用的各塊掩模精確套準所需的對準標志，把各個電路從硅片切下 來的劃片間距以及供壓焊封裝用的壓焊點尺寸。 (c)定義設計人員設計時所用的電參數的范圍。 通常，這些電參數包括晶體管增益，開啟電壓、電容和電阻的數值。 61、版圖DRC、ERC和LVS的意義是什么？ 參考答案： DRC：檢查版圖中同層、不同層間圖形的線寬、間距是否滿足工藝的最小尺寸要求。 ERC：檢查版圖中是否存在開路、短路、浮點等違反電氣規(guī)則的現象。 LVS：檢查版圖網表與電路原理圖網表是否一致，即所畫版圖器件連接與相應的電路圖連接關系的一致性檢查 62、編寫DRC版圖驗證文件的主要依據是什么？ 參考答案： 工藝文件中的層次定義和給定的版圖設計規(guī)則。 63、為提高CMOS集成電路的抗自鎖能力，可在版圖設計上采取哪些措施。 參考答案： 合理布置電源接觸孔，減小橫向電流密度和橫向電阻。采用偽收集極。采用保護環(huán)。 64、目前集成電路版圖設計的主流工具有哪些？ 參考答案： Cadence提供的Virtuoso Layout版圖編輯環(huán)境；九天EDA軟件包提供的ZeniPDT集成版圖編輯系統(tǒng)；Tanner提供的L-Edit版圖編輯工具等。 65. 根據圖9.37，給出M2管的漏極電流表達式。 圖9.37 參考答案： 66. 在圖9.38中，若所有的晶體管都工作在飽和區(qū)，求M4的漏電流。 圖9.38 參考答案： 67、 在圖9.38中，若所有的晶體管都工作在飽和區(qū)，畫出Vx從一個大的正值下降時Ix的草圖。 圖9.39 參考答案： 68. 設計一個CMOS差分放大器電路，寫出其對應的SPICE描述語句并作差模電流-電壓特性分析。 參考答案： a amp only .lib d:\mm0355v.l TT v2 vdd 0 5v v3 3 0 dc 1.2v mn1 5 1 6 0 nch l=0.4u w=90u mn2 7 2 6 0 nch l=0.4u w=90u r1 vdd 5 1k r2 vdd 7 1k mcs1 6 3 0 0 nch l=0.4u w=30u msf1 vdd 5 8 0 nch l=0.4u w=40u mdf1 8 3 0 0 nch l=0.4u w=30u msf2 vdd 7 9 0 nch l=0.4u w=40u mdf2 9 3 0 0 nch l=0.4u w=30u ;.op vs1 1 0 ac 1 0 pulse(2.5 2.7 0 0.01ns 0.01ns 0.2ns 0.4ns) vs2 2 0 ac 1 180 pulse(2.7 2.5 0 0.01ns 0.01ns 0.2ns 0.4ns) .ac dec 100 1 8g .let voutdb=db(v(8)) .plot ac voutdb .tran 0.001ns 10ns 0ns .plot v(1) v(2) v(5) v(8) v(9) .end