1、會計學1CMOS模擬集成電路設計模擬集成電路設計 復習題一復習題一1. 以N型MOSFET為例,畫出相應的IV特性曲線,即IDS與 VDS,VGS的關系,并標出MOSFET的線性區(qū)和飽和區(qū)范圍,給出各區(qū)域成立的條件 2. 畫出一個典型P阱C。

2、1. 以N型MOSFET為例,畫出相應的IV特性曲線,即IDS與 VDS,VGS的關系,并標出MOSFET的線性區(qū)和飽和區(qū)范圍,給出各區(qū)域成立的條件 2. 畫出一個典型P阱CMOS工藝反向器的垂直剖面示意圖,要求器件的各個端口正確連接輸入輸。

3、會計學1CMOS模擬集成電路設計模擬集成電路設計 復習題一復習題一1.以N型MOSFET為例,畫出相應的IV特性曲線,即IDS與 VDS,VGS的關系,并標出MOSFET的線性區(qū)和飽和區(qū)范圍,給出各區(qū)域成立的條件 2.畫出一個典型P阱CMO。