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復(fù)習(xí)題一PPT課件

1. 以N型MOSFET為例,畫出相應(yīng)的IV特性曲線,即IDS與 VDS,VGS的關(guān)系,并標(biāo)出MOSFET的線性區(qū)和飽和區(qū)范圍,給出各區(qū)域成立的條件 2. 畫出一個典型P阱CMOS工藝反向器的垂直剖面示意圖,要求器件的各個端口正確連接輸入輸,

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1、1. 以N型MOSFET為例,畫出相應(yīng)的IV特性曲線,即IDS與 VDS,VGS的關(guān)系,并標(biāo)出MOSFET的線性區(qū)和飽和區(qū)范圍,給出各區(qū)域成立的條件 2. 畫出一個典型P阱CMOS工藝反向器的垂直剖面示意圖,要求器件的各個端口正確連接輸入輸。

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