(新課改省份專版)2020高考化學(xué)一輪復(fù)習(xí) 跟蹤檢測(四十九)認(rèn)識層面 晶體結(jié)構(gòu)與性質(zhì).doc
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跟蹤檢測(四十九) 認(rèn)識層面晶體結(jié)構(gòu)與性質(zhì)1下列晶體分類中正確的一組是()選項(xiàng)離子晶體原子晶體分子晶體ANaOHArSO2BH2SO4石墨SCCH3COONa水晶DBa(OH)2金剛石玻璃解析:選CA項(xiàng)中固態(tài)Ar為分子晶體;B項(xiàng)中H2SO4為分子晶體,石墨是混合型晶體;D項(xiàng)中玻璃是非晶體。2下列各組晶體物質(zhì)中,化學(xué)鍵類型相同,晶體類型也相同的是()SiO2和SO3晶體硼和HClCO2和SO2晶體硅和金剛石晶體氖和晶體氮硫黃和碘ABC D解析:選C屬于分子晶體的有SO3、HCl、CO2、SO2、晶體氖、晶體氮、硫黃、碘,屬于原子晶體的有SiO2、晶體硼、晶體硅、金剛石,但晶體氖中不存在化學(xué)鍵。3氮氧化鋁(AlON)屬原子晶體,是一種超強(qiáng)透明材料,下列描述錯誤的是()AAlON和石英的化學(xué)鍵類型相同BAlON和石英晶體類型相同CAlON和Al2O3的化學(xué)鍵類型不同DAlON和Al2O3晶體類型相同解析:選DAlON與石英(SiO2)均為原子晶體,所含化學(xué)鍵均為共價(jià)鍵,故A、B項(xiàng)正確;Al2O3是離子晶體,晶體中含離子鍵,不含共價(jià)鍵,故C項(xiàng)正確、D項(xiàng)錯誤。4下列說法中正確的是()A離子晶體中每個(gè)離子周圍均吸引著6個(gè)帶相反電荷的離子B金屬導(dǎo)電的原因是在外電場作用下金屬產(chǎn)生自由電子,電子定向運(yùn)動C分子晶體的熔、沸點(diǎn)很低,常溫下都呈液態(tài)或氣態(tài)D原子晶體中的各相鄰原子都以共價(jià)鍵相結(jié)合解析:選DA項(xiàng),離子晶體中每個(gè)離子周圍不一定吸引6個(gè)帶相反電荷的離子,如CsCl晶體中,每個(gè)Cs吸引8個(gè)Cl;B項(xiàng),金屬晶體中的自由電子不是因?yàn)橥怆妶鲎饔卯a(chǎn)生的;C項(xiàng),分子晶體在常溫下不一定是液態(tài)或氣態(tài),可能為固態(tài),如I2、S8等。5下列物質(zhì)的熔、沸點(diǎn)高低順序中,正確的是()A金剛石晶體硅二氧化硅碳化硅CMgOH2OO2Br2D金剛石生鐵純鐵鈉解析:選BA項(xiàng),同屬于原子晶體,熔、沸點(diǎn)高低由共價(jià)鍵的強(qiáng)弱即鍵能大小決定,鍵能由小到大也是熔、沸點(diǎn)由低到高的順序?yàn)榫w硅碳化硅二氧化硅Mg2,離子半徑:Mg2Ca2,所以熔點(diǎn):TiNMgOCaOKCl;MgO晶體中一個(gè)Mg2周圍和它最鄰近且等距離的Mg2有12個(gè)。答案:(1)2體心頂點(diǎn)8(2)2CuH3Cl22CuCl22HCl(3)F(4)TiNMgOCaOKCl1214(2017海南高考)A族元素及其化合物在材料等方面有重要用途?;卮鹣铝袉栴}:(1)碳的一種單質(zhì)的結(jié)構(gòu)如圖(a)所示。該單質(zhì)的晶體類型為_,原子間存在的共價(jià)鍵類型有_,碳原子的雜化軌道類型為_。(2)SiCl4分子的中心原子的價(jià)層電子對數(shù)為_,分子的立體構(gòu)型為_,屬于_(填“極性”或“非極性”)分子。(3)四鹵化硅SiX4的沸點(diǎn)和二鹵化鉛PbX2的熔點(diǎn)如圖(b)所示。SiX4的沸點(diǎn)依F、Cl、Br、I次序升高的原因是_。結(jié)合SiX4的沸點(diǎn)和PbX2的熔點(diǎn)的變化規(guī)律,可推斷:依F、Cl、Br、I次序,PbX2中的化學(xué)鍵的離子性_、共價(jià)性_(填“增強(qiáng)”“不變”或“減弱”)。解析:(1)該單質(zhì)為石墨,石墨屬于混合型晶體,層內(nèi)碳原子之間形成鍵和鍵;石墨中碳原子有3個(gè)鍵,無孤電子對,因此雜化類型為sp2;(2)SiCl4中心原子是Si,有4個(gè)鍵,孤電子對數(shù)為0,價(jià)層電子對數(shù)為4,空間構(gòu)型為正四面體;屬于非極性分子;(3)SiX4屬于分子晶體,不含分子間氫鍵,范德華力越大,熔沸點(diǎn)越高,范德華力隨著相對分子質(zhì)量的增大而增大,即熔沸點(diǎn)增高。答案:(1)混合型晶體鍵、鍵sp2(2)4正四面體非極性(3)均為分子晶體,范德華力隨相對分子質(zhì)量增大而增大減弱增強(qiáng)15(2016全國卷)鍺(Ge)是典型的半導(dǎo)體元素,在電子、材料等領(lǐng)域應(yīng)用廣泛。(1)原子坐標(biāo)參數(shù),表示晶胞內(nèi)部各原子的相對位置。如圖為Ge單晶的晶胞,其中原子坐標(biāo)參數(shù)A為(0,0,0);B為;C為。則D原子的坐標(biāo)參數(shù)為_。(2)晶胞參數(shù),描述晶胞的大小和形狀。已知Ge單晶的晶胞參數(shù)a565.76 pm,其密度為_gcm3(列出計(jì)算式即可)。解析:(1)根據(jù)題給圖示可知,D原子的坐標(biāo)參數(shù)為。(2)每個(gè)晶胞中含有鍺原子81/861/248個(gè),每個(gè)晶胞的質(zhì)量為 g,晶胞的體積為(565.761010 cm)3,所以晶胞的密度為 gcm3。答案:(1)(2)10716.Ni和La的合金是目前使用廣泛的儲氫材料,具有大容量、高壽命、耐低溫等特點(diǎn),在我國已實(shí)現(xiàn)了產(chǎn)業(yè)化。該合金的晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示。(1)該晶體的化學(xué)式為_。(2)已知該合金的摩爾質(zhì)量為M gmol1,密度為d gcm3,設(shè)NA為阿伏加德羅常數(shù)的值,則該晶胞的體積是_cm3(用含M、d、NA的代數(shù)式表示)。(3)該晶體的內(nèi)部具有空隙,且每個(gè)晶胞的空隙中儲存6個(gè)氫原子時(shí)比較穩(wěn)定。已知:a511 pm,c397 pm;標(biāo)準(zhǔn)狀況下氫氣的密度為8.98105 gcm3;儲氫能力。若忽略儲氫前后晶胞的體積變化,則該儲氫材料的儲氫能力為_。解析:(1)由晶胞結(jié)構(gòu)圖可知,1個(gè)晶胞中La的原子個(gè)數(shù)為81,Ni的原子個(gè)數(shù)為815,則該晶體的化學(xué)式為LaNi5。(2)1個(gè)晶胞的質(zhì)量m,由V可知1個(gè)晶胞中的體積V cm3。(3)LaNi5合金儲氫后氫氣的密度 gcm30.111 gcm3,由定義式可知,儲氫能力1 236。答案:(1)LaNi5(2)(3)1 236- 1.請仔細(xì)閱讀文檔,確保文檔完整性,對于不預(yù)覽、不比對內(nèi)容而直接下載帶來的問題本站不予受理。
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